本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種led微粒轉(zhuǎn)印方法。
背景技術(shù):
micro-led技術(shù)是指在微小尺寸內(nèi)集成高密度led(lightemittingdiode,發(fā)光二極管)陣列的技術(shù),microled優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)的很明顯,它繼承了無(wú)機(jī)led的高效率、高亮度、高可靠度及反應(yīng)時(shí)間快等特點(diǎn),更具節(jié)能、機(jī)構(gòu)簡(jiǎn)易、體積小、薄型等優(yōu)勢(shì)。
為了實(shí)現(xiàn)大尺寸全彩色的led顯示,需要在一片顯示基板上嵌入數(shù)百萬(wàn)顆微型彩色led,現(xiàn)有技術(shù)中通常采用led微粒轉(zhuǎn)印到基板的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)彩色led顯示器件的制作,具體的,通過(guò)轉(zhuǎn)印吸盤(pán)的多個(gè)轉(zhuǎn)印頭分批次對(duì)應(yīng)拾取r、g、b三色led微粒,并將分批次對(duì)應(yīng)拾取的r、g、b三色led微粒分別轉(zhuǎn)印至基板對(duì)應(yīng)區(qū)域,例如:首先拾取多個(gè)紅色led微粒轉(zhuǎn)印至基板對(duì)應(yīng)區(qū)域,然后拾取多個(gè)綠色led微粒轉(zhuǎn)印至基板對(duì)應(yīng)區(qū)域,最后拾取多個(gè)藍(lán)色led微粒轉(zhuǎn)印至基板對(duì)應(yīng)區(qū)域,重復(fù)上述過(guò)程,最終完成r、g、b三色led微粒在顯示基板上的嵌入。
但是在轉(zhuǎn)印的過(guò)程中,由于已轉(zhuǎn)印至基板對(duì)應(yīng)區(qū)域的led微粒處于磁場(chǎng)環(huán)境或者電場(chǎng)環(huán)境中,因此,在磁場(chǎng)力或者電場(chǎng)力的作用下,容易導(dǎo)致已轉(zhuǎn)印至基板對(duì)應(yīng)區(qū)域的led微粒的位置發(fā)生偏移,進(jìn)而會(huì)使已轉(zhuǎn)印完畢的led微粒的固定位置出現(xiàn)錯(cuò)位,從而會(huì)影響led微粒的光效和波長(zhǎng)的一致性,降低led顯示器件的顯示效果。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種led微粒轉(zhuǎn)印方法,在分次轉(zhuǎn)印過(guò)程中避免已轉(zhuǎn)印的led微粒的位置發(fā)生偏移,進(jìn)而提高了led顯示器件的顯示效果。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供了一種led微粒轉(zhuǎn)印方法,包括:
步驟s1:提供一基板,在所述基板設(shè)有m組鍵合體基座,每組鍵合體基座包括n個(gè)鍵合體基座,m≥1,n≥2;其中,每組所述鍵合體基座中的n個(gè)鍵合體基座與n種顏色的led微粒一一對(duì)應(yīng);
步驟s2:將一種顏色的led微粒轉(zhuǎn)印至各組鍵合體基座中與該顏色led微粒對(duì)應(yīng)的鍵合體基座上,形成一組轉(zhuǎn)印鍵合體;
步驟s3:判斷所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體的組數(shù)是否等于n,若否,則進(jìn)入步驟s4;若是,則進(jìn)入步驟s6;
步驟s4:在所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體上形成鍵合體保護(hù)層;
步驟s5:返回步驟s2;
步驟s6:去除前n-1次所形成的鍵合體保護(hù)層,使所有l(wèi)ed微粒裸露。
在led微粒分次轉(zhuǎn)印的過(guò)程中,采用本發(fā)明所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法,在每種顏色的led微粒轉(zhuǎn)印至鍵合體基座上形成轉(zhuǎn)印鍵合體后,在所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體上可形成鍵合體保護(hù)層,所形成的鍵合體保護(hù)層可以對(duì)轉(zhuǎn)印鍵合體的位置進(jìn)行固定,進(jìn)而防止已完成轉(zhuǎn)印的led微粒在磁場(chǎng)力或電場(chǎng)力的作用下位置發(fā)生偏移。直至形成n組轉(zhuǎn)印鍵合體后,對(duì)前n-1次所形成的鍵合體保護(hù)層進(jìn)行去除,使所有的led微粒裸露,即形成了led微粒陣列。因此,采用本發(fā)明所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法,能夠避免已完成轉(zhuǎn)印的led微粒的位置發(fā)生偏移,從而保證所有l(wèi)ed微粒均處在對(duì)應(yīng)位置上,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)顯示的精準(zhǔn)化,提高led顯示器件的顯示效果。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法的流程圖一;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法的流程圖二;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法的流程圖三;
圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法對(duì)應(yīng)的工藝流程圖一;
圖5為本發(fā)明實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法對(duì)應(yīng)的工藝流程圖二。
附圖標(biāo)記說(shuō)明:
1-基板;2-鍵合體基座;
3-基座保護(hù)層;4-紅色led微粒;
5-轉(zhuǎn)印吸盤(pán);51-轉(zhuǎn)印頭;
6-第一組轉(zhuǎn)印鍵合體;7-鍵合體保護(hù)層;
8-綠色led微粒;9-第二組轉(zhuǎn)印鍵合體;
10-藍(lán)色led微粒;11-第三組轉(zhuǎn)印鍵合體。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,均屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
需要說(shuō)明的是,以下實(shí)施例結(jié)合的附圖中所示出的led微粒顏色的種數(shù)以及鍵合體基座的個(gè)數(shù)僅僅為示意說(shuō)明,并不構(gòu)成對(duì)其各自實(shí)際數(shù)量的限定。
如圖1所示,本實(shí)施例提供了一種led微粒轉(zhuǎn)印方法,該led微粒轉(zhuǎn)印方法具體包括:
步驟s1:提供一基板,在基板設(shè)有m組鍵合體基座,每組鍵合體基座包括n個(gè)鍵合體基座,m≥1,n≥2。其中,每組鍵合體基座中的n個(gè)鍵合體基座與n種顏色的led微粒一一對(duì)應(yīng)。
步驟s2:將一種顏色的led微粒轉(zhuǎn)印至各組鍵合體基座中與該顏色led微粒對(duì)應(yīng)的鍵合體基座上,形成一組轉(zhuǎn)印鍵合體。
步驟s3:判斷所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體的組數(shù)是否等于n,若否,則進(jìn)入步驟s4;若是,則進(jìn)入步驟s6。
步驟s4:在所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體上形成鍵合體保護(hù)層。
步驟s5:返回步驟s2。
步驟s6:去除前n-1次所形成的鍵合體保護(hù)層,使所有l(wèi)ed微粒裸露。
在led微粒分次轉(zhuǎn)印的過(guò)程中,采用本實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法,在每種顏色的led微粒轉(zhuǎn)印至鍵合體基座上形成轉(zhuǎn)印鍵合體后,在所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體上可形成鍵合體保護(hù)層,所形成的鍵合體保護(hù)層可以對(duì)轉(zhuǎn)印鍵合體的位置進(jìn)行固定,進(jìn)而防止已完成轉(zhuǎn)印的led微粒在磁場(chǎng)力或電場(chǎng)力的作用下位置發(fā)生偏移。直至形成n組轉(zhuǎn)印鍵合體后,對(duì)前n-1次所形成的鍵合體保護(hù)層進(jìn)行去除,使所有的led微粒裸露,即形成了led微粒陣列。因此,采用本實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法,能夠避免已完成轉(zhuǎn)印的led微粒的位置發(fā)生偏移,從而保證所有l(wèi)ed微粒均處在對(duì)應(yīng)位置上,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)顯示的精準(zhǔn)化,提高led顯示器件的顯示效果。
具體的,當(dāng)鍵合體基座由合金材料制成時(shí),步驟s1中的在基板設(shè)有m組鍵合體基座具體可包括:通過(guò)光刻工藝在基板上形成m組鍵合體基座。當(dāng)鍵合體基座由導(dǎo)電膠材料制成時(shí),步驟s1中的在基板設(shè)有m組鍵合體基座具體可包括:通過(guò)點(diǎn)膠工藝在基板上形成m組鍵合體基座。
需要說(shuō)明的是,在步驟s1和步驟s2之間,led微粒轉(zhuǎn)印方法還可包括:在基板上形成覆蓋所有鍵合體基座的基座保護(hù)層;對(duì)基座保護(hù)層進(jìn)行光刻,使得其中一種顏色的led微粒所對(duì)應(yīng)的鍵合體基座裸露。
與之對(duì)應(yīng)的,步驟s4還包括:對(duì)基座保護(hù)層進(jìn)行光刻,使得未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座中對(duì)應(yīng)一種顏色的led微粒的鍵合體基座裸露。
