本申請要求于2016年3月22日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0033989號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

本公開涉及一種顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)迅速地發(fā)展，已經(jīng)引入了具有諸如纖薄輪廓、重量輕且低功耗的優(yōu)異特性的各種平板顯示設(shè)備。隨著最近顯示技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)研究并開發(fā)了柔性顯示設(shè)備，并正在積極地研究和開發(fā)能夠改變成各種形狀的可伸展的顯示設(shè)備。

同時，具有纖薄輪廓和柔性特性的顯示設(shè)備可包括薄膜包封層，以阻擋來自外部的濕氣、氧等的滲透。傳統(tǒng)的薄膜包封層具有無機層和有機層交替堆疊的構(gòu)造。然而，因為薄膜包封層與顯示設(shè)備整體地形成，所以薄膜包封層會使顯示設(shè)備的柔性劣化，并且薄膜包封層會在顯示設(shè)備的形狀改變時被損壞。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的一個或更多個實施例提供一種顯示設(shè)備。

額外的方面將部分地在下面的描述中進行闡述，并且部分地通過描述將是清楚的或者可通過實踐提出的實施例而了解。

根據(jù)一個或更多個實施例，顯示設(shè)備包括：基底；多個顯示單元，設(shè)置在基底上，均包括包含至少一個無機層的薄膜晶體管、設(shè)置在薄膜晶體管上的鈍化層以及電連接到薄膜晶體管的顯示器件；以及多個包封層，分別包封所述多個顯示單元，其中，基底包括彼此分隔開的多個島狀體、將所述多個島狀體彼此連接的多個連接單元以及在所述多個連接單元之間穿透基底的多個通孔，所述多個顯示單元分別設(shè)置在所述多個島狀體上，所述至少一個無機層和鈍化層在所述多個連接單元上延伸，鈍化層包括暴露所述至少一個無機層的一部分的溝槽，所述多個包封層中的包封層經(jīng)由溝槽接觸所述至少一個無機層的暴露的部分。

溝槽可設(shè)置在所述多個連接單元中的連接單元上。

溝槽可橫跨連接單元的寬度延伸，并可與所述多個島狀體中的島狀體的側(cè)表面對齊。

溝槽可以位于所述多個島狀體中的島狀體上，并可完全地圍繞所述多個顯示單元中的顯示單元。

所述至少一個無機層可包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層位于薄膜晶體管的有源層與柵電極之間，第二絕緣層設(shè)置在柵電極上。溝槽可暴露第一絕緣層或第二絕緣層的一部分。

包封層可接觸所述多個島狀體中的島狀體的側(cè)表面。

包封層可包括錫氟磷酸鹽玻璃、硫族化物玻璃、亞碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃和磷酸鹽玻璃中的至少一種。

所述多個包封層中的每個可包括至少一個無機層和至少一個有機層。包封層的所述至少一個無機層可經(jīng)由溝槽接觸薄膜晶體管的所述至少一個無機層的暴露的部分。

包封層的所述至少一個無機層和所述至少一個有機層中的至少一個可包括包含碳和氫的氧化硅。

所述多個包封層中的每個可包括第一無機層、第二無機層以及位于第一無機層與第二無機層之間的有機層。第一無機層和第二無機層中的至少一個可接觸所述多個島狀體中的島狀體的側(cè)表面，并可經(jīng)由溝槽接觸薄膜晶體管的所述至少一個無機層的暴露的部分。

所述多個連接單元中的連接單元可包括設(shè)置在連接單元的至少一部分上的彎曲部，從第一無機層和第二無機層中設(shè)置在包封層的最外側(cè)上的第二無機層可以在彎曲部上方延伸。

所述多個顯示單元中的每個可包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，圍繞顯示區(qū)域的至少一部分的壩單元可設(shè)置在非顯示區(qū)域中。第一無機層和第二無機層可覆蓋壩單元，并在壩單元周圍彼此接觸。

薄膜晶體管可包括有源層、柵電極、源電極和漏電極。顯示器件可包括第一電極、第二電極以及位于第一電極與第二電極之間包括有機發(fā)射層的中間層。第一電極可從源電極和漏電極中的一個延伸。所述多個顯示單元中的每個還可包括濾色器，所述濾色器設(shè)置在第一電極與所述多個島狀體中的島狀體之間并包括與第一電極疊置的部分。

所述多個島狀體和所述多個連接單元可以是一體的。

所述多個島狀體可在第一方向和與第一方向不同的第二方向上重復(fù)。四個連接單元可連接到所述多個島狀體中的每個。連接到多個島狀體之中的一個島狀體的四個連接單元可沿不同的方向延伸，并可分別連接到位于所述一個島狀體周圍的四個相鄰島狀體。

所述四個連接單元可包括一對第一連接單元和一對第二連接單元，一對第一連接單元位于所述一個島狀體的相對側(cè)上并均沿第一方向延伸，一對第二連接單元位于所述一個島狀體的相對側(cè)上并均沿第二方向延伸。第一布線單元可設(shè)置在所述一對第一連接單元上，第二布線單元可設(shè)置在所述一對第二連接單元上。第一布線單元和第二布線單元可以在所述一個島狀體上交叉。

第一布線單元可包括沿所述多個通孔中的通孔在第二方向上彎曲的區(qū)域，第二布線單元可包括沿通孔在第一方向上彎曲的區(qū)域。

薄膜晶體管可包括有源層、柵電極、源電極和漏電極。源電極、漏電極、第一布線單元和第二布線單元可包括相同的材料。

第一布線單元可包括第一電壓線、第二電壓線和至少一條數(shù)據(jù)線，第二布線單元可包括至少一條掃描線。

顯示器件可包括第一電極、第二電極以及位于第一電極與第二電極之間并包括有機發(fā)射層的中間層。第一電壓線可將分別包括在所述多個顯示單元中并彼此分開的第一電極彼此電連接。第二電壓線可將分別包括在所述多個顯示單元中并彼此分開的第二電極彼此電連接。

