本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體地，涉及陣列基板、制備方法、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器等顯示裝置被越來(lái)越廣泛的運(yùn)用于各類(lèi)電子設(shè)備中。與此同時(shí)，用戶(hù)對(duì)于顯示裝置的性能，例如，顯示器件的分辨率以及對(duì)比度等參數(shù)的要求也逐漸提高。為滿(mǎn)足上述要求，進(jìn)一步提高顯示裝置的性能，低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)被越來(lái)越多的應(yīng)用于顯示面板中。低溫多晶硅是一種具有高遷移率的半導(dǎo)體材料，利用其制備薄膜晶體管液晶顯示屏(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，tft-lcd)的陣列基板，例如，形成陣列基板中薄膜晶管的有源層，可以降低薄膜晶體管的響應(yīng)時(shí)間、降低陣列基板以及顯示面板的能耗并且提高顯示裝置的分辨率以及對(duì)比度。

然而，目前的陣列基板、制備方法、顯示面板以及顯示裝置，仍有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是基于發(fā)明人對(duì)于以下事實(shí)和問(wèn)題的發(fā)現(xiàn)和認(rèn)識(shí)作出的：

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，目前利用ltps為有源層材料的液晶顯示器件，普遍存在陣列基板對(duì)于液晶層的控制能力不佳的問(wèn)題。發(fā)明人經(jīng)過(guò)深入研究以及大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，這主要是由于低溫多晶硅材料的光敏感性較高，在背光穿過(guò)低溫多晶硅形成的有源層時(shí)，低溫多晶硅材料容易產(chǎn)生光生電子，進(jìn)而影響ltps的tft特性，造成閾值電壓(vth)不穩(wěn)定以及關(guān)態(tài)電流(ioff)增加，器件的開(kāi)關(guān)比下降。為了解決這一問(wèn)題，目前采用ltps為有源層時(shí)，普遍需要在ltps底層制作一層遮光層，防止有源層在背光的照射下產(chǎn)光生電流。目前的遮光層普遍采用金屬材料或硅。然而，采用硅形成遮光層時(shí)，因硅材料的特性，導(dǎo)致仍有30～70％左右的高波長(zhǎng)可見(jiàn)光(紅光、綠光)可以透過(guò)，從而造成ltps光生電子的產(chǎn)生。而采用金屬材料制備遮光層時(shí)，雖然可以獲得較好的遮光性能，然而金屬材料容易導(dǎo)致遮光層處發(fā)生電荷累積，影響該陣列基板的電學(xué)性能。因此，如果可以在不影響陣列基板自身電學(xué)性能的前提下，提高遮光層的遮光效果，將大幅提高基于ltps的顯示器件的顯示性能。

本發(fā)明旨在至少一定程度上緩解或解決上述提及問(wèn)題中至少一個(gè)。

有鑒于此，在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板，該陣列基板包括：襯底；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在所述襯底上，所述薄膜晶體管包括：遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述襯底上，所述遮光層的材料包括摻雜ge的非晶硅；第一緩沖層，所述第一緩沖層設(shè)置在所述遮光層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；有源層，所述有源層設(shè)置在所述第一緩沖層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)。由此，可以避免在光照時(shí)產(chǎn)生光生漏電流，進(jìn)而可以提高該陣列基板的功能。摻雜ge的非晶硅對(duì)背光的紅外部分吸收變強(qiáng)，從而增強(qiáng)遮光層的遮光能力，進(jìn)而可以進(jìn)一步提高顯示裝置的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述有源層包括低溫多晶硅。由此，可以進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該陣列基板進(jìn)一步包括：源極和漏極，所述源極和所述漏極設(shè)置在所述有源層遠(yuǎn)離所述第一緩沖層的一側(cè)，所述源極以及所述漏極分別設(shè)置在溝道區(qū)的兩側(cè)；柵極，所述柵極設(shè)置在所述有源層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)，且所述柵極設(shè)置在所述溝道區(qū)遠(yuǎn)離所述第一緩沖層的一側(cè)。由此，可以進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基于所述遮光層的總質(zhì)量，ge的含量為0.5-5wt％。由此，可以進(jìn)一步提高該遮光層的遮光的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該陣列基板進(jìn)一步包括：第二緩沖層，所述第二緩沖層設(shè)置在所述襯底以及所述薄膜晶體管之間。由此，可以進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