在對(duì)第一種顏色的led微粒進(jìn)行轉(zhuǎn)印之前,可在基板上形成一層基座保護(hù)層,進(jìn)而通過(guò)光刻工藝,使與第一種顏色led微粒對(duì)應(yīng)的鍵合體基座裸露出來(lái),以便步驟s2中將第一種顏色的led微粒轉(zhuǎn)印至裸露的鍵合體基座上。后續(xù)在對(duì)其他顏色的led微粒進(jìn)行轉(zhuǎn)印前,同樣需要對(duì)基座保護(hù)層進(jìn)行光刻,使與該種顏色led微粒對(duì)應(yīng)的鍵合體基座裸露。采用這種方法,可以保證在進(jìn)行每次轉(zhuǎn)印時(shí),僅有與一種顏色的led微粒對(duì)應(yīng)的鍵合體基座裸露,一方面可以保證轉(zhuǎn)印的精準(zhǔn)化,另一方面也可以保護(hù)未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座不受污染。
具體的,在基板上形成覆蓋所有鍵合體基座的基座保護(hù)層具體包括:通過(guò)旋涂工藝或滴注工藝在基板上形成一層作為基座保護(hù)層的光刻膠層,光刻膠層覆蓋所有鍵合體基座。
led微粒通常在藍(lán)寶石玻璃上制備,不同顏色的led微粒對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)基板也不同,在對(duì)led微粒進(jìn)行轉(zhuǎn)印前,需要先從生長(zhǎng)基板上抓取對(duì)應(yīng)的led微粒。如圖2所示,步驟s2具體可包括:
步驟s21:通過(guò)轉(zhuǎn)印頭從生長(zhǎng)基板上抓取m個(gè)相同顏色的led微粒。
步驟s22:將m個(gè)led微粒對(duì)應(yīng)放置在各組鍵合體基座中與該顏色led微粒對(duì)應(yīng)的鍵合體基座上,形成一組轉(zhuǎn)印鍵合體。
在本實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法中,步驟s4中的在所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體上形成鍵合體保護(hù)層具體可通過(guò)如下兩種方式實(shí)現(xiàn):
第一種方式:如圖3所示,步驟s4具體可包括:
步驟s41:在基板上形成一層鍵合體保護(hù)層,使得鍵合體保護(hù)層覆蓋所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體以及未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座。
步驟s42:對(duì)鍵合體保護(hù)層進(jìn)行光刻,使得未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座中對(duì)應(yīng)一種顏色的led微粒的鍵合體基座裸露;或,對(duì)鍵合體保護(hù)層進(jìn)行光刻,使得所有未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座裸露。
其中,步驟s41具體可包括:通過(guò)旋涂工藝或滴注工藝在基板上形成一層作為鍵合體保護(hù)層的光刻膠層,光刻膠層覆蓋所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體以及未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座。
在步驟s42中,對(duì)鍵合體保護(hù)層進(jìn)行光刻,當(dāng)僅使未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座中對(duì)應(yīng)一種顏色的led微粒的鍵合體基座裸露時(shí),一方面可以保證轉(zhuǎn)印的精準(zhǔn)化,另一方面也可以保護(hù)未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座不受污染。
當(dāng)采用第一種方式形成一層鍵合體保護(hù)層時(shí),下面結(jié)合圖4所示的具體工藝流程圖,以需要轉(zhuǎn)印紅綠藍(lán)三種顏色的led微粒以及在基板設(shè)有3組鍵合體基座為例,對(duì)本實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法進(jìn)行具體說(shuō)明。
k1、提供一基板1,在基板1上設(shè)有3組鍵合體基座2,每組鍵合體基座2包括3個(gè)鍵合體基座2。其中,每組鍵合體基座中的3個(gè)鍵合體基座2與紅綠藍(lán)3種顏色的led微粒一一對(duì)應(yīng)。
k2、在基板1上形成覆蓋所有鍵合體基座2的基座保護(hù)層3,并對(duì)基座保護(hù)層3進(jìn)行光刻,使得紅色led微粒4所對(duì)應(yīng)的鍵合體基座2裸露。
k3、通過(guò)轉(zhuǎn)印吸盤(pán)5上的轉(zhuǎn)印頭51從第一生長(zhǎng)基板上抓取3個(gè)紅色led微粒4。