所述多個島狀體之中的兩個相鄰島狀體可通過一個連接單元彼此連接。連接到所述一個連接單元的所述兩個相鄰島狀體中的每個與所述一個連接單元延伸所沿的方向可以成銳角。

所述多個島狀體中的每個可具有四邊形形狀，所述多個島狀體中的每個的四個拐角可沿第一方向和第二方向?qū)颉?/p>

顯示設(shè)備還可包括分別設(shè)置在基底的上表面和下表面上的第一保護膜和第二保護膜。第一保護膜和第二保護膜可包括伸長片。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖對實施例的描述，這些和/或其它方面將變得明顯且更容易理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)本公開的實施例的顯示設(shè)備的示意性平面圖；

圖2是根據(jù)實施例的圖1的部分a的放大平面圖；

圖3是根據(jù)實施例的圖1的單元的示意性平面圖；

圖4是根據(jù)實施例的沿圖3的線i-i'截取的剖視圖；

圖5是根據(jù)實施例的沿圖3的線ii-ii'截取的剖視圖；

圖6是根據(jù)實施例的沿圖3的線iii-iii'截取的剖視圖；

圖7是根據(jù)另一實施例的沿圖3的線ii-ii'截取的剖視圖；

圖8是根據(jù)另一實施例的圖1的單元的示意性平面圖；

圖9是根據(jù)另一實施例的沿圖3的線i-i'截取的剖視圖；

圖10是根據(jù)另一實施例的沿圖3的線ii-ii'截取的剖視圖；

圖11是根據(jù)另一實施例的沿圖3的線iii-iii'截取的剖視圖；

圖12是根據(jù)另一實施例的沿圖3的線ii-ii'截取的剖視圖；

圖13是根據(jù)另一實施例的沿圖3的線i-i'截取的剖視圖；

圖14是根據(jù)又一實施例的沿圖3的線i-i'截取的剖視圖；

圖15是圖1的部分a的放大平面圖；

圖16是根據(jù)實施例的沿圖15的線vi-vi'截取的剖視圖；

圖17是根據(jù)實施例的沿圖15的線vii-vii'截取的剖視圖；

圖18是作為圖1的顯示設(shè)備的修改的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖19是作為圖1的顯示設(shè)備的另一修改的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；以及

圖20是根據(jù)另一實施例的圖1的部分a的放大平面圖。

具體實施方式

本公開允許各種改變和許多實施例，將在附圖中示出并在書面描述中詳細地描述具體的實施例。然而，這不旨在將本公開的范圍限制在實際的特定模式，將理解地是，沒有脫離本公開的精神和技術(shù)范圍的所有改變、等價物和替代物包括在本公開中。在本公開的以下描述中，提供公開的實施例的詳細描述，以闡明本公開的示例性特征。

盡管可使用如“第一”、“第二”等的這樣的術(shù)語來描述各種組件，但是這樣的組件不應(yīng)限制于以上術(shù)語。以上術(shù)語可用于將一個組件與另一組件區(qū)分開。

在本說明書中使用的術(shù)語僅用于描述特定的實施例，不旨在限制本公開的范圍。以單數(shù)形式使用的表述包括復(fù)數(shù)形式的表述，除非該單數(shù)形式的表述在上下文中具有明確不同的含義。在附圖中，為了解釋的方便和清楚，會夸大、省略或示意性地示出組件。換言之，附圖中的組件的尺寸和厚度可能不反映組件的真實尺寸和厚度。

以下將參照附圖更詳細地描述本公開的一個或更多個實施例。相同或一致的那些組件用相同的附圖標(biāo)記呈現(xiàn)，而不管附圖編號，可省略多余的解釋。

圖1是根據(jù)本公開的實施例的顯示設(shè)備10的示意性平面圖，圖2是根據(jù)實施例的圖1的部分a的放大平面圖。

參照圖1，顯示設(shè)備10可包括基底100和位于基底100上的顯示單元200。

基底100可包括各種材料。基底100可包括諸如玻璃、金屬或有機材料的材料。

根據(jù)另一實施例，基底100可包括柔性材料。例如，基底100可包括可容易彎曲、折疊或卷取的材料。柔性基底100可包括諸如超薄玻璃、金屬或塑料的柔性材料。當(dāng)基底100包括塑料時，基底100可包括聚酰亞胺(pi)。作為另一示例，基底100可包括另一類型的塑料材料。

基底100可包括彼此分隔開的多個島狀體101、將多個島狀體101彼此連接的多個連接單元102以及在多個連接單元102之間穿透基底100的多個通孔v。如將參照圖18描述的，第一保護膜410和第二保護膜420可分別設(shè)置在基底100的下表面和上表面上。

多個島狀體101可被布置為彼此分隔開。例如，多個島狀體101可在第一方向x以及與第一方向x不同的第二方向y上重復(fù)，以形成平面格子圖案。例如，第一方向x和第二方向y可以以90°角交叉。作為另一示例，第一方向x和第二方向y可以以銳角或者鈍角交匯。

多個顯示單元200可分別設(shè)置在多個島狀體101上。每個顯示單元200可至少包括顯示器件以實現(xiàn)可見光。以下將參照圖4詳細地描述每個顯示單元200。

多個連接單元102可將多個島狀體101彼此連接。例如，連接到島狀體101中的每個的四個連接單元102在不同方向上延伸為連接到相鄰島狀體101中的每個島狀體，使得四個連接單元102可分別連接到在島狀體101周圍的四個相鄰島狀體101。多個島狀體101和多個連接單元102可由相同的材料形成，并可彼此連接。換言之，多個島狀體101和多個連接單元102可彼此一體地形成。

