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一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法與流程

文檔序號(hào):11679813閱讀:162來源:國(guó)知局
一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法與流程

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法。



背景技術(shù):

有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode,oled)與液晶顯示器(liquidcrystaldisplay,lcd)是不同類型的發(fā)光原理。oled顯示技術(shù)具有自發(fā)光、廣視角、幾乎無窮高的對(duì)比度、較低耗電、極高反應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)。因此,有機(jī)發(fā)光二極管得到了廣泛的應(yīng)用。

oled可按發(fā)光材料分為兩種:小分子oled和高分子oled。小分子oled和高分子oled的差異主要表現(xiàn)在器件的制備工藝不同:小分子器件主要采用真空熱蒸發(fā)工藝,高分子器件則采用旋轉(zhuǎn)涂覆或噴涂印刷工藝,即溶液加工工藝。

現(xiàn)有技術(shù)中,溶液加工型有機(jī)發(fā)光二極管(oled)由于溶劑體系相似,難以實(shí)現(xiàn)多層器件的制備,通常制作上層功能層時(shí),容易溶解下層功能層,導(dǎo)致溶液加工型的器件難以制作精細(xì)的器件結(jié)構(gòu)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法,能夠制造出精細(xì)的器件結(jié)構(gòu)。

為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種有機(jī)發(fā)光器件的制造方法,制造方法包括:

提供一基板;

在所述基板上設(shè)置陽極層;

在所述陽極層上通過第一溶液形成空穴注入層;

在所述空穴注入層上通過第二溶液形成發(fā)光層,其中,所述空穴注入層不溶于所述第二溶液;

在所述發(fā)光層上通過第三溶液形成電子傳輸層,其中,所述發(fā)光層不溶于所述第三溶液;

在所述電子傳輸層上設(shè)置陰極層。

為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種有機(jī)發(fā)光器件,該有機(jī)發(fā)光器件包括:

基板;

陽極層,設(shè)置在所述基板上;

空穴注入層,設(shè)置在所述陽極層上,其中所述空穴注入層通過第一溶液形成;

發(fā)光層,設(shè)置在所述空穴注入層上,其中,所述發(fā)光層通過第二溶液形成,所述空穴注入層不溶于所述第二溶液;

電子傳輸層,設(shè)置在所述發(fā)光層上,其中,所述電子傳輸層通過第三溶液形成,所述發(fā)光層不溶于所述第三溶液;

陰極層,設(shè)置在所述電子傳輸層上。

本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法,制造方法包括以下步驟:首先提供一基板,然后在基板上設(shè)置陽極層,繼而在陽極層上通過第一溶液形成空穴注入層,進(jìn)而在空穴注入層上通過第二溶液形成發(fā)光層,其中,空穴注入層不溶于第二溶液,然后在發(fā)光層上通過第三溶液形成電子傳輸層,其中,發(fā)光層不溶于第三溶液,最后在電子傳輸層上設(shè)置陰極層。因此,由于本申請(qǐng)?jiān)谥谱魃蠈咏Y(jié)構(gòu)時(shí),使用的溶液不溶解下層結(jié)構(gòu),由此每層結(jié)構(gòu)都不被破壞,都能完好的保持,從而能夠制作精細(xì)的器件結(jié)構(gòu)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光器件的制造方法的流程示意圖;

圖2是對(duì)應(yīng)圖1所示的制造方法的一種有機(jī)發(fā)光器件的工藝流程示意圖;

圖3是對(duì)應(yīng)圖1所示的制造方法的另一種有機(jī)發(fā)光器件的工藝流程示意圖;

圖4是對(duì)應(yīng)圖1所示的制造方法的又一種有機(jī)發(fā)光器件的工藝流程示意圖;

圖5是對(duì)應(yīng)圖1所示的制造方法的又一種有機(jī)發(fā)光器件的工藝流程示意圖;