在本發(fā)明的另一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種顯示面板，該顯示面板包括前面所述的陣列基板。由此，該顯示面板具有前面所述的陣列基板所具有的全部特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種顯示裝置，該顯示裝置包括前面所述的顯示面板。由此，該顯示裝置具有前面所述的顯示面板所具有的全部特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種制備陣列基板的方法，該方法包括：在襯底上設(shè)置薄膜晶體管，所述薄膜晶體管是通過(guò)以下步驟設(shè)置的：在所述襯底上設(shè)置遮光層，所述遮光層材料包括摻雜ge的非晶硅；在所述遮光層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)設(shè)置第一緩沖層；在所述第一緩沖層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)設(shè)置有源層。該方法操作簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低廉，且獲得的陣列基板的薄膜晶體管可以避免在背光照射下產(chǎn)生光生漏電流，從而可以提高該陣列基板的功能。摻雜ge的非晶硅對(duì)背光的紅外部分吸收變強(qiáng)，從而可以進(jìn)一步增強(qiáng)遮光層的遮光能力，進(jìn)而可以進(jìn)一步提高該顯示裝置的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述有源層包括低溫多晶硅，所述有源層是通過(guò)以下步驟形成的：通過(guò)化學(xué)氣相沉積，形成非晶硅層；對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行激光退火處理，以便形成所述有源層。由此，可以簡(jiǎn)便地獲得有源層，進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基于所述遮光層的總質(zhì)量，ge的含量為0.5-5wt％。ge摻雜的非晶硅對(duì)背光的紅外部分吸收變強(qiáng)，從而可以進(jìn)一步增強(qiáng)遮光層的遮光能力，進(jìn)而可以進(jìn)一步提高該顯示裝置的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在設(shè)置所述薄膜晶體管之前，進(jìn)一步包括：在所述襯底上設(shè)置第二緩沖層。由此，可以簡(jiǎn)便地獲得第二緩沖層，進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：通過(guò)化學(xué)氣相沉積，在所述襯底上依次形成第二緩沖層、ge摻雜非晶硅層、氧化硅層以及非晶硅層；對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行激光退火處理，以便將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層；對(duì)所述ge摻雜非晶硅層、所述氧化硅層以及所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕處理，以便形成所述遮光層、第一緩沖層和所述有源層，其中，所述ge摻雜非晶硅層是通過(guò)在所述化學(xué)氣相沉積過(guò)程中，添加ge源氣體而形成的。由此，可以在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的同時(shí)，將ge摻雜進(jìn)入非晶硅層，從而可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化該方法的操作步驟。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：通過(guò)化學(xué)氣相沉積，在所述襯底上依次形成第二緩沖層、第一非晶硅層、氧化硅層以及第二非晶硅層；對(duì)所述第一非晶硅層進(jìn)行離子注入處理，以便形成ge摻雜非晶硅層；對(duì)所述第二非晶硅層進(jìn)行激光退火處理，以便形成多晶硅層；對(duì)所述ge摻雜非晶硅層、所述氧化硅層以及所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕處理，以便形成所述遮光層、第一緩沖層和所述有源層。在形成非晶硅層后再進(jìn)行離子注入實(shí)現(xiàn)ge的摻雜，可以使得摻雜的ge更加均勻，從而可以進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法進(jìn)一步包括：在所述有源層遠(yuǎn)離所述第一緩沖層的一側(cè)設(shè)置源極和漏極，所述源極和所述漏極分別設(shè)置在溝道區(qū)的兩側(cè)；以及在所述有源層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)設(shè)置柵極，所述柵極設(shè)置在所述溝道區(qū)遠(yuǎn)離所述第一緩沖層的一側(cè)。由此，可以進(jìn)一步提高利用該方法制備的陣列基板的性能。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例陣的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例陣的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例陣的制備陣列基板的方法的部分流程示意圖；

圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例陣的制備陣列基板的方法的流程示意圖；

圖7a以及圖7b顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例陣的制備陣列基板的方法的流程示意圖；以及