通孔v穿透基底100。通孔v可提供位于多個島狀體101之間的間隔區(qū)域，減輕基底100的重量，同時改善基底100的柔性。當(dāng)基底100被彎曲或卷取等時，通孔v的形狀改變，以有效地減小在基底100的變形期間產(chǎn)生的應(yīng)力。因此，可防止基底100在變形下的不正常變形和應(yīng)力集中，并可改善基底100的耐久性。

可經(jīng)由蝕刻等通過去除基底100的選擇的區(qū)域來形成通孔v。作為另一示例，可在制造基底100期間將基底100制造成包括通孔v。作為另一示例，在基底100上形成多個顯示單元200之后，可通過將基底100圖案化來形成通孔v。可以以各種方式在基底100中形成通孔v，形成通孔v的方法可不限于在此描述的示例。

在下文中，單元u指基底100的基本單元，將參照單元u來更詳細地描述基底100的結(jié)構(gòu)。

單元u可在第一方向x和第二方向y上重復(fù)。換言之，基底100可被理解為在第一方向x和第二方向y上重復(fù)的多個單元u的組合。每個單元u可包括島狀體101以及連接到島狀體101的至少一個連接單元102。例如，四個連接單元102可連接到一個島狀體101。

兩個相鄰單元u的島狀體101可彼此分隔開，兩個相鄰單元u的連接單元102可彼此連接。單元u中包括的連接單元102可被稱為連接單元102的在單元u內(nèi)的部分區(qū)域，或者可被稱為在兩個相鄰島狀體101之間將這兩個相鄰島狀體101彼此連接的整個連接單元102。

多個單元u之中的四個相鄰單元u在這四個單元u之間形成封閉曲線cl，封閉曲線cl可限定在此稱為通孔v的空的空間。通孔v也可稱為間隔區(qū)域v。間隔區(qū)域通過去除基底100的一個區(qū)域來形成，并可改善基底100的柔性，同時減小在基底100變形時產(chǎn)生的應(yīng)力。每個連接單元102可具有比每個島狀體101的寬度小的寬度，間隔區(qū)域可接觸四個單元u的島狀體101。

多個單元u之中的兩個相鄰單元u可相互對稱。詳細地，如圖1中所示，一個單元u可在第二方向y上同與所述一個單元u相鄰的另一單元u關(guān)于平行于第一方向x的對稱軸對稱。同時，一個單元u可在第一方向x上同與所述一個單元u相鄰的另一單元u關(guān)于平行于第二方向y的對稱軸對稱。

連接單元102延伸所沿的方向與島狀體101的該連接單元102所連接到的側(cè)表面之間的角θ可以是銳角。例如，當(dāng)每個島狀體101是四邊形且被設(shè)置為使得島狀體101的四個拐角中的每個沿第一方向x或第二方向y導(dǎo)向時，連接單元102可在與四個拐角相鄰的區(qū)域處連接到島狀體101，并可沿與第二方向y或第一方向x平行的方向延伸。換言之，連接到沿第一方向x導(dǎo)向的拐角的連接單元102可沿第二方向y或與第二方向y相反的方向-y導(dǎo)向，連接到沿第二方向y導(dǎo)向的拐角的連接單元102可沿第一方向x或與第一方向x相反的方向-x導(dǎo)向。

因此，兩個相鄰島狀體101的連接到一個連接單元102的側(cè)表面中的每個可分別與該連接單元102延伸所沿的方向成銳角。因此，可密集地布置島狀體101，可通過使連接單元102的長度最小化來使間隔區(qū)域的面積最大化。如圖2中所示，基底100可展現(xiàn)伸長性質(zhì)。

圖2示出基底100在第一方向x和第二方向y兩個方向上伸長之前和伸長之后的基底100的形狀。參照圖2，當(dāng)基底100被伸長時，由連接單元102同島狀體101的連接單元102所連接到的側(cè)表面形成的角增大(θ<θ')，因此可使間隔區(qū)域擴大。因此，可增大島狀體101之間的間隔，因此基底100可沿第一方向x和第二方向y兩個方向伸長。

由于每個連接單元102具有比每個島狀體101的寬度小的寬度，因此在外力施加到基底100時與角θ的增大對應(yīng)的形狀變化可主要發(fā)生在連接單元102中，并且在基底100的伸長期間島狀體101的形狀可基本上不改變。因此，即使基底100被伸長時，也可穩(wěn)定地保持島狀體101上的顯示單元200，因此顯示設(shè)備10可適合于需要柔性的顯示設(shè)備，例如，彎曲顯示設(shè)備、柔性顯示設(shè)備或可伸展的顯示設(shè)備。

此外，由于在基底100的伸長期間應(yīng)力集中于連接單元102的連接到島狀體101的側(cè)表面的連接部分，因此連接單元102的連接區(qū)域c可包括彎曲的表面，以防止由于集中的應(yīng)力導(dǎo)致的連接單元102的撕裂等。

根據(jù)實施例，圖3是圖1的單元u的示意性平面圖，圖4是沿圖3的線i-i'截取的剖視圖，圖5是沿圖3的線ii-ii'截取的剖視圖，圖6是沿圖3的線iii-iii'截取的剖視圖。圖7是根據(jù)另一實施例的沿圖3的線ii-ii'截取的剖視圖。圖8是圖1的單元u的另一示例的示意性平面圖。

參照圖3至圖8，顯示單元200和包封顯示單元200的包封層300可位于單元u的島狀體101上。

顯示單元200可位于島狀體101上，并可包括顯示區(qū)域da和圍繞顯示區(qū)域da的非顯示區(qū)域nda。在顯示區(qū)域da中，可定位有發(fā)射例如紅(r)光、藍(b)光、綠(g)光或白(w)光的至少一個有機發(fā)光器件230。這里，有機發(fā)光器件230可被稱為且可被描述為顯示器件。然而，本公開的實施例不限于此，顯示單元200可包括各種其它類型的顯示器件，諸如液晶顯示器。

