本實用新型屬于電子元器件領(lǐng)域，尤其涉及一種N溝道絕緣柵場效應(yīng)管。

背景技術(shù)：

目前，現(xiàn)有的N溝道絕緣柵場效應(yīng)管的第一引腳、第二引腳和第三引腳都位于同一方向，從而沒有承載能力，與其他電子元件連接時，容易損壞，使用壽命低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種具有承載能力的N溝道絕緣柵場效應(yīng)管，其不容易損害，使用壽命長。

本實用新型是這樣實現(xiàn)的，一種N溝道絕緣柵場效應(yīng)管，包括一硅襯底，所述硅襯底內(nèi)設(shè)有多個導(dǎo)電溝道，所述硅襯底上端固設(shè)有一第一絕緣層，所述第一絕緣層上端固設(shè)有一第一引腳，所述硅襯底一側(cè)安裝有一與所述導(dǎo)電溝道電連接的第二引腳，所述硅襯底下端固設(shè)有一第二絕緣層，所述第二絕緣層下端固設(shè)有一第三引腳，所述第一引腳與所述導(dǎo)電溝道的D極電連接，所述第二引腳與所述導(dǎo)電溝道的S極電連接，所述第三引腳與所述導(dǎo)電溝道的G極電連接。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電溝道為三個。

具體地，所述硅襯底為P型硅襯底。

具體地，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層分別為二氧化硅絕緣層。

本實用新型提供的一種N溝道絕緣柵場效應(yīng)管，在第一絕緣層上端固設(shè)有與導(dǎo)電溝道電連接的第一引腳，在硅襯底一側(cè)安裝有一與導(dǎo)電溝道電連接的第二引腳，在第二絕緣層下端固設(shè)有第三引腳，將第一引腳設(shè)于第一絕緣層的上端，將第二引腳設(shè)于硅襯底的一側(cè)，將第三引腳設(shè)于第二絕緣層下端，第一引腳、第二引腳和第三引腳與相連接的元器件焊接后，具有承載能力，不容易損壞，延長了產(chǎn)品的使用壽命。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型提供的N溝道絕緣柵場效應(yīng)管的示意圖。

圖2是圖1的右視圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。

如圖1和圖2所示，本實用新型實施例提供的一種N溝道絕緣柵場效應(yīng)管，包括一硅襯底1，硅襯底1內(nèi)設(shè)有多個導(dǎo)電溝道2，硅襯底1上端固設(shè)有一第一絕緣層3，第一絕緣層3上端固設(shè)有一第一引腳4，硅襯底1一側(cè)安裝有一與導(dǎo)電溝道2電連接的第二引腳5，硅襯底1下端固設(shè)有一第二絕緣層6，第二絕緣層6下端固設(shè)有一第三引腳7，第一引腳4與導(dǎo)電溝道2的D極(未示出)電連接，第二引腳5與導(dǎo)電溝道2的S極(未示出)電連接，第三引腳7與導(dǎo)電溝道2的G極(未示出)電連接。

具體地，本實施例中第一引腳4、第二引腳5和第三引腳7的橫截面為L型，此種結(jié)構(gòu)便于第一引腳4、第二引腳5和第三引腳7與相連接的元器件的同一側(cè)面焊接。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電溝道2為三個。

具體地，所述硅襯底1為P型硅襯底。

具體地，第一絕緣層3和第二絕緣層6分別為二氧化硅絕緣層。

本實用新型提供的一種N溝道絕緣柵場效應(yīng)管，在第一絕緣層2上端固設(shè)有與導(dǎo)電溝道2電連接的第一引腳4，在硅襯底1一側(cè)安裝有一與導(dǎo)電溝道2電連接的第二引腳5，在第二絕緣層6下端固設(shè)有第三引腳，將第一引腳4設(shè)于第一絕緣層2的上端，將第二引腳5設(shè)于硅襯底1的一側(cè)，將第三引腳7設(shè)于第二絕緣層6下端，第一引腳4、第二引腳5和第三引腳7與相連接的元器件焊接固定后，具有承載能力，不容易損壞，延長了產(chǎn)品的使用壽命。

以上所述是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本實用新型的保護范圍。