圖6是對(duì)應(yīng)圖1所示的制造方法的又一種有機(jī)發(fā)光器件的工藝流程示意圖;

圖7是對(duì)應(yīng)圖1所示的制造方法的又一種有機(jī)發(fā)光器件的工藝流程示意圖;

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1,圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光器件的制造方法的流程示意圖。如圖1所示,本實(shí)施例的制造方法包括以下步驟:

步驟s1:提供一基板101。

本步驟的基板通過清洗、烘干等操作,以得到一干凈的基板?;宓牟馁|(zhì)可為玻璃。

步驟s2:在基板101上設(shè)置陽極層102。具體是通過蒸鍍的方式設(shè)置陽極層102。

本步驟中,陽極層102采用的材料是具高功函數(shù)(highworkfunction)與可透光性。所以具有4.5ev-5.3ev的高功函數(shù)、性質(zhì)穩(wěn)定且透光的ito(indiumtinoxide,氧化銦錫)透明導(dǎo)電膜被廣泛應(yīng)用于陽極層102。

在其他實(shí)施例中,可在陽極層102上加入輔助電極,由于oled為電流驅(qū)動(dòng)器件,當(dāng)外部線路過長(zhǎng)或過細(xì)時(shí),與外部電路將會(huì)造成嚴(yán)重之電壓梯度,使oled器件之電壓下降,導(dǎo)致面板發(fā)光強(qiáng)度減少。由于ito電阻過大(10ohm/square),易造成不必要之外部功率消耗,增加一輔助電極以降低電壓梯度成了增加發(fā)光效率、減少驅(qū)動(dòng)電壓的快捷方式。鉻(cr:chromium)金屬是最常被用作輔助電極的材料,它具有對(duì)環(huán)境因子穩(wěn)定性佳及對(duì)蝕刻液有較大的選擇性等優(yōu)點(diǎn)。然而它的電阻值在膜層為100nm時(shí)為2ohm/square,在某些應(yīng)用時(shí)仍屬過大,因此在相同厚度時(shí)擁有較低電阻值的鋁(al:aluminum)金屬(0.2ohm/square)則成為輔助電極另一較佳選擇。但是,鋁金屬的高活性也使其有信賴性方面之問題,因此,另外,為了加強(qiáng)輔助電極的穩(wěn)定性,還可采用多疊層結(jié)構(gòu)的輔助金屬作為輔助電極,如:cr/al/cr或mo(鉬)/al/mo。

步驟s3:在陽極層102上通過第一溶液形成空穴注入層(hil,holeinjectlayer)103。

本步驟中,當(dāng)空穴由ito層注入hil時(shí),過大的位能差會(huì)產(chǎn)生蕭基能障,使得空穴不易注入,因此如何降低ito/hil接口的位能差則成為ito前處理的重點(diǎn)。因此本實(shí)施例中在前文所述的步驟s2中,進(jìn)一步使用o2-plasma方式增加ito中氧原子的飽和度,以達(dá)到增加功函數(shù)之目的。ito經(jīng)o2-plasma處理后功函數(shù)可由原先之4.8ev提升至5.2ev,與hil的功函數(shù)已非常接近。

步驟s4:在空穴注入層103上通過第二溶液形成發(fā)光層(emittingmateriallayer,eml)104,其中,空穴注入層103不溶于第二溶液。即第一溶液的溶劑和第二溶液的溶劑體系不相似。

步驟s5:在發(fā)光層104上通過第三溶液形成電子傳輸層(electrontransportlayer,etl)105,其中,發(fā)光層不溶于第三溶液。即第三溶液的溶劑和第二溶液的溶劑體系不相似。

步驟s6:在電子傳輸層105上設(shè)置陰極層106。具體是通過蒸鍍的方式設(shè)置陰極層106。

為了增加有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)光效率,本步驟可選擇低功函數(shù)(lowworkfunction)的銀(ag)、鋁(al)、鈣(ca)、銦(in)、鋰(li)與鎂(mg)等金屬,或低功函數(shù)的復(fù)合金屬來制作陰極層106,例如:mg-ag(鎂銀)。