顯示單元200可包括發(fā)射紅(r)光、藍(b)光、綠(g)光或白(w)光的一個有機發(fā)光器件230，因此一個顯示單元200可形成一個子像素。作為另一示例，顯示單元200可包括發(fā)射不同光的多個有機發(fā)光器件230。例如，一個顯示單元200可通過包括發(fā)射紅(r)光的有機發(fā)光器件230、發(fā)射綠(g)光的有機發(fā)光器件230以及發(fā)射藍(b)光的有機發(fā)光器件230來形成像素。作為另一示例，顯示單元200可包括多個像素。

顯示單元200內(nèi)的有機發(fā)光器件230可以根據(jù)有機發(fā)射層中包括的材料的效率以諸如rgb構(gòu)造、pentile結(jié)構(gòu)和蜂窩狀結(jié)構(gòu)的各種構(gòu)造布置。

參照圖4，緩沖層202可形成在島狀體101上。例如，緩沖層202可由無機材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦和氮化鈦)、有機材料(例如，聚酰亞胺、聚酯和亞克力)或者堆疊的無機材料和有機材料形成。緩沖層202可形成在島狀體101和連接單元102兩者上。

薄膜晶體管tft可包括有源層203、柵電極205、源電極207和漏電極208?，F(xiàn)在將描述在其中有源層203、柵電極205、源電極207和漏電極208以所陳述的次序順序地形成的頂柵型薄膜晶體管tft的情況。然而，本實施例不限于此，可采用諸如底柵型薄膜晶體管tft的各種類型的薄膜晶體管tft。

有源層203可包括半導(dǎo)體材料，例如，非晶硅或多晶硅。然而，本實施例不限于此，有源層203可包括各種材料。根據(jù)另一實施例，有源層203可包括有機半導(dǎo)體材料等。根據(jù)另一實施例，有源層203可包括氧化物半導(dǎo)體材料。例如，有源層203可包括從12族、13族和14族金屬元素(例如，鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)、鎘(cd)和鍺(ge))以及它們的組合中選擇的材料的氧化物。

第一絕緣層204可形成在有源層203上。第一絕緣層204可由諸如氧化硅和/或氮化硅的無機材料以多層結(jié)構(gòu)或單層結(jié)構(gòu)形成。第一絕緣層204使有源層203與柵電極205絕緣。第一絕緣層204可形成在島狀體101和連接單元102兩者上。

柵電極205可形成在第一絕緣層204上，以與有源層203疊置。柵電極205可連接到將on/off信號施加到薄膜晶體管tft的柵極線(未示出)。柵電極205可包括低電阻金屬材料。柵電極205可由鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、銀(ag)、鎂(mg)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鈣(ca)、鉬(mo)、鈦(ti)、鎢(w)和銅(cu)中的至少一種以單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成。

第二絕緣層206可形成在柵電極205和第一絕緣層204上。第二絕緣層206使源電極207和漏電極208與柵電極205絕緣。第二絕緣層206可由無機材料以多層結(jié)構(gòu)或單層結(jié)構(gòu)形成。例如，無機材料可以是金屬氧化物或金屬氮化物。詳細地，無機材料可包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化鋁(al2o3)、氧化鈦(tio2)、氧化鉭(ta2o5)、氧化鉿(hfo2)或氧化鋯(zro2)等。

根據(jù)另一實施例，第二絕緣層206可以是由有機材料形成的單層，或者可以是包括多個有機材料層的多層結(jié)構(gòu)。有機材料可包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)的商用聚合物、具有苯酚類基團的聚合物衍生物、丙烯酰類聚合物、酰亞胺類聚合物、丙烯酰醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物或它們的混合物等。第二絕緣層206可以是堆疊的無機絕緣層和有機絕緣層。

第二絕緣層206可形成在島狀體101和連接單元102兩者上。

源電極207和漏電極208形成在第二絕緣層206上。源電極207和漏電極208可由從包括鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、銀(ag)、鎂(mg)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鈣(ca)、鉬(mo)、鈦(ti)、鎢(w)和銅(cu)的組中選擇的至少一種以單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成。源電極207和漏電極208經(jīng)由形成在第二絕緣層206和第一絕緣層204中的接觸孔接觸有源層203。

鈍化層209可覆蓋薄膜晶體管tft。鈍化層209可使由薄膜晶體管tft導(dǎo)致的臺階平坦化，從而防止有機發(fā)光器件230因不平坦而受損。

鈍化層209可以是由有機材料形成的單層，或者可以是包括多個有機材料層的多層結(jié)構(gòu)。有機材料可包括諸如pmma或ps的商用聚合物、具有苯酚類基團的聚合物衍生物、丙烯酰類聚合物、酰亞胺類聚合物、丙烯酰醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物或它們的混合物等。鈍化層209可以是堆疊的無機絕緣層和有機絕緣層。

鈍化層209可形成在島狀體101和連接單元102兩者上。位于連接單元102上的鈍化層209可包括使鈍化層209下的無機層暴露的溝槽t。在鈍化層209下被暴露的無機層可以是緩沖層202、第一絕緣層204和/或第二絕緣層206。

溝槽t可橫跨連接單元102的寬度延伸。因此，溝槽t可減少或防止外部濕氣經(jīng)由由有機材料形成的鈍化層209滲透到顯示單元200中。

例如，如圖3中所示，溝槽t可在島狀體101和連接單元102彼此連接的連接區(qū)域c中橫跨連接單元102的寬度延伸，并可與島狀體101的側(cè)表面對齊。詳細地，島狀體101的側(cè)表面的伸展可在溝槽t的寬度內(nèi)。

作為另一示例，如圖8中所示，溝槽t'可設(shè)置在島狀體101上以完全地圍繞顯示單元200。因此，可在島狀體101的每個上分別形成單獨的鈍化層209。

有機發(fā)光器件230形成在鈍化層209上。有機發(fā)光器件230可包括第一電極231、與第一電極231相對的第二電極232以及位于第一電極231與第二電極232之間的中間層233。

