技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導體結(jié)構(gòu)、自支撐氮化鎵層及其制備方法，所述半導體結(jié)構(gòu)的制備方法包括如下步驟：1）提供襯底；2）于所述襯底的上表面形成超晶格結(jié)構(gòu)分解層，所述超晶格結(jié)構(gòu)分解層中至少包括鎵元素；3）于步驟2）得到的結(jié)構(gòu)的上表面形成圖形化掩膜層；4）將步驟3）得到的結(jié)構(gòu)進行處理，使所述超晶格結(jié)構(gòu)分解層分解重構(gòu)以得到分解重構(gòu)疊層；5）于步驟4）得到的結(jié)構(gòu)的上表面形成緩沖層。本發(fā)明制備的半導體結(jié)構(gòu)在用于氮化鎵生長時，分解重構(gòu)疊層中的氮化鎵晶種層可以為后續(xù)氮化鎵的生長提供晶種，而重構(gòu)分解層內(nèi)部的孔洞不僅有利于后續(xù)生長的氮化鎵的自剝離，還可以減少后續(xù)生長的氮化鎵晶格間的應力，可以提高氮化鎵的生長質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：羅曉菊;王穎慧
受保護的技術(shù)使用者：鎵特半導體科技（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.26
技術(shù)公布日：2017.11.03