因此,本實(shí)施例通過相鄰兩層結(jié)構(gòu)使用的溶液的溶劑體系不相近,使得在制作上層結(jié)構(gòu)時(shí),使用的溶液不溶解下層結(jié)構(gòu),由此每層結(jié)構(gòu)都不被破壞,能完好的保持,從而能夠制作精細(xì)的器件結(jié)構(gòu)。

以下將根據(jù)有機(jī)發(fā)光器件不同結(jié)構(gòu)層所采用的具體材料來詳述上述步驟的具體操作。

請(qǐng)參閱圖2所示,空穴注入層103的材料為pedot:pss材料,發(fā)光層104的材料為第一非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料,電子傳輸層105的材料為極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料。

其中,第一非極性類溶劑包括烷烴類溶劑等,極性類溶劑包括水溶劑和醇類溶劑等。醇類溶劑包括甲醇和乙醇等。

其中,pedot:pss是一種高分子聚合物的水溶液,導(dǎo)電率很高,根據(jù)不同的配方,可以得到導(dǎo)電率不同的水溶液。該化合物是由pedot和pss兩種物質(zhì)構(gòu)成。pedot是edot(3,4-乙撐二氧噻吩單體)的聚合物,pss是聚苯乙烯磺酸鹽。這兩種物質(zhì)在一起極大的提高了pedot的溶解性,水溶液導(dǎo)電物主要應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽能電池、有機(jī)薄膜晶體管以及超級(jí)電容器等的空穴注入層hil。即pedot:pss不溶于一般有機(jī)溶劑。

烷烴類溶劑可溶解的有機(jī)材料,即本實(shí)施例的發(fā)光層104的材料具有很長(zhǎng)的烷烴支鏈,如圖3所示的,是一種p-π共軛的樹枝狀第零代有機(jī)材料,通常記為g0,其單體為芪類化合物(stilbenoid-basedcompounds),支鏈為長(zhǎng)烷基鏈。

上述的烷烴類溶劑可溶解的有機(jī)材料可溶于第二非極性類溶劑中,也可以被烷烴類溶劑,例如c8h18和c12h26等溶解。其中,第二非極性類溶劑包括苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑和氯仿溶劑。

由此上述的步驟s3具體為首先通過水作為溶劑溶解pedot:pss材料,形成pedot:pss溶液,然后在陽極層102上設(shè)置pedot:pss溶液以形成空穴注入層103。具體而言,通過旋轉(zhuǎn)涂覆的方式將pedot:pss溶液滴在陽極層102上,然后通過高速旋轉(zhuǎn)將pedot:pss溶液平攤均勻,最后通過烘干等工藝將pedot:pss溶液固化,從而得到空穴注入層103。

應(yīng)理解,本發(fā)明所述的通過不同的溶液形成不同的結(jié)構(gòu)層的具體工藝均可使用上述空穴注入層103的工藝。

上述步驟s4具體為首先通過烷烴類溶劑溶解發(fā)光層的材料,形成烷烴類溶液,然后在空穴注入層103上設(shè)置烷烴類溶液以形成發(fā)光層104。

在其他實(shí)施例中,發(fā)光層104的溶劑還可以為第二非極性類溶劑,例如苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑或氯仿溶劑等。

上述步驟s5具體為首先通過水溶劑或醇類溶劑溶解電子傳輸層的材料,形成水溶液或醇類溶液,然后在發(fā)光層104上設(shè)置水溶液或醇類溶液以形成電子傳輸層105。

其中,具體步驟s1、s2以及s6如前文所述,在此不再贅述。

請(qǐng)參閱圖4,圖4的有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)一步包括電子阻擋層(ebl)107,并且電子阻擋層107的材料為第二非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料。其中,第二非極性類溶劑包括苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑和氯仿溶劑。