k4、將紅色led微粒4轉(zhuǎn)印至3組鍵合體基座中與紅色led微粒4對(duì)應(yīng)的鍵合體基座上2,形成第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6。
k5、在基板1上形成一層鍵合體保護(hù)層7,使得鍵合體保護(hù)層7覆蓋所形成的第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6以及未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座2。
k6、對(duì)基座保護(hù)層3和鍵合體保護(hù)層7進(jìn)行光刻,使得未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座2中對(duì)應(yīng)綠色led微粒8的鍵合體基座2裸露。
k7、通過(guò)轉(zhuǎn)印吸盤(pán)5上的轉(zhuǎn)印頭51從第二生長(zhǎng)基板上抓取3個(gè)綠色led微粒8。
k8、將綠色led微粒8轉(zhuǎn)印至3組鍵合體基座中與綠色led微粒8對(duì)應(yīng)的鍵合體基座上2,形成第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9。
k9、在基板1上形成一層鍵合體保護(hù)層7,使得鍵合體保護(hù)層7覆蓋所形成的第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9以及未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座2。
k10、對(duì)基座保護(hù)層3和鍵合體保護(hù)層7進(jìn)行光刻,使得未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座2中對(duì)應(yīng)藍(lán)色led微粒10的鍵合體基座2裸露。
k11、通過(guò)轉(zhuǎn)印吸盤(pán)5上的轉(zhuǎn)印頭51從第三生長(zhǎng)基板上抓取3個(gè)藍(lán)色led微粒10。
k12、將藍(lán)色led微粒10轉(zhuǎn)印至3組鍵合體基座中與藍(lán)色led微粒10對(duì)應(yīng)的鍵合體基座上2,形成第三組轉(zhuǎn)印鍵合體11。
k13、去除第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6和第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9上所覆蓋的鍵合體保護(hù)層7,使第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6、第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9和第三組轉(zhuǎn)印鍵合體11裸露,即使得紅色led微粒4、綠色led微粒8和藍(lán)色led微粒10均裸露,形成led微粒陣列。
需要說(shuō)明的是,上述基座保護(hù)層3和鍵合體保護(hù)層7均可為光刻膠層。
采用上述方法,使鍵合體保護(hù)層7覆蓋所形成的第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6和第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9,進(jìn)而在后續(xù)的轉(zhuǎn)印過(guò)程中,保證第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6和第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9的位置不會(huì)發(fā)生偏移,即保證已經(jīng)完成轉(zhuǎn)印的紅色led微粒4和綠色led微粒8的位置不會(huì)發(fā)生偏移,進(jìn)而保證所有l(wèi)ed微粒均準(zhǔn)確的處在對(duì)應(yīng)的位置上,實(shí)現(xiàn)顯示的精準(zhǔn)化。
第二種方式:步驟s4具體可包括:僅在所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體的頂面和兩個(gè)側(cè)面覆蓋鍵合體保護(hù)層,使未進(jìn)行轉(zhuǎn)印的鍵合體基座所對(duì)應(yīng)的鍵合體基座均裸露。其中,轉(zhuǎn)印鍵合體的頂面為轉(zhuǎn)印鍵合體背向基板的表面,轉(zhuǎn)印鍵合體的兩個(gè)側(cè)面為轉(zhuǎn)印鍵合體中與頂面相交的兩個(gè)表面。
其中,在所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體的頂面和兩個(gè)側(cè)面上覆蓋鍵合體保護(hù)層具體包括:通過(guò)旋涂工藝或滴注工藝在所形成的轉(zhuǎn)印鍵合體的頂面和兩個(gè)側(cè)面上覆蓋作為鍵合體保護(hù)層的光刻膠層。