第一電極231可電連接到源電極207或漏電極208。第一電極231可具有各種形狀。例如，第一電極231可被圖案化成具有島狀形狀。

第一電極231可形成在鈍化層209上，并可經(jīng)由形成在鈍化層209中的接觸孔電連接到薄膜晶體管tft。例如，第一電極231可以是包括反射層的反射電極，反射層由銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)或它們的化合物形成。在另一示例中，第一電極231可包括位于反射層上的透明電極層。透明電極層可包括從包含氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦(in2o3)、氧化銦鎵(igo)和氧化鋁鋅(azo)的組中選擇的至少一種。

第二電極232可電連接到第二電壓線v2，并可接收比施加到第一電極231的第一電壓低的第二電壓。雖然第二電壓線v2和第二電極232被示出為經(jīng)由圖6中示出的連接線216彼此連接，但是本公開的實施例不限于此。例如，第二電壓線v2和第二電極232可彼此直接接觸。

第二電極232可具有各種形狀。例如，第二電極232可被圖案化成具有島狀形狀。因此，即使當(dāng)?shù)诙姌O232被包封層300完全地覆蓋，并且包封層300分別形成在島狀體101上時，也可防止第二電極232的一部分被暴露。

第二電極232可以是透明電極。第二電極232可包括包含li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg或它們的組合的金屬薄膜。輔助電極層或匯流電極可進一步形成在金屬薄膜上。輔助電極層或匯流電極可包括諸如ito、izo、zno或in2o3的材料。因此，第二電極232可透射由包括在中間層233中的有機發(fā)射層發(fā)射的光。換言之，由有機發(fā)射層發(fā)射的光可直接朝向第二電極232行進，或者可被形成為反射電極的第一電極231反射然后朝向第二電極232行進。

在以上參照圖3至圖8描述的示例中，顯示單元200是頂發(fā)射型。然而，根據(jù)另一實施例的顯示單元200不限于頂發(fā)射型。根據(jù)另一實施例，顯示單元200可以是由有機發(fā)射層發(fā)射的光朝向島狀體101發(fā)射的底發(fā)射型。在這種情況下，第一電極231可以是透明電極，第二電極232可以是反射電極。根據(jù)又一實施例的顯示單元200可以是沿朝向顯示單元200的頂表面和底表面兩個方向發(fā)射光的雙發(fā)射型。

包括絕緣材料的像素限定層219形成在第一電極231上。像素限定層219可通過使用諸如旋涂的方法由從包括聚酰亞胺、聚酰胺(pa)、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯(bcb)和酚醛樹脂的組中選擇的至少一種有機絕緣材料形成。像素限定層219使第一電極231的一個區(qū)域暴露。包括有機發(fā)射層的中間層233形成在第一電極231的暴露的區(qū)域上。換言之，像素限定層219限定有機發(fā)光器件的像素區(qū)域。

除了有機發(fā)射層之外，中間層233還可包括一個或更多個功能層，諸如空穴傳輸層(htl)、空穴注入層(hil)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)。

包封顯示單元200的包封層300可形成在第二電極232上。包封層300可阻擋外部氧和濕氣，并可包括單層或多個層。

包封層300可包括有機層和無機層中的至少一個。

有機層可包括pmma、聚碳酸酯(pc)、ps、丙烯酰類樹脂、環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺和/或聚乙烯。無機層可包括從包含氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰和氮氧化硅(sion)的組中選擇的至少一種。

根據(jù)另一實施例，包封層300可包括低溫粘度轉(zhuǎn)變(lvt)無機材料。粘度轉(zhuǎn)變溫度表示可對lvt無機材料提供流動性的最低溫度。粘度轉(zhuǎn)變溫度可低于包括在有機發(fā)光器件230中的材料的變性溫度。

lvt無機材料可以是例如具有200℃或更低的玻璃轉(zhuǎn)變溫度的低液相線溫度(llt)材料。更詳細地，llt材料可包括錫氟磷酸鹽玻璃、硫族化物玻璃、亞碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃和磷酸鹽玻璃中的至少一種。

例如，錫氟磷酸鹽玻璃可包括但不限于20重量％-80重量％的sn、2重量％-20重量％的磷(p)、3重量％-20重量％的氧(o)以及10重量％-36重量％的氟(f)。上述玻璃材料還可包括鎢(w)。當(dāng)鎢(w)被添加到玻璃材料時，可生產(chǎn)更穩(wěn)定且均勻的玻璃，因此包封層300可具有改善的化學(xué)耐久性。

lvt無機材料可包括sn氧化物(例如，sno或sno2)。例如，當(dāng)lvt無機材料包括sno時，sno含量可以是20重量％至100重量％。

包括sn氧化物的lvt無機材料還可包括但不限于p氧化物(例如，p2o5)、硼(b)磷酸鹽(bpo4)、sn氟化物(例如，snf2)、鈮氧化物(例如，nbo)和w氧化物(例如，wo3)中的至少一種。

例如，lvt無機材料可包括但不限于sno；sno和p2o5；sno和bpo4；sno、snf2和p2o5；sno、snf2、p2o5和nbo；或者sno、snf2、p2o5和wo3。

lvt無機材料可具有但不限于以下成分的任意一種：

1sno(100wt％)；

2sno(80wt％)和p2o5(20wt％)；

3sno(90wt％)和bpo4(10wt％)；

4sno(20wt％-50wt％)、snf2(30wt％-60wt％)和p2o5(10wt％-30wt％)(其中，sno、snf2和p2o5的重量總和為100wt％)；

5sno(20wt％-50wt％)、snf2(30wt％-60wt％)、p2o5(10wt％-30wt％)和nbo(1wt％-5wt％)(其中，sno、snf2、p2o5和nbo的重量總和為100wt％)；以及