圖8顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例陣的制備陣列基板的方法的部分流程示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

100：襯底；200：薄膜晶體管；210：遮光層；211：ge摻雜非晶硅層；212：第一非晶硅層；220：有源層；221：非晶硅層；222：多晶硅層；223：第二非晶硅層；230：柵極；241：源極；242：漏極；250：第一緩沖層；251：氧化硅層；300：第二緩沖層；400：柵絕緣層；500：層間介質(zhì)層；1000：顯示面板；1100：顯示裝置。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板，參考圖1，該陣列基板包括：襯底100、薄膜晶體管200。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，薄膜晶體管200設(shè)置在襯底100上。上述的薄膜晶體管包括：遮光層210、第一緩沖層250、有源層220。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，遮光層210設(shè)置在襯底100上，遮光層210的材料包括摻雜ge(ge指的是金屬鍺)的非晶硅。第一緩沖層250設(shè)置在遮光層210遠(yuǎn)離襯底100的一側(cè)。有源層220設(shè)置在第一緩沖層250遠(yuǎn)離遮光層210的一側(cè)。由此，可以避免在光照時(shí)產(chǎn)生光生漏電流，進(jìn)而可以提高該陣列基板的功能。需要說(shuō)明的是，該薄膜晶體管200還可以進(jìn)一步包括源極、漏極以及柵極(圖中未示出)。在本發(fā)明中，柵極、源極和漏極的結(jié)構(gòu)的組成材料、具體形狀、厚度均不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)節(jié)。例如，參考圖2，該薄膜晶體管200可以為頂柵式薄膜晶體管。也即是說(shuō)，柵極230可以設(shè)置在該薄膜晶體管200的頂部，與有源層220中的溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)，源極241以及漏極242分別設(shè)置在溝道區(qū)的兩側(cè)。

下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，對(duì)該陣列基板的各個(gè)部件進(jìn)行詳細(xì)描述：

