本實(shí)用新型屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于硅納米線陣列的太陽(yáng)能電池。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池表面的陷光結(jié)構(gòu)通常采用金字塔形結(jié)構(gòu)。而且現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)自上而下為金屬電極、ITO氧化銦錫透明導(dǎo)電薄膜、N型非晶硅層、單層本征非晶硅層、P型硅襯底、背電極。襯底表面通過(guò)濕法刻蝕，形成擁有金字塔形重復(fù)單元的表面，再在其上采用等離子體化學(xué)氣相淀積PECVD沉積單層本征非晶硅層和N型非晶硅層，形成具有金字塔形陷光結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換單元。當(dāng)光入射電池表面光線會(huì)在其表面連續(xù)反射，增加光在電池表面陷光結(jié)構(gòu)中的有效運(yùn)動(dòng)長(zhǎng)度和反射次數(shù)，從而增大能量光電轉(zhuǎn)換單元對(duì)光的吸收效率。但是這種結(jié)構(gòu)由于絨面尺寸不均勻且分布較廣，使得襯底表面缺陷密度大大增加，在正表面難以獲得高質(zhì)量的絨面陷光，不易降低襯底對(duì)光的反射系數(shù)，同時(shí)單層結(jié)構(gòu)的本征非晶硅層鈍化效果較差，現(xiàn)有技術(shù)為專利公告號(hào)為CN105789346A的基于硅納米線的太陽(yáng)能電池采用的技術(shù)方案是：包括背電極(6)和P型硅襯底(5)，其特征在于：P型硅襯底(5)的上表面采用硅納米線陣列結(jié)構(gòu)，該硅納米線陣列結(jié)構(gòu)表面上依次層疊有i型層(4)、N型非晶硅層(3)和氧化銦錫透明導(dǎo)電膜(2)，納米線陣列結(jié)構(gòu)的頂端設(shè)有正電極(1)，其中i型層(4)包括依次層疊于硅納米線陣列結(jié)構(gòu)表面上的微晶硅本征層、非晶硅鍺本征層、非晶硅本征層和微晶碳化硅本征層，具有具有良好的陷光效果，且提高了載流子的收集效率，同時(shí)改變i型層的結(jié)構(gòu)與材質(zhì)，提高了其鈍化性能，改善了太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)化效率的優(yōu)點(diǎn)。但是，現(xiàn)有的基于硅納米線陣列的太陽(yáng)能電池存在著安全效果差和散熱效果差的問(wèn)題。

因此，發(fā)明一種基于硅納米線陣列的太陽(yáng)能電池顯得非常必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型為解決公知技術(shù)中存在的安全效果差和散熱效果差的問(wèn)題而提供一種基于硅納米線陣列的太陽(yáng)能電池。

本實(shí)用新型為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題所采取的技術(shù)方案是：一種基于硅納米線陣列的太陽(yáng)能電池包括太陽(yáng)能電池本體，氧化銦錫透明導(dǎo)電膜，正電極，N型非晶硅層，i型層，傳感器，控制報(bào)警裝置，散熱裝置，調(diào)節(jié)螺栓，支撐桿，伸縮桿，背電極和P型硅襯底，所述的P型硅襯底安裝在太陽(yáng)能電池本體的內(nèi)部，所述的氧化銦錫透明導(dǎo)電膜設(shè)置在N型非晶硅層的上部，所述的正電極設(shè)置在氧化銦錫透明導(dǎo)電膜的上部，所述的N型非晶硅層設(shè)置在i型層的上部，所述的i型層設(shè)置在P型硅襯底的上部，所述的傳感器安裝在太陽(yáng)能電池本體的右下部，所述的控制報(bào)警裝置安裝在太陽(yáng)能電池本體表面的右側(cè)，所述的散熱裝置安裝在太陽(yáng)能電池本體的低部中間位置，所述的支撐桿通過(guò)調(diào)節(jié)螺栓安裝在伸縮桿的下部，所述的伸縮桿安裝在太陽(yáng)能電池本體的底部左右兩側(cè)。

本實(shí)用新型還可以采用如下技術(shù)措施。

所述的控制報(bào)警裝置包括安裝盒，顯示屏，控制器，開(kāi)關(guān)和報(bào)警器，所述的安裝盒安裝在太陽(yáng)能電池本體表面的右側(cè)，所述的顯示屏安裝在安裝盒的上部，并電性連接在控制器的輸出端，所述的控制器安裝在安裝盒的下部，所述的開(kāi)關(guān)安裝在顯示屏的右下部，并電性連接在控制器的輸入端，所述的報(bào)警器安裝在開(kāi)關(guān)的上部，并電性連接在控制器的輸出端。

所述的散熱裝置包括電機(jī)，轉(zhuǎn)軸和風(fēng)葉，所述的電機(jī)安裝在太陽(yáng)能電池本體的下部中間位置，并電性連接在控制器的輸出端，所述的轉(zhuǎn)軸通過(guò)聯(lián)軸器安裝在電機(jī)的輸出軸上，所述的風(fēng)葉通過(guò)鍵連接在轉(zhuǎn)軸的下端。