由此,在上述步驟s3之后,進(jìn)一步通過苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑或氯仿溶劑溶解電子阻擋層的材料,形成苯溶液、二甲苯溶液、氯苯溶液或氯仿溶液。然后在空穴注入層103上設(shè)置苯溶液、二甲苯溶液、氯苯溶液或氯仿溶液,以形成電子阻擋層107。

以上操作可在步驟s3和s4之間進(jìn)行操作,定義為s34。

其中,具體步驟s1-s6如前文所述,在此不再贅述。

本實(shí)施例中,由于設(shè)置了電子阻擋層107,并且電子阻擋層107的溶劑為第二非極性類溶劑,其與電子阻擋層107上層的發(fā)光層104用的烷烴類溶劑是不同體系的溶劑。由此在步驟s4制造發(fā)光層104時(shí),其所用的烷烴類溶液不會(huì)腐蝕、破壞電子阻擋層107,確保電子阻擋層107完好無損。從而提高了有機(jī)發(fā)光器件的空穴傳輸性能。

請(qǐng)參閱圖5,本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)一步包括空穴傳輸層108(htl,holetransportlayer),空穴傳輸層108的材料為第二非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料,其中,第二非極性類溶劑包括苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑和氯仿溶劑。

前文所述的步驟s3之后進(jìn)一步通過苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑或氯仿溶劑溶解空穴傳輸層的材料,形成苯溶液、二甲苯溶液、氯苯溶液或氯仿溶液,然后在空穴注入層103上設(shè)置苯溶液、二甲苯溶液、氯苯溶液或氯仿溶液,以形成空穴傳輸層108。

具體可在步驟s3和步驟s4之間形成空穴注入層108,則定義為步驟s34。

其中,具體步驟s1-s6如前文所述,在此不再贅述。

以上介紹的是發(fā)光層采用烷烴類的有機(jī)材料時(shí)的制造方法,以下介紹的是該烷烴類的有機(jī)材料使用在有機(jī)發(fā)光器件的其他結(jié)構(gòu)層中時(shí)的制造方法。

首先請(qǐng)參見圖6所示,本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件還包括空穴阻擋層(holeblockinglayer,hbl)109,其材料為第一非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料??昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閜edot:pss材料,發(fā)光層的材料為第二非極性類溶劑可溶型的有機(jī)材料,電子傳輸層的材料為極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料。

其中,第一非極性類溶劑包括烷烴類溶劑,第二非極性類溶劑包括苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑和氯仿溶劑,極性類溶劑包括水溶劑或醇類溶劑。即本實(shí)施例的烷烴類的有機(jī)材料使用在空穴阻擋層當(dāng)中。

上述步驟s3具體為首先通過水作為溶劑溶解pedot:pss材料,形成pedot:pss溶液,然后在陽極層102上設(shè)置pedot:pss溶液,以形成空穴注入層103。

上述步驟s4具體為首先通過苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑和氯仿溶劑溶解發(fā)光層的材料,形成苯溶液、二甲溶液、氯苯溶液和氯仿溶液,然后在空穴注入層103上設(shè)置苯溶液、二甲溶液、氯苯溶液和氯仿溶液,以形成發(fā)光層104。

在步驟s4之后進(jìn)一步通過烷烴類溶劑溶解空穴阻擋層的材料,形成烷烴類溶液,然后在發(fā)光層104上設(shè)置烷烴類溶液,以形成空穴阻擋層109。本步驟具體可在步驟s4和步驟s5之間操作,形成空穴阻擋層109,因此定義為步驟s45。