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成襯底100的具體材料不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇，只要該材料具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，可以為構(gòu)成該陣列基板的其他結(jié)構(gòu)提供足夠的支撐即可。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，構(gòu)成有源層220的材料不受特別限制，只要能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜晶體管的使用功能即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際使用的需求進(jìn)行設(shè)計(jì)。例如，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，有源層220可以是由多晶硅形成的。更具體地，可以采用低溫多晶硅形成有源層220。采用低溫多晶硅形成有源層220具有以下優(yōu)點(diǎn)的至少之一：低溫多晶硅具有較高的電子遷移率。低溫多晶硅技術(shù)在元件小型化、提高面板開(kāi)口率、提升畫(huà)面品質(zhì)與清晰度上具有顯著的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)的非晶硅材料形成的薄膜晶體管液晶顯示器(tft-lcd)相比，低溫多晶硅材料在制備薄膜晶體管時(shí)(采用低溫多晶硅形成有源層220)可以具有更快的反應(yīng)速度，從而有利于提高薄膜晶體管對(duì)于液晶分子的控制能力，并可以縮小薄膜電路的尺寸。綜上所述，采用低溫多晶硅形成有源層220，一方面可以使得形成的薄膜晶體管小型化，較小的薄膜電路有利于提高液晶顯示器的開(kāi)口率，因此在背光模塊輸出功率不變的前提下，可以獲得更好的顯示亮度以及更好的色彩輸出。另一方面也可以降低薄膜電路的功耗。由此，可以利用低溫多晶硅材料的優(yōu)異性能，進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，如前所述，由于多晶硅材料光敏感性較高，因此，當(dāng)采多晶硅形成有源層220時(shí)，需要設(shè)置遮光層210，以防止有源層220在背光照射下產(chǎn)生光生漏電流。特別是采用低溫多晶硅形成有源層220時(shí)，有源層220在光照下的光生漏電流為非晶硅形成的有源層的十至百倍。而本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，在液晶顯示裝置中，背光模組產(chǎn)生的光需要穿透陣列基板，照射至液晶層并發(fā)生偏轉(zhuǎn)，最終由彩膜基板一側(cè)射出，以便來(lái)實(shí)現(xiàn)顯示裝置的使用功能。因此，陣列基板的有源層220在使用過(guò)程中，必然會(huì)暴露在光照條件下。因此，如無(wú)法有效控制光生漏電流，則陣列基板無(wú)法有效控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)，進(jìn)而影響顯示。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過(guò)在襯底100以及有源層220之間設(shè)置遮光層210，可以使得背光模組產(chǎn)生的背光，首先穿透襯底100，照射至遮光層210上。由此，可以避免該陣列基板的有源層220在使用過(guò)程中暴露在背光環(huán)境中，從而緩解光生漏電流的產(chǎn)生。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，遮光層210可以是由非晶硅形成的。發(fā)明人經(jīng)過(guò)大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，與多晶硅相比，非晶硅對(duì)于光照的敏感程度大幅降低。也即是說(shuō)，在光照條件下，非晶硅材料不會(huì)產(chǎn)生光生載流子。并且，非晶硅材料對(duì)于可見(jiàn)光具有較好的吸收能力，因此可以用于形成根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的遮光層210。并且，采用非晶硅形成的遮光層210與采用金屬材料形成遮光層相比，非晶硅不會(huì)造成電荷的累積，從而可以更加廣泛的應(yīng)用于陣列基板上，而不必?fù)?dān)心會(huì)影響薄膜晶體管的電學(xué)性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了進(jìn)一步提高遮光層210的遮光效果，遮光層210可以是由ge摻雜的非晶硅形成的。發(fā)明人經(jīng)過(guò)深入研究發(fā)現(xiàn)，在非晶硅中摻雜ge原子后，可以提高對(duì)高波長(zhǎng)可見(jiàn)光(紅光、綠光)的吸收。由此，可以進(jìn)一步提高遮光層的遮光效果。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，雖然ge(4s²4p²)的價(jià)電子數(shù)與si(3s²3p²)的價(jià)電子數(shù)目相同，在非晶硅中摻雜進(jìn)ge之后，使ge占據(jù)多晶硅中si原子的位置，進(jìn)行替位式摻雜，但由于ge的電負(fù)性較si小，導(dǎo)致ge替代si位時(shí)導(dǎo)帶底向低能方向移動(dòng)，由于價(jià)帶頂位置不變(si決定)，所以禁帶寬度變小。當(dāng)ge替代si原子的數(shù)目增加時(shí)，導(dǎo)帶底位置逐漸由si的3p態(tài)電子決定轉(zhuǎn)變?yōu)間e的4p態(tài)電子決定。替代的數(shù)目越多，變化越明顯，禁帶寬度越小。在非晶硅中摻雜ge后，其吸收邊及吸收峰向低能方向移動(dòng)，即發(fā)生紅移，由此可以增強(qiáng)紅光區(qū)域的吸收。在另一方面，ge的原子半徑為0.152nm，大于si的晶格常數(shù)0.146nm，ge的摻雜使得晶胞的晶格常數(shù)及體積都有所增大；同時(shí)由于ge的電負(fù)性相對(duì)si較弱，在置換si原子后形成共價(jià)鍵時(shí)大部分電子局域在si原子上，使得晶格常數(shù)增大。所以，進(jìn)行g(shù)e摻雜后表面粗糙度增加，從而增強(qiáng)了光的散射，可以進(jìn)一步減少到達(dá)ltps有源層的光強(qiáng)。綜上所述，ge摻雜的非晶硅對(duì)背光的紅外部分吸收變強(qiáng)，增強(qiáng)了光的散射，從而增強(qiáng)遮光層的遮光能力，進(jìn)而可以進(jìn)一步提高顯示裝置的性能。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基于遮光層210的總質(zhì)量，ge的含量為0.5-5wt％。由此，可以進(jìn)一步提高該遮光層的遮光的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，遮光層210寬度大于上部有源層220的寬度。也即是說(shuō)，有源層220靠近遮光層220一側(cè)的表面，全部被遮光層210覆蓋。由此，可以提高遮光層210的遮光性能，進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)遮光層210由非晶硅形成，有源層220由多晶硅形成時(shí)，為了防止遮光層210以及有源層220直接接觸造成兩層結(jié)構(gòu)之間互相影響，需要在遮光層210以及有源層220之間設(shè)置一層緩沖結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以在遮光層210以及有源層220之間設(shè)置第一緩沖層250。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成第一緩沖層250的具體材料不受特別限制，只要可以防止遮光層210中的原子，進(jìn)入第一緩沖層250上的結(jié)構(gòu)(如有源層220)中即可，例如，第一緩沖層250可以為sio2。

