本發(fā)明屬于顯示器件加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示面板及其制備方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光顯示器(organiclightemittingdisplay，簡稱oled)是指有機半導體材料和發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復合導致發(fā)光的現(xiàn)象。oled具有主動發(fā)光、無視角問題、重量輕、厚度小、高亮度、高發(fā)光效率、響應(yīng)速度快、動態(tài)畫面質(zhì)量高、使用溫度范圍廣、可實現(xiàn)柔性顯示、工藝簡單、成本低、抗震能力強等的一系列優(yōu)點。

微型顯示器近年來開始發(fā)展，可應(yīng)用于頭戴式視頻播放器，頭戴式家庭影院、頭戴式虛擬現(xiàn)實模擬器、頭戴式游戲機、飛行員頭盔系統(tǒng)、單兵作戰(zhàn)系統(tǒng)、紅外夜視儀、頭戴醫(yī)用診斷系統(tǒng)等。目前，現(xiàn)有微型oled顯示器存在外界環(huán)境光在顯示器表面反射影響顯示的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種顯示面板及顯示面板的制備方法，可以很好地或者在一定程度上改善環(huán)境光的反射；另外，抗反層可以作為顯示面板的最外層結(jié)構(gòu)，因此，還可以對顯示面板起到保護的作用。

為解決上述問題之一，本發(fā)明提供了一種顯示面板，包括多個子像素；在顯示面板的出光側(cè)且與子像素對應(yīng)的位置處設(shè)置有相應(yīng)的抗反層；在每個所述子像素和相應(yīng)的抗反層之間設(shè)置有介質(zhì)層；所述抗反層的厚度滿足：第一光線和第二光線非同相；第一光線為環(huán)境光經(jīng)過抗反層外表面反射后的光線；第二光線為環(huán)境光依次經(jīng)過抗反層的外表面向介質(zhì)層內(nèi)折射、在抗反層和介質(zhì)層的界面反射、自介質(zhì)層向環(huán)境折射后射出抗反層的光線。

優(yōu)選地，所述抗反層的折射率小于所述介質(zhì)層的折射率但大于環(huán)境的折射率。

優(yōu)選地，所述抗反層的折射率n按照如下公式計算：

n²＝n1*n2，其中

n1為環(huán)境的折射率；

n2為介質(zhì)層的折射率。

優(yōu)選地，所述抗反層的厚度d按照如下公式計算：

nd＝(2k+1)λ/4，(k＝1,2,3,4……)

其中，n為抗反層的折射率；

λ為所述子像素發(fā)出的光信號的波長。

優(yōu)選地，所述介質(zhì)層為玻璃。

優(yōu)選地，所述抗反層采用的材料包括sio2和mgf2中的至少一種。

優(yōu)選地，在與所述子像素對應(yīng)的位置處且朝向顯示的一側(cè)設(shè)置有相應(yīng)顏色的涂層。

優(yōu)選地，在所述抗反層內(nèi)或所述介質(zhì)層內(nèi)填充有輔助顆粒；不同子像素發(fā)出的光信號的波長和輔助顆粒的直徑大小成正相關(guān)關(guān)系。

優(yōu)選地，所述輔助顆粒包括：ag顆粒、au顆粒和si顆粒中的至少一種。

優(yōu)選地，還包括：由單晶硅材料制成的基板以及在基板上制備的有源驅(qū)動電路；所述子像素為oled發(fā)光子像素；所述有源驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述oled發(fā)光子像素工作。

本發(fā)明還提供一種顯示面板的制備方法，包括以下步驟：

在顯示面板的出光側(cè)且與子像素對應(yīng)的位置處設(shè)置的相應(yīng)的介質(zhì)層和抗反層，介質(zhì)層位于子像素和抗反層之間；

所述抗反層的厚度滿足：第一光線和第二光線非同相；

第一光線為環(huán)境光經(jīng)過抗反層外表面反射后的光線；

第二光線為環(huán)境光依次經(jīng)過抗反層的外表面向介質(zhì)層內(nèi)折射、在抗反層和介質(zhì)層的界面反射、自介質(zhì)層向環(huán)境折射后射出抗反層的光線。