當(dāng)采用第二種方式形成鍵合體保護(hù)層時(shí),下面結(jié)合圖5所示的具體工藝流程圖,以需要轉(zhuǎn)印紅綠藍(lán)三種顏色的led微粒以及在基板設(shè)有3組鍵合體基座為例,對(duì)本實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法進(jìn)行具體說(shuō)明。
h1、提供一基板1,在基板上設(shè)有3組鍵合體基座,每組鍵合體基座包括3個(gè)鍵合體基座2。其中,每組鍵合體基座中的3個(gè)鍵合體基座2與紅綠藍(lán)3種顏色的led微粒一一對(duì)應(yīng)。
h2、在基板1上形成覆蓋所有鍵合體基座2的基座保護(hù)層3,并對(duì)基座保護(hù)層3進(jìn)行光刻,使得紅色的led微粒4所對(duì)應(yīng)的鍵合體基座2裸露。
h3、通過(guò)轉(zhuǎn)印吸盤(pán)5上的轉(zhuǎn)印頭51從第一生長(zhǎng)基板上抓取3個(gè)紅色led微粒4。
h4、將紅色led微粒4轉(zhuǎn)印至3組鍵合體基座中與紅色led微粒4對(duì)應(yīng)的鍵合體基座上2,形成第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6。
h5、在第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6的頂面和兩個(gè)側(cè)面覆蓋鍵合體保護(hù)層7,并對(duì)基座保護(hù)層3進(jìn)行光刻,使綠色led微粒8所對(duì)應(yīng)的鍵合體基座2裸露。
h6、通過(guò)轉(zhuǎn)印吸盤(pán)5上的轉(zhuǎn)印頭51從第二生長(zhǎng)基板上抓取3個(gè)綠色led微粒8。
h7、將綠色led微粒8轉(zhuǎn)印至3組鍵合體基座中與綠色led微粒8對(duì)應(yīng)的鍵合體基座上2,形成第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9。
h8、在第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9的頂面和兩個(gè)側(cè)面覆蓋鍵合體保護(hù)層7,并對(duì)基座保護(hù)層3進(jìn)行光刻,使藍(lán)色led微粒10所對(duì)應(yīng)的鍵合體基座2均裸露。
h9、通過(guò)轉(zhuǎn)印吸盤(pán)5上的轉(zhuǎn)印頭51從第三生長(zhǎng)基板上抓取3個(gè)藍(lán)色led微粒10。
h10、將藍(lán)色led微粒10轉(zhuǎn)印至3組鍵合體基座中與藍(lán)色led微粒10對(duì)應(yīng)的鍵合體基座上2,形成第三組轉(zhuǎn)印鍵合體11。
h11、去除第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6和第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9上所覆蓋的鍵合體保護(hù)層7,使第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6、第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9和第三組轉(zhuǎn)印鍵合體11裸露,即使紅色led微粒4、綠色led微粒8和藍(lán)色led微粒10均裸露,形成led微粒陣列。
需要說(shuō)明的是,上述基座保護(hù)層3和鍵合體保護(hù)層7均可為光刻膠層。
采用上述方法,在所形成的第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6和第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9上均覆蓋有鍵合體保護(hù)層7,進(jìn)而在后續(xù)的轉(zhuǎn)印過(guò)程中,保證第一組轉(zhuǎn)印鍵合體6和第二組轉(zhuǎn)印鍵合體9的位置不會(huì)發(fā)生偏移,即保證已經(jīng)完成轉(zhuǎn)印的紅色led微粒4和綠色led微粒8的位置不會(huì)發(fā)生偏移,進(jìn)而保證所有l(wèi)ed微粒均處在對(duì)應(yīng)的位置上,實(shí)現(xiàn)顯示的精準(zhǔn)化。
可以理解的是,鍵合體基座2具體可由合金或是導(dǎo)電膠制成?;?與鍵合體基座2之間還設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)紅色led微粒4、綠色led微粒8和藍(lán)色led微粒10發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電路。
需要說(shuō)明的是,紅色led微粒4、綠色led微粒8和藍(lán)色led微粒10進(jìn)行轉(zhuǎn)印的順序可任意調(diào)換,本實(shí)施例對(duì)此不做限制。
在本實(shí)施例所提供的led微粒轉(zhuǎn)印方法中,步驟s6具體可包括:通過(guò)曝光和灰化工藝,去除前n-1次所形成的鍵合體保護(hù)層,使所有l(wèi)ed微粒裸露。
以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。