需要說(shuō)明的是，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管200，除去具有前面描述的結(jié)構(gòu)之外，還可以具有諸如絕緣層、介質(zhì)層等結(jié)構(gòu)，以便實(shí)現(xiàn)電極(如柵極230、源極241和漏極242)和有源層220之間的絕緣，以及源極241和漏極242之間的絕緣。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，參考圖2，該陣列基板進(jìn)一步包括：第二緩沖層300。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，第二緩沖層300設(shè)置在襯底100以及薄膜晶體管200(如遮光層210)之間。由此，可以進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成第二緩沖層300的具體材料不受特別限制，只要可以防止下方的襯底中的原子，進(jìn)入第二緩沖層300上的結(jié)構(gòu)中即可，例如，可以為sinx。由此，可以避免襯底100(如玻璃)中的原子，進(jìn)入薄膜晶體管(如遮光層210)中，影響薄膜晶體管的電學(xué)性能。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，該陣列基板還可以進(jìn)一步包括柵絕緣層400以及層間介質(zhì)層500。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成柵絕緣層400以及層間介質(zhì)層500的具體材料不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要，選擇適當(dāng)?shù)牟牧闲纬蓶沤^緣層400以及層間介質(zhì)層500。例如，柵絕緣層400可以為sinx。層間介質(zhì)層500可以為sinx。

在本發(fā)明的另一個(gè)方面，參考圖3，本發(fā)明提出了一種顯示面板1000，該顯示面板1000包括前面的陣列基板。由此，該顯示面板1000具有前面描述的陣列基板所具有的全部特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述?？偟膩?lái)說(shuō)，該顯示面板具有陣列基板光生漏電流低，對(duì)液晶分子控制能力較好等優(yōu)點(diǎn)的至少之一。

在本發(fā)明的又一個(gè)方面，參考圖4，本發(fā)明提出了一種顯示裝置1100，該顯示裝置1100包括前面描述的顯示面板1000。由此，該顯示裝置1100具有前面描述的顯示面板1000所具有的全部特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述?？偟膩?lái)說(shuō)，該顯示裝置具有陣列基板光生漏電流低，對(duì)液晶分子控制能力較好等優(yōu)點(diǎn)的至少之一。

在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種制備陣列基板的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法制備的陣列基板，可以具有與前面描述的陣列基板相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：在襯底上設(shè)置薄膜晶體管。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，參考圖5，該薄膜晶體管可以是通過(guò)以下步驟設(shè)置的：

s100：設(shè)置遮光層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在襯底上設(shè)置遮光層，遮光層是由非晶硅形成的。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟中形成的遮光層，可以具有與前面描述的陣列基板中的遮光層相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)。為了進(jìn)一步提高該陣列基板的性能，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，遮光層可以是由ge摻雜的非晶硅形成的。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，ge摻雜的具體含量不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇。例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，基于所述遮光層的總質(zhì)量，ge的含量為0.5-5wt％。ge摻雜的非晶硅對(duì)背光的紅外部分吸收變強(qiáng)，從而可以進(jìn)一步增強(qiáng)遮光層的遮光能力，進(jìn)而可以進(jìn)一步提高該顯示裝置的性能。發(fā)明人經(jīng)過(guò)大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)遮光層中g(shù)e的含量過(guò)低時(shí)，無(wú)法有效改善非晶硅對(duì)于高波長(zhǎng)可見(jiàn)光的吸收；而當(dāng)ge摻雜量過(guò)高時(shí)，一方面會(huì)增加生產(chǎn)成本，另一方面，將顯著改變遮光層的電學(xué)、光學(xué)性能，從而對(duì)薄膜晶體管的電學(xué)性能造成負(fù)面影響。

