技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種GaN/AlGaN柵槽低損傷刻蝕的方法，包括如下步驟：提供一半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上形成GaN/AlGaN多層外延材料層，所述多層外延材料層依次包括緩沖層、多層外延層、帽層；在帽層表面形成刻蝕阻擋層，圖形化刻蝕阻擋層，使預(yù)設(shè)的多層外延材料層表面暴露出來形成凹槽；暴露出來的多層外延材料層的表面浸沒于含有HBr與He的刻蝕氣體中；將刻蝕氣體激發(fā)成等離子體，以刻蝕多層外延材料至指定深度形成柵槽。本發(fā)明采用HBr與He混合氣體作為刻蝕氣體，可減少刻蝕過程中的側(cè)向腐蝕，He作為惰性氣體，可避免引入Ar或N2而導(dǎo)致的材料表面性能改變，從而獲得清潔、平整、低損傷的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)圖形。

技術(shù)研發(fā)人員：李俊燾;周陽;代剛
受保護的技術(shù)使用者：中國工程物理研究院電子工程研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.24
技術(shù)公布日：2017.10.24