6sno(20wt％-50wt％)、snf2(30wt％-60wt％)、p2o5(10wt％-30wt％)和wo3(1wt％-5wt％)(其中，sno、snf2、p2o5和wo3的重量總和為100wt％)。

由于這樣的包封層300由玻璃材料形成，因此即使當(dāng)包封層300不包括多個層時，包封層300也可有效地防止?jié)B透外部濕氣和氧。

包封層300可形成在一個島狀體101上，以包封一個顯示單元200。換言之，當(dāng)圖1的顯示設(shè)備10包括n個顯示單元200時，可形成n個包封層300。因此，當(dāng)顯示設(shè)備10被伸長時或者當(dāng)顯示設(shè)備10由于彎曲或卷取等而變形時，防止包封層300受損，例如，破裂，從而改善顯示設(shè)備10的可靠性和柔性。

包封層300可在顯示單元200的非顯示區(qū)域nda中接觸顯示單元200的無機層的暴露的部分。在這種情況下，顯示單元200的無機層可以是緩沖層202、第一絕緣層204和第二絕緣層206中的至少一個。包封層300還可延伸超過島狀體101，并可接觸島狀體101的側(cè)表面。因此，包封層300可有效地防止?jié)B透外部濕氣和/或氧。

包封層300可經(jīng)由溝槽t接觸包括緩沖層202、第一絕緣層204和第二絕緣層206中的至少一個的無機層的暴露的部分。

例如，如圖5中所示，當(dāng)?shù)诙^緣層206由無機材料形成時，包封層300可經(jīng)由溝槽t接觸第二絕緣層206的暴露的部分。作為另一示例，如圖7中所示，當(dāng)?shù)诙^緣層206由有機材料形成并且第二絕緣層206下方的第一絕緣層204由無機材料形成時，溝槽t可形成為使第一絕緣層204的一部分暴露，包封層300可經(jīng)由溝槽t接觸第一絕緣層204的暴露的部分。

溝槽t可與島狀體101的側(cè)表面對齊。顯示單元200被包封層300和無機層完全地圍繞且包封，使得顯示單元200被隔離，因此，可有效地減少或防止外部濕氣和/或氧滲透到顯示單元200中。

作為另一示例，如圖8中所示，當(dāng)溝槽t'形成在島狀體101上并完全地圍繞顯示單元200時，包封層300可經(jīng)由溝槽t'接觸第一絕緣層204或第二絕緣層206的暴露的部分，因此可有效地減少或防止?jié)B透外部濕氣和/或氧。

根據(jù)另一實施例，圖9是沿圖3的線i-i'截取的剖視圖，圖10是沿圖3的線ii-ii'截取的剖視圖，圖11是沿圖3的線iii-iii'截取的剖視圖。

參照圖3以及圖9至圖11，顯示單元200和包封層310形成在島狀體101上。顯示單元200可包括至少一個有機發(fā)光器件230和電連接到有機發(fā)光器件230的薄膜晶體管tft。由于島狀體101和顯示單元200與以上參照圖1至圖8描述的島狀體101和顯示單元200相同，因此可省略其重復(fù)的描述，現(xiàn)在僅將集中于它們之間的不同之處。

一個包封層310可形成在一個島狀體101上，以包封一個顯示單元200。

包封層310可包括例如相互交替堆疊的至少一個無機層(即，無機層312和314)和至少一個有機層(即，有機層316)。雖然包封層310包括圖9至圖11中的兩個無機層312和314以及單個有機層316，但是本公開的實施例不限于此。例如，包封層310還可包括相互交替堆疊的多個附加的無機層和多個附加的有機層，堆疊的無機層的數(shù)目和堆疊的有機層的數(shù)目不受限制。如以上參照圖4所描述的，包封層310可由lvt無機材料形成或者可包括由lvt無機材料形成的層。

根據(jù)實施例，無機層312和314可包括從包含氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰和氮氧化硅(sion)的組中選擇的至少一種。

有機層316可使由像素限定層219導(dǎo)致的臺階平坦化，并可減小在無機層312和314上產(chǎn)生的應(yīng)力。根據(jù)實施例，有機層316可包括從包含pmma、pc、ps、丙烯酰類樹脂、環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺和聚乙烯的組中選擇的至少一種。

根據(jù)另一實施例，有機層316可包括包含碳和氫的氧化硅(在下文中，稱為sioch)。例如，有機層316可由具有成分式sioxcyhz的材料形成。

當(dāng)有機層316由sioch形成時，可通過形成前驅(qū)膜然后將此前驅(qū)膜等離子體固化來形成有機層316，其中，通過使用原材料氣體(例如，六甲基二硅氧烷)和反應(yīng)氣體(例如，氧)經(jīng)由等離子體增強化學(xué)氣相沉積(pecvd)在第一無機層312上形成所述前驅(qū)膜?？稍谕皇覂?nèi)使用相同的方法來形成有機層316以及無機層312和314，以減少在形成包封層310期間的粘結(jié)時間。

根據(jù)另一實施例，無機層312和314中的至少一個可包括sioch。例如，無機層312和314中的至少一個可包括具有成分式siox’_cy’_hz’_的材料。

當(dāng)無機層312和314中的至少一個以及有機層316均由sioch形成時，用于形成無機層312和314中的至少一個的sioch的成分比可以與用于形成有機層316的sioch的成分比不同。詳細地，由于隨著氧含量比的增大以及碳含量比的減小，由sioch形成的膜具有與無機層相似的性質(zhì)，因此用于形成無機層312和314中的至少一個的sioch的氧含量可大于用于形成有機層316的sioch的氧含量，并且用于形成無機層312和314中的至少一個的sioch的碳含量可小于用于形成有機層316的sioch的碳含量。