為了進(jìn)一步提高利用該方法制備的陣列基板的性能，參考圖6，該方法進(jìn)一步包括：

s10：設(shè)置第二緩沖層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在設(shè)置薄膜晶體管之前，也就是說(shuō)在設(shè)置遮光層之前，可以首先在襯底上設(shè)置第二緩沖層。由此，可以防止襯底中的原子，進(jìn)入遮光層中，進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成第二緩沖層的具體材料不受特別限制，只要可以防止下方的襯底中的原子，進(jìn)入遮光層中即可，例如，可以為sinx。由此，可以避免襯底(如玻璃)中的原子，進(jìn)入薄膜晶體管(如遮光層)中，影響薄膜晶體管的電學(xué)性能。

s200：設(shè)置第一緩沖層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了防止后續(xù)設(shè)置的有源層(例如可以由多晶硅形成)，與非晶硅形成的遮光層之間互相影響，可以在完成遮光層的設(shè)置之后，設(shè)置有源層之前，預(yù)先在遮光層上設(shè)置第一緩沖層。由此，可以防止遮光層中的原子，進(jìn)入有源層中。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成第一緩沖層的具體材料不受特別限制，只要可以起到前面描述的緩沖作用即可，例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，第一緩沖層可以是由sio2形成的。由此，可以進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

s300：設(shè)置有源層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在第一緩沖層遠(yuǎn)離遮光層的一側(cè)設(shè)置有源層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟中設(shè)置的有源層可以具有與前面描述的陣列基板的有源層相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)。例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，有源層可以包括低溫多晶硅。關(guān)于采用多晶硅，特別是低溫多晶硅形成有源層的優(yōu)點(diǎn)，前面已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)的描述，在此不再贅述。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成有源層的具體步驟不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可采用熟悉的方法，形成有源層。例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，有源層可以是通過(guò)以下步驟形成的：首先，可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積，形成非晶硅層。隨后，對(duì)非晶硅層進(jìn)行激光退火處理，將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅，從而形成有源層。由此，可以簡(jiǎn)便地獲得有源層，進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

s400：設(shè)置柵極

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，設(shè)置柵極，以便實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的電學(xué)功能。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，柵極的具體位置以及設(shè)置方式不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。例如，柵極可以設(shè)置在該薄膜晶體管的頂部，與有源層中的溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)，源極以及漏極分別設(shè)置在溝道區(qū)的兩側(cè)。也即是說(shuō)，在該步驟中形成的柵極和有源層對(duì)應(yīng)設(shè)置。換句話說(shuō)，該步驟中形成的柵極，可以通過(guò)施加?xùn)烹妷?，?duì)有源層中的半導(dǎo)體材料(如低溫多晶硅)進(jìn)行控制。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，柵極的結(jié)構(gòu)的組成材料、具體形狀、厚度均不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)節(jié)。

s500：設(shè)置源極和漏極

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，形成源極以及漏極，以便實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的電學(xué)功能。具體的，源極和漏極可以設(shè)置在有源層上。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，源極和漏極的結(jié)構(gòu)的組成材料、具體形狀、厚度均不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)節(jié)。

下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，對(duì)該方法的具體步驟以及詳細(xì)操作進(jìn)行描述：