所述的傳感器電性連接在控制器的輸入端。

所述的N型非晶硅層和i型層的厚度均為20-60nm。

所述的P型硅襯底表面的硅納米線陣列中，每根硅納米線的直徑為30-70nm，長(zhǎng)度為6-15μm。

所述的P型硅襯底厚度為150-350μm。

所述的正電極采用厚度為15nm/15nm/30nm的Ti/Pd/Ag多層金屬材料。

所述的背電極采用厚度為80-110nm的金屬鋁材料。

所述的傳感器具體采用溫度傳感器。

所述的控制器具體采用芯片型號(hào)為AT89S51的單片機(jī)。

所述的風(fēng)葉具體采用不銹鋼風(fēng)葉，有利于提高安全效果和散熱效果。

本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：

本實(shí)用新型通過(guò)散熱裝置的設(shè)置，有利于提高安全效果和散熱效果。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型的控制報(bào)警裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本實(shí)用新型的散熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：

1-太陽(yáng)能電池本體，2-氧化銦錫透明導(dǎo)電膜，3-正電極，4-N型非晶硅層，5-i型層，6-傳感器，7-控制報(bào)警裝置，71-安裝盒，72-顯示屏，73-控制器，74-開(kāi)關(guān)，75-報(bào)警器，8-散熱裝置，81-電機(jī)，82-轉(zhuǎn)軸，83-風(fēng)葉，9-調(diào)節(jié)螺栓，10-支撐桿，11-伸縮桿，12-背電極，13-P型硅襯底。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述：

實(shí)施例：

如附圖1至附圖3所示

本實(shí)用新型提供一種基于硅納米線陣列的太陽(yáng)能電池包括太陽(yáng)能電池本體1，氧化銦錫透明導(dǎo)電膜2，正電極3，N型非晶硅層4，i型層5，傳感器6，控制報(bào)警裝置7，散熱裝置8，調(diào)節(jié)螺栓9，支撐桿10，伸縮桿11，背電極12和P型硅襯底13，所述的P型硅襯底13安裝在太陽(yáng)能電池本體1的內(nèi)部，所述的氧化銦錫透明導(dǎo)電膜2設(shè)置在N型非晶硅層4的上部，所述的正電極3設(shè)置在氧化銦錫透明導(dǎo)電膜2的上部，所述的N型非晶硅層4設(shè)置在i型層5的上部，所述的i型層5設(shè)置在P型硅襯底13的上部，所述的傳感器6安裝在太陽(yáng)能電池本體1的右下部，所述的控制報(bào)警裝置7安裝在太陽(yáng)能電池本體1表面的右側(cè)，所述的散熱裝置8安裝在太陽(yáng)能電池本體1的低部中間位置，所述的支撐桿10通過(guò)調(diào)節(jié)螺栓9安裝在伸縮桿11的下部，所述的伸縮桿11安裝在太陽(yáng)能電池本體1的底部左右兩側(cè)。

本實(shí)用新型還可以采用如下技術(shù)措施。

所述的控制報(bào)警裝置7包括安裝盒71，顯示屏72，控制器73，開(kāi)關(guān)74和報(bào)警器75，所述的安裝盒71安裝在太陽(yáng)能電池本體1表面的右側(cè)，所述的顯示屏72安裝在安裝盒71的上部，并電性連接在控制器73的輸出端，所述的控制器73安裝在安裝盒71的下部，所述的開(kāi)關(guān)74安裝在顯示屏72的右下部，并電性連接在控制器73的輸入端，所述的報(bào)警器75安裝在開(kāi)關(guān)74的上部，并電性連接在控制器73的輸出端。

所述的散熱裝置8包括電機(jī)81，轉(zhuǎn)軸82和風(fēng)葉83，所述的電機(jī)81安裝在太陽(yáng)能電池本體1的下部中間位置，并電性連接在控制器73的輸出端，所述的轉(zhuǎn)軸82通過(guò)聯(lián)軸器安裝在電機(jī)81的輸出軸上，所述的風(fēng)葉83通過(guò)鍵連接在轉(zhuǎn)軸82的下端。

所述的傳感器6電性連接在控制器73的輸入端。

所述的N型非晶硅層4和i型層5的厚度均為20-60nm。

所述的P型硅襯底13表面的硅納米線陣列131中，每根硅納米線的直徑為30-70nm，長(zhǎng)度為6-15μm。

所述的P型硅襯底13厚度為150-350μm。

所述的正電極3采用厚度為15nm/15nm/30nm的Ti/Pd/Ag多層金屬材料。

所述的背電極12采用厚度為80-110nm的金屬鋁材料。

所述的傳感器6具體采用溫度傳感器。

所述的控制器73具體采用芯片型號(hào)為AT89S51的單片機(jī)。

所述的風(fēng)葉83具體采用不銹鋼風(fēng)葉，有利于提高安全效果和散熱效果。

工作原理

本實(shí)用新型在使用過(guò)程中，在工作時(shí)，首先傳感器6檢測(cè)太陽(yáng)能電池的溫度，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)報(bào)警器6報(bào)警，同時(shí)控制器73控制電機(jī)81帶動(dòng)風(fēng)葉83轉(zhuǎn)動(dòng)進(jìn)行散熱，有利于提高安全效果和散熱效果。

利用本實(shí)用新型所述的技術(shù)方案，或本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型技術(shù)方案的啟發(fā)下，設(shè)計(jì)出類似的技術(shù)方案，而達(dá)到上述技術(shù)效果的，均是落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。