可在生產(chǎn)sioch膜的期間對sioch的氧含量和碳含量進行調(diào)整。例如，可通過使用原材料氣體(例如，六甲基二硅氧烷)和反應(yīng)氣體(例如，氧)經(jīng)由pecvd來形成sioch膜。在這種情況下，當(dāng)增大作為反應(yīng)氣體的氧的流量比時，可增大sioch膜的氧含量，并可減小其碳含量。

這樣，當(dāng)無機層312和314中的至少一個以及有機層316均由sioch形成時，通過對反應(yīng)氣體的流量比進行簡單地調(diào)整，可在同一室內(nèi)連續(xù)地形成無機層312和314以及有機層316，導(dǎo)致改善包封層310的制造效率。

根據(jù)一個實施例，無機層312和314可具有比有機層316大的面積。無機層312和314可在有機層316周圍彼此接觸。無機層312和314中的至少一個可在顯示單元200的非顯示區(qū)域nda中接觸顯示單元200的無機層。在這種情況下，無機層可以是緩沖層202、第一絕緣層204或第二絕緣層206。無機層312和314中的至少一個還可延伸超過島狀體101，并可接觸島狀體101的側(cè)表面。因此，可改善包封層310的結(jié)合強度，包封層310可有效地防止外部濕氣和/或氧滲透到顯示單元200中。

顯示單元200的緩沖層202、第一絕緣層204、第二絕緣層206和鈍化層209可形成在連接單元102上，位于連接單元102上的鈍化層209可包括使鈍化層209下方的第一絕緣層204或第二絕緣層206的一部分暴露的溝槽t。在這種情況下，無機層312和314中的至少一個可經(jīng)由溝槽t接觸第一絕緣層204或第二絕緣層206的暴露的部分。

根據(jù)另一實施例，圍繞顯示單元200的顯示區(qū)域da的至少一部分的壩單元d可形成在顯示單元200的非顯示區(qū)域nda中。

例如，壩單元d可包括第一層和第二層，第一層由用于形成鈍化層209的材料形成，第二層由用于形成像素限定層219的材料形成。然而，本公開的實施例不限于此，壩單元d可包括單層。根據(jù)一些實施例，可包括多個壩單元d。當(dāng)包括多個壩單元d時，壩單元d中的每個具有沿朝向島狀體101的邊緣的方向增大的高度。

壩單元d可包括用于形成位于第一絕緣層204與像素限定層219之間的層中的至少一個層的相同的材料。

在形成包封層310的有機層316期間，壩單元d可阻擋用于形成有機層316的有機材料等朝向島狀體101的邊緣流動，從而防止形成有機層316的邊緣末端(edgetail)。因此，有機層316可面對或接觸壩單元d的內(nèi)表面。作為另一示例，有機層316可與壩單元d的一部分疊置，但不會延伸超過壩單元d。

然而，第一無機層312和第二無機層314可在壩單元d周圍彼此接觸，第一無機層312和第二無機層314中的至少一個可經(jīng)由溝槽t接觸第一絕緣層204或第二絕緣層206的暴露的部分，并也可接觸島狀體101的側(cè)表面。因此，可改善包封層310的結(jié)合強度，包封層310可有效地防止外部濕氣和/或氧滲透到顯示單元200中。

圖12是根據(jù)另一實施例的沿圖3的線ii-ii'截取的剖視圖。

參照圖12，顯示單元200可形成在島狀體101上。顯示單元200可包括圖4的包含無機層的薄膜晶體管tft以及圖4的電連接到薄膜晶體管tft的有機發(fā)光器件230。鈍化層209可置于薄膜晶體管tft與有機發(fā)光器件230之間。薄膜晶體管tft的無機層可以是第一絕緣層204和第二絕緣層206。

形成在島狀體101上的緩沖層202、第一絕緣層204、第二絕緣層206和鈍化層209可在連接單元102上方延伸。位于連接單元102上的鈍化層209可包括使鈍化層209下方的第一絕緣層204或第二絕緣層206的一部分暴露的溝槽t。

包封層310的無機層312和314中的至少一個可經(jīng)由溝槽t接觸第一絕緣層204或第二絕緣層206的暴露的部分。

根據(jù)一個實施例，圍繞顯示單元200的顯示區(qū)域da的至少一部分的壩單元d可形成在顯示單元200的非顯示區(qū)域nda中。有機層316可面對或接觸壩單元d的內(nèi)表面，或者可與壩單元d的一部分疊置，但不會延伸超過壩單元d。然而，無機層312和314可覆蓋壩單元d，并可在壩單元d周圍彼此接觸。

根據(jù)一個實施例，包封層310的最外面的無機層可在連接單元102上方延伸。例如，當(dāng)包封層310包括兩個無機層312和314時，位于包封層310的最外側(cè)上的第二無機層314可形成在島狀體101和連接單元102兩者上。

換言之，形成在連接單元102上的鈍化層209可被第二無機層314覆蓋。由于鈍化層209可由如上所述的有機材料形成，因此當(dāng)形成在連接單元102上的鈍化層209被由無機材料形成的第二無機層314覆蓋時，可防止鈍化層209的表面暴露于氧或濕氣，因此可防止氧或濕氣經(jīng)由鈍化層209滲透到顯示單元200中。

根據(jù)一個實施例，彎曲部p可形成在連接單元102上的區(qū)域的至少一部分上。例如，可通過將鈍化層209圖案化來形成彎曲部p。作為另一示例，可使用諸如通過在連接單元102上形成臺階等的各種方法來形成彎曲部p。形成彎曲部p的方法不限于此。

彎曲部p可形成在與圖3的島狀體101和連接單元102彼此連接所處的連接區(qū)域c對應(yīng)的位置處。在使圖1的基底100伸長期間，彎曲部p可減小會集中于連接單元102與島狀體101之間的連接部分的應(yīng)力。彎曲部p可防止在連接單元102上方延伸的第二無機層314受損，例如，破裂。