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖7a，遮光層和有源層可以是通過(guò)以下步驟形成的：參考圖7a中的(a)，首先通過(guò)化學(xué)氣相沉積，在襯底上依次形成第二緩沖層300、ge摻雜非晶硅層211、氧化硅層251以及非晶硅層221。ge摻雜非晶硅層211可以通過(guò)后續(xù)刻蝕處理，形成遮光層。ge摻雜非晶硅層211可以是通過(guò)在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中，添加ge源氣體而形成的，由此，可以利用一次化學(xué)氣相沉積，形成非晶硅的沉積，以及ge的摻雜，從而可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化該方法的操作步驟。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，添加的ge源氣體可以為geh4氣體。由此，可以簡(jiǎn)便地將ge摻雜進(jìn)入非晶硅中，使ge替代si原子的位置，從而形成ge摻雜的非晶硅層211。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)遮光層由ge摻雜的非晶硅形成時(shí)，可以進(jìn)一步提高遮光層對(duì)背光的吸收效果。具體的，當(dāng)背光射入遮光層之后，出射光中長(zhǎng)波長(zhǎng)的光(紅、綠)的透過(guò)率降低，根據(jù)ge摻雜量的不同，遮光層對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)光的透光率，可以下降至10-50％(無(wú)ge摻雜時(shí)約為30％-70％)。非晶硅層221可以用于形成有源層。具體的，參考圖7a中的(b)，對(duì)非晶硅層221進(jìn)行激光退火處理，以便將非晶硅層221轉(zhuǎn)化為多晶硅層222。隨后，參考圖7a中的(c)，對(duì)ge摻雜非晶硅層211、氧化硅層251以及多晶硅層222進(jìn)行刻蝕處理，從而形成遮光層210、第一緩沖層250和有源層220。由于有源層是通過(guò)將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅而獲得的，因此，如有源層以及遮光層之間沒(méi)有第一緩沖層的結(jié)構(gòu)，則在進(jìn)行激光退火處理時(shí)，用于形成遮光層的非晶硅，也將被轉(zhuǎn)化為多晶硅，而失去遮光的功能。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，刻蝕處理的具體方式不受特別限制，例如可以為掩膜的刻蝕工藝。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，刻蝕后，遮光層210寬度可以大于上部有源層220的寬度，由此，可以進(jìn)一步提高遮光層210的遮光效果。形成遮光層和有源層之后，參考圖7a中的(d)，可以進(jìn)行柵絕緣層400的沉積工藝。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，沉積厚度可以為沉積材料為sinx。隨后，參考圖7b中的(e)，進(jìn)行柵極230的沉積。形成柵極230之后，參考圖7b中的(f)，可以進(jìn)行層間介質(zhì)層的沉積以及圖案化(孔洞形成)工藝。最后，參考圖7b中的(g)，進(jìn)行源極241與漏極242的沉積及圖案化工藝，以便獲得根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖8，遮光層和有源層可以是通過(guò)以下步驟形成的：參考圖8中的(a)，首先通過(guò)化學(xué)氣相沉積，在襯底上依次形成第二緩沖層300、第一非晶硅層212、氧化硅層251以及第二非晶硅層223。第一非晶硅層212可以通過(guò)離子注入處理，形成ge摻雜非晶硅層211。具體的，參考圖8中的(b)，對(duì)第一非晶硅層212進(jìn)行離子注入處理，以便形成ge摻雜非晶硅層211。在形成第一非晶硅層212以及第二非晶硅層223后，再進(jìn)行離子注入實(shí)現(xiàn)ge的摻雜，可以使得摻雜的ge更加均勻，從而可以進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。由于ge的原子量為72.59遠(yuǎn)高于p/b的31/18，所以在控制離子注入時(shí)較容易，并且可以做到精確的注入到第一非晶硅層212中，從而形成ge摻雜非晶硅層211。第二非晶硅層223可以通過(guò)激光退火處理，形成多晶硅層222。具體的，參考圖8中的(c)，對(duì)第二非晶硅層223進(jìn)行激光退火處理，以便形成多晶硅層222。隨后，參考圖8中的(d)，對(duì)ge摻雜非晶硅層211、氧化硅層251以及多晶硅層222進(jìn)行刻蝕處理，從而形成遮光層210、第一緩沖層250和有源層220。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，刻蝕處理的具體方式不受特別限制，例如可以為掩膜的刻蝕工藝。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，刻蝕后，遮光層210寬度可以大于上部有源層220的寬度，由此，可以進(jìn)一步提高遮光層210的遮光效果。形成遮光層和有源層之后，參考圖8中的(e)，可以進(jìn)行柵絕緣層400的沉積工藝。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，沉積厚度可以為沉積材料為sinx。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成柵極230之后，后續(xù)步驟中進(jìn)行柵極230的沉積、進(jìn)行層間介質(zhì)層的沉積以及圖案化(孔洞形成)工藝、進(jìn)行源極241與漏極242的沉積及圖案化工藝，從而獲得根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，可以具有與前面圖7b中描述的方法相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

在本發(fā)明的描述中，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“另一個(gè)實(shí)施例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說(shuō)明書(shū)中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。另外，需要說(shuō)明的是，本說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。