技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種離子束的注入角度的校正方法。通過以不同的注入角度向待注入的襯底部中注入離子束，離子束的注入方向在第一平面或者平行于第一平面的平面內(nèi)，以及在第二平面或者平行于第二平面的平面內(nèi)，且每個(gè)襯底部中僅注入一次離子束。之后獲取襯底部的晶格損傷度。再以不同的離子束的注入角度和襯底部的晶格損傷度擬合得到第一二次曲線和第二二次曲線。再根據(jù)第一二次曲線的頂點(diǎn)標(biāo)示的離子束的注入角度和第二二次曲線的頂點(diǎn)標(biāo)示的離子束的注入角度調(diào)整離子束的注入方向。實(shí)現(xiàn)了在相互垂直的平面中分別檢測離子束的注入角度的偏差，并調(diào)整所述偏差，提高了離子束的注入角度校正的準(zhǔn)確性，同時(shí)便于調(diào)整離子束的注入角度。

技術(shù)研發(fā)人員：袁立軍;賴朝榮;王智
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.14
技術(shù)公布日：2017.10.13