優(yōu)選地，所述抗反層的折射率小于所述介質(zhì)層的折射率但大于環(huán)境的折射率。

優(yōu)選地，所述抗反層的折射率n按照如下公式計算：

n²＝n1*n2，其中

n1為環(huán)境的折射率；

n2為介質(zhì)層的折射率。

優(yōu)選地，所述抗反層的厚度d按照如下公式計算：

nd＝(2k+1)λ/4，(k＝1,2,3,4……)

其中，n為抗反層的折射率；

λ為所述子像素發(fā)出的光信號的波長。

優(yōu)選地，還包括以下步驟：

在與所述子像素對應(yīng)的位置處且朝向顯示的一側(cè)設(shè)置有相應(yīng)顏色的涂層。

優(yōu)選地，還包括以下步驟：

在所述抗反層內(nèi)或所述介質(zhì)層內(nèi)填充有輔助顆粒；

不同子像素發(fā)出的光信號的波長和輔助顆粒的直徑大小成正相關(guān)關(guān)系。

優(yōu)選地，還包括以下步驟：

提供一由單晶硅材料形成的基板；

在基板上采用cmos工藝制備有源驅(qū)動電路；

在有源驅(qū)動電路上制備所述子像素，并驅(qū)動所述子像素工作，所述子像素為oled子像素。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明中，由于第一光線和第二光線的相位與抗反層的厚度相關(guān)，因此，設(shè)置抗反層的厚度使得第一光線和第二光線反相，可以很好地使第一光線和第二光線干涉相消，從而可以改善環(huán)境光的反射；還有，設(shè)置抗反層的厚度使得第一光線和第二光線的相位差在0～π之間，可以在一定程度使第一光線和第二光線干涉相消，從而可以在一定程度上改善環(huán)境光的反射；另外，抗反層可以作為顯示面板的最外層結(jié)構(gòu)，因此，還可以對顯示面板起到保護的作用。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的光線反射圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)簡圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的一種具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的另一種具體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的顯示面板及顯示面板的制備方法進行詳細描述。

實施例1

圖1為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)簡圖，請參閱圖1，其本實施例提供的顯示面板包括多個子像素，例如，圖1中的紅色子像素r、藍色子像素b和綠色子像素g，在每個子像素的出光側(cè)設(shè)置有相應(yīng)的抗反層，如圖1中的抗反層10-12；在每個子像素和相應(yīng)的抗反層之間設(shè)置有介質(zhì)層，如圖1中的介質(zhì)層20-22。

其中，以子像素r為例，綠色子像素g和藍色子像素b相類似，抗反層10的厚度滿足：第一光線和第二光線非同相；第一光線為環(huán)境光經(jīng)過抗反層外表面(圖1中的上表面)反射后的光線；第二光線為環(huán)境光依次經(jīng)過抗反層的外表面的向介質(zhì)層內(nèi)折射、在抗反層和介質(zhì)層的界面反射、自介質(zhì)層向環(huán)境折射后射出抗反層的光線(具體如圖1所示)，所謂非同相包括反相(相位差為π)以及同相和反相之間的多種情形(即，相位差在0～π之間，不包括0、π)。

本發(fā)明中，由于第一光線和第二光線的相位與抗反層的厚度相關(guān)，因此，設(shè)置抗反層的厚度使得第一光線和第二光線反相，可以很好地使第一光線和第二光線干涉相消，從而可以改善環(huán)境光的反射；還有，設(shè)置抗反層的厚度使得第一光線和第二光線的相位差在0～π之間，可以在一定程度使第一光線和第二光線干涉相消，從而可以在一定程度上改善環(huán)境光的反射；另外，抗反層可以作為顯示面板的最外層結(jié)構(gòu)，因此，還可以對顯示面板起到保護的作用。

需要在此說明的是，在此僅考慮第一光線和第二光線，不考慮第三光線，第三光線為環(huán)境光經(jīng)過抗反層的外表面向介質(zhì)層內(nèi)折射、自介質(zhì)層外環(huán)境折射的兩次折射、在抗反層的外表面發(fā)生一次反射、在抗反層和介質(zhì)層的界面兩次反射后的光線(如圖1中箭頭表示的第三光線的傳輸路徑)，這是因為此時的第三光線的強度很小，可以不作考慮。

優(yōu)選地，以紅色子像素r為例，綠色子像素g和藍色子像素b相類似，抗反層10的折射率小于介質(zhì)層20的折射率但大于環(huán)境的折射率(一般通常為1)，這樣，可以使得第一光線和第二光線的振幅接近，有利于第一光線和第二光線的干涉相消。

