技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于脊形有源區(qū)弱波導(dǎo)的半導(dǎo)體光放大器，包括有源層，以及分別生長于有源層上表面和下表面的上波導(dǎo)層和下波導(dǎo)層，有源層的折射率與上波導(dǎo)層或者下波導(dǎo)層的折射率的差值小于或者等于閾值，使得基模強(qiáng)光場從有源層擴(kuò)散至所述下波導(dǎo)層。有源區(qū)與波導(dǎo)區(qū)折射率之差對光場具有限制作用，并影響光場分布，因此，通過限制有源層的折射率與所述上波導(dǎo)層或者所述下波導(dǎo)層的折射率的差值在閾值內(nèi)，使得有源層的光場限制因子的大小得到限制，形成弱波導(dǎo)，有源層光場強(qiáng)度分布不再是最大值，基模強(qiáng)光場分布由原來的有源層擴(kuò)散至上波導(dǎo)層和下波導(dǎo)層，形成大尺寸基模光斑，提高了飽和輸出功率和光束質(zhì)量，具有工藝簡單、性能穩(wěn)定、成本低的優(yōu)勢。

技術(shù)研發(fā)人員：梁磊;張建;張星;秦莉;曾玉剛;寧永強(qiáng);王立軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.27
技術(shù)公布日：2017.07.18