技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種圓形開(kāi)闔式盒型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，該圓形開(kāi)闔式盒型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，由半導(dǎo)體基體，及半導(dǎo)體基體刻蝕而成的溝槽電極和中央柱狀電極嵌套構(gòu)成，溝槽電極為圓柱形框中空電極，溝槽電極刻蝕成結(jié)構(gòu)相似且結(jié)構(gòu)上互為呼應(yīng)的幾瓣；溝槽電極的兩對(duì)側(cè)有斜紋狀實(shí)體縫隙，溝槽電極及中央柱狀電極為中空電極，經(jīng)刻蝕之后再進(jìn)行離子擴(kuò)散形成，所述圓形開(kāi)闔式盒型電極半導(dǎo)體探測(cè)器頂面的溝槽電極和中央柱狀電極上覆蓋有電極接觸層，頂面其他半導(dǎo)體部分覆蓋二氧化硅絕緣層，底面設(shè)置有二氧化硅襯底層。本發(fā)明消除死區(qū)，刻蝕工藝為貫穿刻蝕工藝，工作時(shí)，粒子可雙面入射，反應(yīng)更靈敏，探測(cè)效率更高。

技術(shù)研發(fā)人員：李正;劉曼文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘潭大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.21
技術(shù)公布日：2017.10.17