技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種即使在無島構(gòu)造的霍爾傳感器中使GaAs霍爾元件小型化和薄型化的情況下也能夠防止漏電流的增大的霍爾傳感器。具備：GaAs霍爾元件(10)，其具備設(shè)置在GaAs襯底(11)上的感磁部(12)、電極部(13a～13d)、以及設(shè)置在GaAs襯底的與設(shè)置有電極的面相反一側(cè)的面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)層(40)；引線端子(22～25)，其配置在GaAs霍爾元件的周圍；金屬細(xì)線(31～34)，其將電極與引線端子分別電連接；以及模制構(gòu)件(50)，其對(duì)上述部件進(jìn)行模制。保護(hù)層和引線端子的第一面(即同與金屬細(xì)線連接的面相反一側(cè)的面)從模制構(gòu)件(50)的同一面露出。GaAs襯底的電阻率為5.0×107Ω·cm以上。

技術(shù)研發(fā)人員：福中敏昭;笠松新
受保護(hù)的技術(shù)使用者：旭化成微電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.15
技術(shù)公布日：2017.09.22