進一步優(yōu)選地，同樣地，以子像素r為例，抗反層的折射率n按照如下公式計算：n²＝n1*n2，其中，n1為環(huán)境的折射率；n2為介質(zhì)層的折射率。采用該公式計算出的折射率為n的抗反層10能夠使得第一光線和第二光線的振幅最接近，從而最有利于第一光線和第二光線的干涉相消。

另外進一步優(yōu)選地，為實現(xiàn)第一光線和第二光線反相，在抗反層10的折射率小于介質(zhì)層20的折射率但大于環(huán)境的折射率的情況下，抗反層的厚度d按照如下公式計算：nd＝(2k+1)λ/4，(k＝1,2,3,4……)其中，n為抗反層的折射率；λ為所述子像素發(fā)出的光信號的波長。

這原因在于：當環(huán)境光從光疏介質(zhì)射向光密介質(zhì)時，反射光由半波(π/2)損失，這樣第一光線在抗反層的外表面反射時還有半波損失，第二光線在抗反層和介質(zhì)層的交界面反射時也有半波損失，為了使得第一光線和第二光線反相，則就需要第一光線和第二光線相差半個波長，也即，第二光線傳播一個來回光程相對第一光線多傳播半個波長，即可設(shè)置如下公式：2nd＝kλ+(1/2)λ＝2(2k+1)(1/4)λ；nd表示第二光線在抗反層傳輸一趟的光程；2nd表示第二光線在抗反層傳輸一來回的光程，由此可得出nd＝(2k+1)λ/4，(k＝1,2,3,4……)。

需要在此說明的是，不同子像素的介質(zhì)層可以相同，不同子像素的抗反層的折射率也可以設(shè)置相同，由于不同子像素發(fā)出不同顏色的光，不同顏色的光信號的波長不同，故，不同子像素的厚度d不同，如圖2所示，由于紅色子像素r、綠色子像素g和藍色子像素b發(fā)出的紅光、綠光和藍光的波長關(guān)系為：紅光＞綠光＞藍光，因此，紅色子像素r、綠色子像素g和藍色子像素b的抗反層10-12的厚度d的關(guān)系為：d1＞d2＞d3。

另外，需要在此說明的是，k值可以根據(jù)實際工藝能夠達到的情況具體設(shè)置，k值取值越小，抗反層的厚度d也就越小，越有利于顯示面板的輕薄化。

在本實施例中，優(yōu)選地，介質(zhì)層20-22為玻璃，這樣，介質(zhì)層的折射率為1.5，采用玻璃作為介質(zhì)層，成本低且易制作。當然，在實際應(yīng)用中，介質(zhì)層20-22還可以采用其他能夠使子像素發(fā)出的光射出的透明材料制成，在此不一一列舉。

另外具體地，在介質(zhì)層為玻璃(折射率為1.5)的情況，抗反層選用折射率在1和1.5之間的材料，故，抗反層采用的材料包括sio2(折射率在1.3-1.4之間)和mgf2(折射率為1.38)中的至少一種。

在本實施例中，為避免不同子像素之間的串色和混色現(xiàn)象，在與子像素對應(yīng)的位置處且朝向顯示的一側(cè)設(shè)置有相應(yīng)顏色的涂層，例如，紅色子像素對應(yīng)設(shè)置紅色涂層，這樣可以僅允許紅色的光自涂層射出。具體地，并不限制涂層的具體設(shè)置位置，只要能夠保證子像素發(fā)出的光經(jīng)過相應(yīng)的涂層即可。

在實際應(yīng)用中，為避免不同子像素之間的串色和混色現(xiàn)象，還可以在抗反層內(nèi)或介質(zhì)層內(nèi)填充有輔助顆粒；不同子像素發(fā)出的光信號的波長和輔助顆粒的直徑大小成正相關(guān)關(guān)系，具體地，光的波長越大，設(shè)置輔助顆粒的直徑也就越大，因此，紅色子像素r、綠色子像素g和藍色子像素b的輔助顆粒的直徑大小的關(guān)系為：r＞g＞b。具體地，輔助顆粒包括但不限于：ag顆粒、au顆粒和si顆粒中的至少一種。

圖3為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的一種具體結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖3，該顯示面板為單晶硅作為有源驅(qū)動背板而制作的主動式有機發(fā)光二極管微顯示面板。具體地，該顯示面板包括：以單晶硅材料形成的基板30以及在基板上制備的有源驅(qū)動電路40；子像素為oled發(fā)光子像素；有源驅(qū)動電路用于驅(qū)動oled發(fā)光子像素工作。

