本發(fā)明涉及半導體良率提升技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種偵測系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之集成電路產(chǎn)品。

在晶圓上進行銅電鍍時，整片晶圓都被鍍上了一層銅膜。為了防止在隨后的化學機械研磨工藝時，晶圓邊緣的銅膜不容易磨掉甚至發(fā)生銅膜脫落，所以一定要對晶圓邊緣的銅膜進行清洗腐蝕掉。不同的產(chǎn)品需要洗掉的銅膜的寬度也不一樣。當傳輸清洗液的管子發(fā)生扭折甚至磨損破裂時，硅片邊緣就會清洗的不充分。有的時候管子斷了，就會發(fā)生晶圓完全沒有洗邊的事故。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述問題，本發(fā)明提出了一種偵測系統(tǒng)，其中，應用于偵測晶圓的洗邊情況，包括：

晶圓機臺，包括一傳送臺和一監(jiān)控設備；

成像儀支架，與所述傳送臺連接固定；

多臺成像儀，固定于所述成像儀支架上并離散設置于所述傳送臺的晶圓放置區(qū)邊緣，用于采集所述晶圓機臺上的晶圓的邊緣圖像；

每臺所述成像儀的采集點與所述晶圓放置區(qū)邊緣的距離不同；

所述監(jiān)控設備分別與每臺所述成像儀連接，用于接收每臺所述監(jiān)控設備采集的所述邊緣圖像，并根據(jù)所述邊緣圖像判斷所述晶圓的洗邊情況。

上述的偵測系統(tǒng)，其中，所述成像儀至少有三臺。

上述的偵測系統(tǒng)，其中，每兩個相鄰的成像儀的所述采集點與晶圓放置區(qū)中心的連線所成的夾角均相同。

上述的偵測系統(tǒng)，其中，每臺所述成像儀的所述采集點與所述晶圓放置區(qū)邊緣的距離呈一等差數(shù)列。

上述的偵測系統(tǒng)，其中，所述等差數(shù)列的公差為0.3～0.7mm。

上述的偵測系統(tǒng)，其中，所述等差數(shù)列的公差為0.5mm。

上述的偵測系統(tǒng)，其中，每臺所述成像儀均通過rs232通訊線與所述監(jiān)控設備進行通訊。

上述的偵測系統(tǒng)，其中，所述監(jiān)控設備針對每臺所述成像儀的所述邊緣圖像生成一洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)；

所述洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)包括一第一狀態(tài)和一第二狀態(tài)；

所述監(jiān)控設備于所述洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)為所述第一狀態(tài)時進行報警，于所述洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)為所述第二狀態(tài)時不進行報警。

上述的偵測系統(tǒng)，其中，所述監(jiān)控設備針對每臺所述成像儀的所述邊緣圖像分別生成對應的判斷結(jié)果數(shù)據(jù)；

所述判斷結(jié)果數(shù)據(jù)包括一第三狀態(tài)和一第四狀態(tài)；

所述監(jiān)控設備于所有所述判斷結(jié)果數(shù)據(jù)均為所述第三狀態(tài)時，生成具有所述第一狀態(tài)的所述洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)；

所述監(jiān)控設備于任一所述判斷結(jié)果數(shù)據(jù)為所述第四狀態(tài)時，生成具有所述第二狀態(tài)的所述洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)。

有益效果：本發(fā)明中的偵測系統(tǒng)能夠?qū)A的洗邊情況進行檢測，能夠應對晶圓發(fā)生扭折、破裂、斷開以及晶圓半面以上的部分未清洗的情況。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例中偵測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例中圖像分析的示意圖；

圖3為本發(fā)明一實施例中采集點相對晶圓放置區(qū)邊緣的分布圖；

圖4為本發(fā)明一實施例中采集點相對晶圓放置區(qū)邊緣的分布圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進行進一步說明。

