本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，且特別涉及一種改善cis器件白像素點(diǎn)的iso版圖結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

伴隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展，人們對智能終端的需求愈來愈龐大，而有著智能終端“眼睛”之稱的圖像傳感器也迎來了前所未有的發(fā)展空間。傳統(tǒng)的ccd圖像傳感器由于其功耗較大，市場局限在高性能的數(shù)碼相機(jī)中；cmos圖像傳感器不僅功耗低，速率快，而且易于與現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝相兼容，生產(chǎn)成本較低，這使得cmos圖像傳感器占據(jù)了圖像傳感器市場的半壁江山。

未來cmos圖像傳感器發(fā)展的方向是高像素、低功耗、高像質(zhì)。高像素和低功耗要求像素尺寸不斷地縮小，然而隨著像素尺寸的不斷縮小，像素的質(zhì)量卻急劇下降，特別是量子效率和噪聲。量子效率是指光電二極管將光子轉(zhuǎn)變成為光生載流子的能力，它與光電二極管的結(jié)構(gòu)密切相光，可以通過調(diào)整光電二極管的深度來彌補(bǔ)小尺寸像素量子效率低的問題。但是噪聲的降低卻非常的困難。表征像素噪聲的一個重要參數(shù)是暗光下的白像素個數(shù)，白像素是指那些亮度相對于周圍像素亮度異常偏高的像素點(diǎn)，暗光下白像素個數(shù)越多圖像的質(zhì)量就越差。

白像素主要來自于光電二極管中的金屬污染或晶格缺陷。工藝上降低cmos圖像傳感器白像素的主要方法是控制工藝過程中金屬污染和晶格缺陷的引入，例如機(jī)臺端的作業(yè)部件盡量選用不含金屬元素的材質(zhì)，晶圓盡量選用帶外延層的硅片，等等。雖然這些措施能夠減少白像素的個數(shù)，但是工藝過程控制非常困難，因?yàn)楹艿偷慕饘匐x子污染濃度就能夠引起白像素的急劇升高。

在制作55納米u(yù)ts圖像傳感器工藝中，iso層隔離效果對器件的性能影響很大。特別是無sti工藝，若iso結(jié)構(gòu)設(shè)計不合理，可能會導(dǎo)致器件間更容易產(chǎn)生漏電，造成較為嚴(yán)重的白像素。請參考圖1，圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中iso結(jié)構(gòu)示意圖，一般的iso工藝是2個手指結(jié)構(gòu)10，主要用于隔絕同一組4個多晶硅發(fā)射極(txpoly)20的左右兩個，隔離效果有限。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出一種改善cis器件白像素點(diǎn)的iso版圖結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)一步減少漏電，改善白像素性能。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種改善cis器件白像素點(diǎn)的iso版圖結(jié)構(gòu)，包括：

四手指結(jié)構(gòu)，對左右上下四個多晶硅發(fā)射極進(jìn)行隔離；

四個發(fā)射極組間隔離，分別連接于所述四手指結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述四手指結(jié)構(gòu)和四個發(fā)射極組間隔離采用電介質(zhì)材料制成。

進(jìn)一步的，所述四手指結(jié)構(gòu)和四個發(fā)射極組間隔離采用氧化硅材料制成。

進(jìn)一步的，所述四手指結(jié)構(gòu)和四個發(fā)射極組間隔離結(jié)構(gòu)采用b元素離子注入，其注入能量在10k～25kev。

進(jìn)一步的，所述四手指結(jié)構(gòu)和四個發(fā)射極組間隔離結(jié)構(gòu)的厚度為200nm。

進(jìn)一步的，所述多晶硅發(fā)射極結(jié)構(gòu)的間距為120nm。

本發(fā)明提出的改善cis器件白像素點(diǎn)的iso版圖結(jié)構(gòu)，針對iso2個手指結(jié)構(gòu)隔離效果有限而可能影響白像素的問題，采用四手指結(jié)構(gòu)用于隔離左右上下四個多晶硅發(fā)射極，同時增加四個發(fā)射極組間隔離，以進(jìn)一步減少漏電，改善白像素性能。

附圖說明

圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中iso結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的改善cis器件白像素點(diǎn)的iso版圖結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖給出本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于以下的實(shí)施方式。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

請參考圖2，圖2所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的改善cis器件白像素點(diǎn)的iso版圖結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明提出一種改善cis器件白像素點(diǎn)的iso版圖結(jié)構(gòu)，包括：

四手指結(jié)構(gòu)100，對左右上下四個多晶硅發(fā)射極300進(jìn)行隔離；

四個發(fā)射極組間隔離200，分別連接于所述四手指結(jié)構(gòu)100。

根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例，所述四手指結(jié)構(gòu)100和四個發(fā)射極組間隔離200采用電介質(zhì)材料制成。進(jìn)一步的，所述四手指結(jié)構(gòu)100和四個發(fā)射極組間隔離200采用氧化硅材料制成。

所述四手指結(jié)構(gòu)100和四個發(fā)射極組間隔離結(jié)構(gòu)200采用b元素離子注入，其注入能量在10k～25kev。

所述四手指結(jié)構(gòu)100和四個發(fā)射極組間隔離結(jié)構(gòu)200的厚度為200nm。

進(jìn)一步的，所述多晶硅發(fā)射極結(jié)構(gòu)的間距為120nm。

綜上所述，本發(fā)明提出的改善cis器件白像素點(diǎn)的iso版圖結(jié)構(gòu)，針對iso2個手指結(jié)構(gòu)隔離效果有限而可能影響白像素的問題，采用四手指結(jié)構(gòu)用于隔離左右上下四個多晶硅發(fā)射極，同時增加四個發(fā)射極組間隔離，以進(jìn)一步減少漏電，改善白像素性能。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出一種改善CIS器件白像素點(diǎn)的ISO版圖結(jié)構(gòu)，包括：四手指結(jié)構(gòu)，對左右上下四個多晶硅發(fā)射極進(jìn)行隔離；四個發(fā)射極組間隔離，分別連接于所述四手指結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提出的改善CIS器件白像素點(diǎn)的ISO版圖結(jié)構(gòu)，針對ISO?2個手指結(jié)構(gòu)隔離效果有限而可能影響白像素的問題，采用四手指結(jié)構(gòu)用于隔離左右上下四個多晶硅發(fā)射極，同時增加四個發(fā)射極組間隔離，以進(jìn)一步減少漏電，改善白像素性能。

技術(shù)研發(fā)人員：孫賽;蒲甜松;曹亞民
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.26
技術(shù)公布日：2017.09.22