上述步驟s5具體為首先通過水溶劑或醇類溶劑溶解電子傳輸層的材料,形成水溶液或醇類溶液,然后在空穴阻擋層上設(shè)置水溶液或醇類溶液,以形成電子傳輸層105。

其中,步驟s1、s2以及s6如前文所述,在此不再贅述。

請(qǐng)參閱圖7,本實(shí)施例的空穴注入層的材料為pedot:pss材料,電子傳輸層的材料為第一非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料,發(fā)光層的材料為第二非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料,其中,第一類非極性類溶劑包括烷烴類溶劑,第二非極性類溶劑包括苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑和氯仿溶劑。即本實(shí)施例的烷烴類的有機(jī)材料使用在電子傳輸層當(dāng)中。

上述步驟s3具體為首先通過水作為溶劑溶解pedot:pss材料,形成pedot:pss溶液,然后在陽極層102上設(shè)置pedot:pss溶液,以形成空穴注入層103。

上述步驟s4具體為首先通過苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑和氯仿溶劑溶解發(fā)光層的材料,形成苯溶液、二甲苯溶液、氯苯溶液和氯仿溶液,然后在空穴注入層103上設(shè)置苯溶液、二甲苯溶液、氯苯溶液和氯仿溶液,以形成發(fā)光層104。

上述步驟s5具體為首先通過烷烴類溶劑溶解電子傳輸層的材料,形成烷烴類溶液,然后在發(fā)光層104上設(shè)置烷烴類溶液,以形成電子傳輸層105。

其中,步驟s1、s2以及s6如前文所述,在此不再贅述。

本發(fā)明還提供了有機(jī)發(fā)光器件,該有機(jī)發(fā)光器件根據(jù)前文所述的制造方法得到。有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)如下:

請(qǐng)參閱圖8,本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件80包括基板801、陽極層802、空穴注入層803、發(fā)光層804、電子傳輸層805以及負(fù)極層806。

其中,陽極層802設(shè)置在基板801上。

其中,陽極層802采用的材料如前文所述,在此不再贅述。

在其他實(shí)施例中,可在陽極層802上加入輔助電極,具體附加電極的設(shè)置如前文所述,在此不再贅述。

空穴注入層803設(shè)置在陽極層802上,其中空穴注入層803通過第一溶液形成。

發(fā)光層804設(shè)置在空穴注入層803上,其中,發(fā)光層804通過第二溶液形成,空穴注入層803不溶于第二溶液。即第一溶液的溶劑和第二溶液的溶劑體系不相似。

電子傳輸層805設(shè)置在發(fā)光層804上,其中,電子傳輸層805通過第三溶液形成,發(fā)光層804不溶于第三溶液。即第三溶液的溶劑和第二溶液的溶劑體系不相似。

陰極層806設(shè)置在電子傳輸層805上。

為了增加有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)光效率,本步驟可選擇低功函數(shù)的銀(ag)、鋁(al)、鈣(ca)、銦(in)、鋰(li)與鎂(mg)等金屬,或低功函數(shù)的復(fù)合金屬來制作陰極層806,例如:mg-ag(鎂銀)。

本實(shí)施例中,空穴注入層803的材料為pedot:pss材料,發(fā)光層804的材料為第一非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料,電子傳輸層805的材料為極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料。

其中,pedot:pss是一種高分子聚合物的水溶液,導(dǎo)電率很高,根據(jù)不同的配方,可以得到導(dǎo)電率不同的水溶液。該化合物是由pedot和pss兩種物質(zhì)構(gòu)成。pedot是edot(3,4-乙撐二氧噻吩單體)的聚合物,pss是聚苯乙烯磺酸鹽。這兩種物質(zhì)在一起極大的提高了pedot的溶解性,水溶液導(dǎo)電物主要應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽能電池、有機(jī)薄膜晶體管以及超級(jí)電容器等的空穴注入層htl。即pedot:pss不溶于一般有機(jī)溶劑。