每個oled發(fā)光子像素包括色阻塊1和自發(fā)光單元；色阻塊設(shè)置在自發(fā)光單元的朝向顯示的一側(cè)。自發(fā)光單元通常包括第一極2、第二極3以及位于第一極2和第二極3之間發(fā)光功能層4；通常，在色阻塊1和自發(fā)光單元之間還設(shè)置有封裝層5。

圖3所示的顯示面板為單晶硅作為有源驅(qū)動背板而制作的主動式有機發(fā)光二極管微顯示面板，由于單晶硅具有較高的遷移率，因此，可以獲得更高分辨率和更高系統(tǒng)集成度的微型顯示器，另外可采用已經(jīng)相當成熟cmos工藝，將驅(qū)動晶體管與子像素設(shè)計為立體結(jié)構(gòu)(如圖3所示)，以減小顯示器體積，增加發(fā)光開口率。

需要在此說明的是，在實際應(yīng)用中，如圖4所示，每個oled發(fā)光子像素包括第一極2、第二極3以及位于第一極2和第二極之間的發(fā)光功能層4，不同子像素的發(fā)光功能層4發(fā)不同顏色，并且在介質(zhì)層和第一極2之間設(shè)置有封裝層5，此時，這與圖3的區(qū)別在于無需設(shè)置色阻塊1。當然，在實際應(yīng)用中，本發(fā)明實施例提供的顯示面板還可以為液晶顯示面板，包括對盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板以及處于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。

實施例2

結(jié)合圖1-圖3，本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板的制備方法，包括以下步驟：

在顯示面板的出光側(cè)且與子像素對應(yīng)的位置處設(shè)置的相應(yīng)的介質(zhì)層和抗反層，介質(zhì)層位于子像素和抗反層之間，如圖1中介質(zhì)層20位于紅色子像素r和抗反層10之間，介質(zhì)層21位于綠色子像素g和抗反層11之間；介質(zhì)層22位于藍色子像素b和抗反層12之間。

每個抗反層的厚度滿足：第一光線和第二光線非同相；第一光線為環(huán)境光經(jīng)過抗反層外表面反射的光線；第二光線為環(huán)境光依次經(jīng)過抗反層的外表面的向介質(zhì)層內(nèi)折射、在抗反層和介質(zhì)層的界面反射、自介質(zhì)層向環(huán)境折射后射出抗反層的光線。

由于本實施例提供的制備方法與實施例1提供的顯示面板的工作原理相同，而在實施例1中已經(jīng)對工作原理進行了詳細地描述在此不再贅述(下文中也同樣針對于實施例1相同的技術(shù)特征的原理和效果不再贅述)。

優(yōu)選地，抗反層的折射率小于介質(zhì)層的折射率但大于環(huán)境的折射率。

優(yōu)選地，所述抗反層的折射率n按照如下公式計算：n²＝n1*n2，其中n1為環(huán)境的折射率；n2為介質(zhì)層的折射率。

優(yōu)選地，所述抗反層的厚度d按照如下公式計算：nd＝(2k+1)λ/4，(k＝1,2,3,4……)其中，n為抗反層的折射率；λ為所述子像素發(fā)出的光信號的波長。

優(yōu)選地，所述介質(zhì)層為玻璃。

優(yōu)選地，所述抗反層采用的材料包括sio2和mgf2中的至少一種。

優(yōu)選地，還包括以下步驟：在與所述子像素對應(yīng)的位置處且朝向顯示的一側(cè)設(shè)置有相應(yīng)顏色的涂層。

優(yōu)選地，還包括以下步驟：在所述抗反層內(nèi)或所述介質(zhì)層內(nèi)填充有輔助顆粒；不同子像素發(fā)出的光信號的波長和輔助顆粒的直徑大小成正相關(guān)關(guān)系。

優(yōu)選地，所述輔助顆粒包括ag顆粒、au顆粒和si顆粒中的至少一種。

優(yōu)選地，還包括以下步驟：

提供一由單晶硅材料形成的基板；

在基板上采用cmos工藝制備有源驅(qū)動電路；

在有源驅(qū)動電路上制備子像素，并驅(qū)動子像素工作，子像素為oled子像素。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。