在一個較佳的實施例中，如圖1所示，提出了一種偵測系統(tǒng)，其中，可以應用于偵測晶圓的洗邊情況，包括：

晶圓機臺10，包括一傳送臺11和一監(jiān)控設備12；

成像儀支架20，與傳送臺11連接固定；

多臺成像儀30，固定于成像儀支架20上并離散設置于傳送臺11的晶圓放置區(qū)邊緣(虛線)，用于采集晶圓機臺上的晶圓的邊緣圖像；

每臺成像儀30的采集點與晶圓放置區(qū)邊緣的距離不同；

監(jiān)控設備12分別與每臺成像儀30連接，用于接收每臺監(jiān)控設備12采集的邊緣圖像，并根據(jù)邊緣圖像判斷晶圓的洗邊情況。

上述技術(shù)方案中，監(jiān)控設備12應具有基于圖像進行分析、計算和判斷的能力，具體的分析過程可以以圖2所示為例，由于晶圓清洗后的表面與未清洗的表面在形成的圖像上存在差異，成像儀30能夠在圖像上識別晶圓洗邊的分界線，當該成像儀30的采集點處的晶圓表面經(jīng)過清洗，則圖像上的該采集點處應為經(jīng)過清洗后的圖像，根據(jù)該成像儀30的采集點距離晶圓放置區(qū)邊緣(虛線)的距離，可以判斷該點是否滿足此次清洗的要求，例如需要清洗1.8mm時，采集點距離晶圓放置區(qū)邊緣1.5mm的成像儀30在圖像上的該點應受到清洗才能合格。

在一個較佳的實施例中，成像儀30至少有三臺。

上述技術(shù)方案中，成像儀30的數(shù)量越多則能夠監(jiān)控更大的區(qū)域。

上述實施例中，優(yōu)選地，如圖3所示，每兩個相鄰的成像儀30的采集點n與晶圓放置區(qū)中心的連線所成的夾角均相同，這樣盡量均勻地布置成像儀能夠減少該偵測系統(tǒng)的監(jiān)控盲區(qū)，以提高監(jiān)控的準確性。

上述實施例中，優(yōu)選地，每臺成像儀30的采集點與晶圓放置區(qū)邊緣的距離呈一等差數(shù)列。

上述技術(shù)方案中，如圖4所示，以成像儀30的數(shù)量為三臺為例，它們的采集點n與晶圓放置區(qū)邊緣的距離可以分別為1mm，1.5mm，2mm，即l1為1mm，l2為1.5mm，l3為2mm，以適應不同的清洗距離的要求；但這只是一種優(yōu)選的情況，不應視為是對本發(fā)明的限制。

上述實施例中，優(yōu)選地，等差數(shù)列的公差可以為0.3～0.7mm，例如為0.3mm，或0.5mm，或0.6mm，或0.7mm等。

上述實施例中，優(yōu)選地，等差數(shù)列的公差為0.5mm。

上述實施例中，優(yōu)選地，每臺成像儀30均通過rs232通訊線與監(jiān)控設備12進行通訊。

在一個較佳的實施例中，監(jiān)控設備12針對每臺成像儀30的邊緣圖像生成一洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)；

洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)包括一第一狀態(tài)和一第二狀態(tài)；

監(jiān)控設備12于洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)為第一狀態(tài)時進行報警，于洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)為第二狀態(tài)時不進行報警。

上述技術(shù)方案中，第一狀態(tài)和第二狀態(tài)的表示方式可以是二進制的，例如第一狀態(tài)為1，第二狀態(tài)為0，但這只是一種優(yōu)選的情況，不應視為是對本發(fā)明的限制。

上述實施例中，優(yōu)選地，監(jiān)控設備12針對每臺成像儀的邊緣圖像分別生成對應的判斷結(jié)果數(shù)據(jù)；

判斷結(jié)果數(shù)據(jù)包括一第三狀態(tài)和一第四狀態(tài)；

監(jiān)控設備12于所有判斷結(jié)果數(shù)據(jù)均為第三狀態(tài)時，生成具有第一狀態(tài)的洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)；

監(jiān)控設備12于任一判斷結(jié)果數(shù)據(jù)為第四狀態(tài)時，生成具有第二狀態(tài)的洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)。

上述技術(shù)方案中，第三狀態(tài)和第四狀態(tài)的表示方式可以是二進制的，例如第三狀態(tài)為1，第四狀態(tài)為0，但這只是一種優(yōu)選的情況，不應視為是對本發(fā)明的限制。

通過說明和附圖，給出了具體實施方式的特定結(jié)構(gòu)的典型實施例，基于本發(fā)明精神，還可作其他的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。

對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應看作是涵蓋本發(fā)明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價的范圍與內(nèi)容，都應認為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。