本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于手機(jī)充電電路的阻尼二極管。屬于集成電路或分立器件芯片制造
技術(shù)領(lǐng)域：
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背景技術(shù)：
：隨著智能手機(jī)的快速發(fā)展，手機(jī)電池容量也在穩(wěn)步提高，與之對(duì)應(yīng)的充電速度要求越來(lái)越高，充電功率及轉(zhuǎn)化效率這兩點(diǎn)是衡量“快充技術(shù)”的重要指標(biāo)?，F(xiàn)有充電電路中的RLC回路采用的二極管為1N4005、1N4006等整流二極管，其轉(zhuǎn)化效率見表一：負(fù)載020%50%100%輸出電流(A)00.3980.99652.9946輸出電壓(V)5.0515.0495.0475.046輸出功率(W)02.0095025.02933610.06475輸入電流(mA)28.95250.1395.54172.99輸入功率(W)0.2682.8686.76713.482輸入電壓(V)230230230230轉(zhuǎn)化效率(%)0.00%70.07%74.32%74.65%表一不足之處在于：電壓波形有震蕩，轉(zhuǎn)化效率偏低。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種能改善電壓波形、提高轉(zhuǎn)化效率的二極管。本發(fā)明解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：一種阻尼二極管，它包括框架和NPN雙極晶體管，在所述框架的一側(cè)依次設(shè)置有陽(yáng)極、中引腳和陰極，所述NPN雙極晶體管安裝于框架上，所述NPN雙極晶體管的發(fā)射極和基極分別通過(guò)金屬線連接至框架上的陽(yáng)極上，使得發(fā)射極與基極短接，所述NPN雙極晶體管的集電極以共晶方式連接至框架的陰極上，框架的中引腳懸空并剪切，使其短于陽(yáng)極和陰極引腳。優(yōu)選地，所述NPN雙極晶體管包括環(huán)摻雜區(qū)、基極摻雜區(qū)、發(fā)射極摻雜區(qū)和集電極摻雜區(qū)，所述環(huán)摻雜區(qū)開設(shè)于集電極摻雜區(qū)上，所述基極摻雜區(qū)位于環(huán)摻雜區(qū)（2.1）內(nèi)部且兩者緊密相連，所述發(fā)射極摻雜區(qū)位于基極摻雜區(qū)內(nèi)部且兩者緊密相連，通過(guò)在集電極摻雜區(qū)摻雜濃磷和淡磷并擴(kuò)散形成集電極，通過(guò)在環(huán)摻雜區(qū)內(nèi)摻雜濃硼并擴(kuò)散形成GR環(huán)，結(jié)深達(dá)到15um左右，通過(guò)在基極摻雜區(qū)進(jìn)行摻雜淡硼并擴(kuò)散形成基極，結(jié)深達(dá)到5um左右，對(duì)發(fā)射極摻雜區(qū)進(jìn)行摻雜濃磷并擴(kuò)散形成發(fā)射極，結(jié)深達(dá)到2um左右。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：本發(fā)明的阻尼二極管短路連接了NPN高頻高壓雙極型晶體管的基極與發(fā)射極，相較普通的整流二極管，本發(fā)明的阻尼二極管有著儲(chǔ)存時(shí)間長(zhǎng)及平滑截止的特性。在RLC回路應(yīng)用上，他的長(zhǎng)儲(chǔ)存時(shí)間提供足夠的時(shí)間周期以回收損耗的能量；同時(shí)為了避免電壓及電流重疊而造成損耗的發(fā)生，利用平滑截止的特性來(lái)緩沖電流。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明中NPN雙極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中：框架1、NPN雙極晶體管2、環(huán)摻雜區(qū)2.1、基極摻雜區(qū)2.2、發(fā)射極摻雜區(qū)2.3、集電極摻雜區(qū)2.4、陽(yáng)極3、中引腳4、陰極5、金屬線6。具體實(shí)施方式以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。參見圖1、2，本發(fā)明涉及一種阻尼二極管，它包括框架1和NPN雙極晶體管2，在所述框架1的一側(cè)依次設(shè)置有陽(yáng)極3、中引腳4和陰極5，所述NPN雙極晶體管2安裝于框架1上，包括環(huán)摻雜區(qū)2.1、基極摻雜區(qū)2.2、發(fā)射極摻雜區(qū)2.3和集電極摻雜區(qū)2.4，所述環(huán)摻雜區(qū)2.2開設(shè)于集電極摻雜區(qū)2.4上，所述基極摻雜區(qū)2.2位于環(huán)摻雜區(qū)2.1內(nèi)部且兩者緊密相連，所述發(fā)射極摻雜區(qū)2.3位于基極摻雜區(qū)2.2內(nèi)部且兩者緊密相連，通過(guò)在集電極摻雜區(qū)2.4摻雜濃磷和淡磷并擴(kuò)散形成集電極，通過(guò)在環(huán)摻雜區(qū)2.1內(nèi)摻雜濃硼并擴(kuò)散形成GR環(huán)，結(jié)深達(dá)到15um左右，通過(guò)在基極摻雜區(qū)2.2進(jìn)行摻雜淡硼并擴(kuò)散形成基極，結(jié)深達(dá)到5um左右，對(duì)發(fā)射極摻雜區(qū)2.3進(jìn)行摻雜濃磷并擴(kuò)散形成發(fā)射極，結(jié)深達(dá)到2um左右，其“GR環(huán)”結(jié)深設(shè)計(jì)的較深，以提高擊穿電壓BVCBO典型值；同時(shí)基區(qū)結(jié)深設(shè)計(jì)的比較淺，基區(qū)寬度較小，可以得到較理想的高頻性能。所述NPN雙極晶體管2的發(fā)射極和基極分別通過(guò)金屬線6（打線方式）連接至框架1上的陽(yáng)極3上，使得發(fā)射極與基極短接，從而使整個(gè)二極管具有平滑截止的特性，可以避免電壓和電流重疊造成的損耗，所述NPN雙極晶體管2的集電極以共晶方式連接至框架1的陰極5上，框架1的中引腳5懸空并剪切，使其短于陽(yáng)極和陰極的引腳。采用上述阻尼二極管后的轉(zhuǎn)化效率見表二：負(fù)載020%50%100%輸出電流(A)00.3980.99652.9946輸出電壓(V)5.0495.0495.0485.048輸出功率(W)02.0095025.03033210.06874輸入電流(mA)28.92349.61494.26170.53輸入功率(W)0.2622.8116.62113.254輸入電壓(V)230230230230轉(zhuǎn)化效率(%)0.00%72.49%75.98%75.97%表二除上述實(shí)施例外，本發(fā)明還包括有其他實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3