第一類非極性類溶劑包括烷烴類溶劑,極性類溶劑包括水溶劑和醇類溶劑。醇類溶劑包括甲醇和乙醇等。

其中,烷烴類溶劑可溶解的有機(jī)材料如前文所述和圖3所示,在此不再贅述。

上述的烷烴類溶劑可溶解的有機(jī)材料可溶于第二非極性類溶劑中,也可以被烷烴類溶劑,例如c8h18和c12h26等溶解。

在其他實(shí)施例中,發(fā)光層804的溶劑還可以為第二非極性類溶劑,例如苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑或氯仿溶劑等。

請(qǐng)參閱圖9,圖9所示的有機(jī)發(fā)光器件90依然包括基板901、陽極層902、空穴注入層903、發(fā)光層904、電子傳輸層905以及負(fù)極層906。

但是,圖9所示的有機(jī)發(fā)光器件90與圖8所示的有機(jī)發(fā)光器件80的不同之處在于:如9所示的有機(jī)發(fā)光器件90進(jìn)一步包括電子阻擋層907,其設(shè)置在空穴注入層903和發(fā)光層904之間。

本實(shí)施例中,電子阻擋層907的材料為第二非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料。其中,第二非極性類溶劑包括苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑和氯仿溶劑。

請(qǐng)參閱圖10,圖10所示的有機(jī)發(fā)光器件100依然包括基板1001、陽極層1002、空穴注入層1003、發(fā)光層1004、電子傳輸層1005以及負(fù)極層1006。

但是,圖10所示的有機(jī)發(fā)光器件100與圖8所示的有機(jī)發(fā)光器件80的不同之處在于:如10所示的有機(jī)發(fā)光器件100的還包括空穴傳輸層1008,其設(shè)置在空穴注入層1003和發(fā)光層1004之間。

本實(shí)施例中,空穴傳輸層1008的材料為第二非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料。其中,第二非極性類溶劑包括苯溶劑、二甲苯溶劑、氯苯溶劑和氯仿溶劑。

請(qǐng)參閱圖11,圖11所示的有機(jī)發(fā)光器件11依然包括基板111、陽極層112、空穴注入層113、發(fā)光層114、電子傳輸層115以及負(fù)極層116。

但是,圖11所示的有機(jī)發(fā)光器件11與圖8所示的有機(jī)發(fā)光器件80的不同之處在于:如11所示的有機(jī)發(fā)光器件11還包括空穴阻擋層119,其材料為第一非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料。并且,發(fā)光層114的材料為第二非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料,電子傳輸層115的材料為極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料。

其中,第一非極性類溶劑、第二非極性類溶劑和極性類溶劑如前文所述,在此不再贅述。

請(qǐng)參閱圖12,圖12所示的有機(jī)發(fā)光器件12依然包括基板121、陽極層122、空穴注入層123、發(fā)光層124、電子傳輸層125以及負(fù)極層126。并且空穴注入層123的材料為pedot:pss材料。

但是,圖12所示的有機(jī)發(fā)光器件12與圖8所示的有機(jī)發(fā)光器件80的不同之處在于:如12所示的有機(jī)發(fā)光器件12的電子傳輸層125的材料為第一非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料,發(fā)光層124的材料為第二非極性類溶劑可溶解的有機(jī)材料。其中,第一非極性類溶劑和第二非極性類溶劑如前文所述,在此不再贅述。

綜上所述,本發(fā)明通過相鄰兩層結(jié)構(gòu)使用的溶液的溶劑體系不相近,使得在制作上層結(jié)構(gòu)時(shí),使用的溶液不溶解下層結(jié)構(gòu),由此每層結(jié)構(gòu)都不被破壞,能完好的保持,從而能夠制作精細(xì)的器件結(jié)構(gòu)。使得各功能層之間的能級(jí)匹配更合理,可降低驅(qū)動(dòng)電壓,增加有機(jī)發(fā)光器件的壽命;提高激子的利用率,增加有機(jī)發(fā)光器件的效率。

本發(fā)明的制造方法不僅可用于有機(jī)發(fā)光器件,如oled當(dāng)中,還可以用于有機(jī)太陽能器件(osc)當(dāng)中。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。

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