圖13是根據(jù)另一實施例的沿圖3的線i-i'截取的剖視圖。

參照圖13，顯示單元200'可設(shè)置在島狀體101上，并可包括源電極2111、漏電極2112、有源層2130、有機發(fā)光器件2125、柵電極2140、光保護層2105、濾色器2106和輔助電極2150。為了便于解釋，圖13沒有示出位于顯示單元200'上的包封層。然而，顯示單元200'可被包封層包封。

島狀體101可包括與在先前實施例中提及的材料相同的材料。緩沖層2102可形成在島狀體101上。

源電極2111和漏電極2112可形成在緩沖層2102上。有機發(fā)光器件2125的第一電極2120也可形成在緩沖層2102上。換言之，第一電極2120可從源電極2111或漏電極2112延伸。換言之，第一電極2120可包括用于形成源電極2111或漏電極2112的相同的材料，并可與源電極2111或漏電極2112一體地形成。因此，可改善顯示單元200'的工藝效率。

有源層2130可形成在源電極2111和漏電極2112上。有源層2130對應(yīng)于源電極2111與漏電極2112之間的空間。

根據(jù)另一實施例，有源層2130可接觸源電極2111和漏電極2112，具體地，可接觸源電極2111和漏電極2112的彼此面對的相應(yīng)的側(cè)表面。例如，有源層2130可接觸源電極2111的側(cè)表面之中的面對漏電極2112的側(cè)表面，并可接觸漏電極2112的側(cè)表面之中的面對源電極2111的側(cè)表面。根據(jù)另一實施例，有源層2130可接觸源電極2111的上表面的一部分以及漏電極2112的上表面的一部分。因此，增大有源層2130與源電極2111和漏電極2112之間的接觸面積，因此可實施短溝道結(jié)構(gòu)。

有源層2130可包括各種材料。例如，有源層2130可包括氧化物半導(dǎo)體材料。根據(jù)另一實施例，有源層2130可包括zno基氧化物。根據(jù)又一實施例，有源層2130可包括包含in、ga和/或sn的氧化物半導(dǎo)體材料。

根據(jù)又一實施例，有源層2130可包括g-i-z-o[(in2o3)a(ga2o3)b(zno)c]，其中，a、b、c是分別滿足a≥0、b≥0、c＞0的實數(shù)。

根據(jù)又一實施例，有源層2130可包括從12族、13族和14族金屬元素(例如，鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)、鎘(cd)、鍺(ge)和鉿(hf))以及它們的組合中選擇的材料的氧化物。

柵電極2140具有與有源層2130的至少一部分疊置的區(qū)域。柵電極2140可包括各種高導(dǎo)電的材料。根據(jù)另一實施例，柵電極2140可包括低電阻金屬材料，例如，鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)或鈦(ti)。

第一絕緣層2135形成在柵電極2140與有源層2130之間。第一絕緣層2135使柵電極2140與有源層2130電絕緣。

第一絕緣層2135可不覆蓋第一電極2120的至少一個區(qū)域。根據(jù)另一實施例，第一絕緣層2135可至少覆蓋第一電極2120的邊緣。

柵電極2140形成在第一絕緣層2135上。第一絕緣層2135可包括各種絕緣材料。例如，第一絕緣層2135可包括無機材料，諸如氧化硅、氮化硅或氧化鋁。作為另一示例，第一絕緣層2135可包括包含聚合物的有機材料。

第二絕緣層2144形成在柵電極2140上。第二絕緣層2144覆蓋柵電極2140。第二絕緣層2144形成在第一絕緣層2135上。第二絕緣層2144可不覆蓋第一電極2120的至少一個區(qū)域。

根據(jù)另一實施例，第二絕緣層2144可在與第一電極2120的上表面對應(yīng)的區(qū)域中覆蓋第一絕緣層2135。

根據(jù)另一實施例，第一絕緣層2135的至少一部分可在與第一電極2120的上表面對應(yīng)的區(qū)域中被暴露而不被第二絕緣層2144覆蓋。

第二絕緣層2144可包括各種絕緣材料。例如，第二絕緣層2144可包括無機材料，諸如氧化硅、氮化硅或氧化鋁。作為另一示例，第二絕緣層2144可包括包含聚合物的有機材料。

輔助電極2150可形成在第二絕緣層2144上。輔助電極2150接觸源電極2111和漏電極2112中的一個的至少一部分。第一絕緣層2135和第二絕緣層2144可暴露源電極2111和漏電極2112中的至少一個的至少一個區(qū)域，輔助電極2150可接觸該暴露的區(qū)域。

輔助電極2150可不面對第一電極2120的整個區(qū)域的不被第一絕緣層2135和第二絕緣層2144覆蓋的至少一部分。

輔助電極2150改善源電極2111和漏電極2112的電特性。具體地，當(dāng)源電極2111和漏電極2112由光透射材料形成時，源電極2111和漏電極2112的電阻會增大。此問題可通過形成具有低電阻率的材料的輔助電極2150來得以補償，以改善源電極2111和漏電極2112的電性質(zhì)。

輔助電極2150可包括各種導(dǎo)電材料，例如，高導(dǎo)電金屬材料。根據(jù)另一實施例，輔助電極2150可包括cu、ag、al、mo或au。根據(jù)一個實施例，輔助電極2150形成為與有源層2130分隔開，以防止輔助電極2150的成分擴散到有源層2130中并使有源層2130受損。

根據(jù)一個實施例，輔助電極2150可在第二絕緣層2144上形成在與柵電極2140的水平不同的水平上，從而使對柵電極2140的干擾最小化，并能夠?qū)烹姌O2140和輔助電極2150精確地圖案化。然而，根據(jù)另一實施例，輔助電極2150可在與柵電極2140的水平相同的水平上形成在第一絕緣層2135上。

鈍化層2145形成在第二絕緣層2144上。鈍化層2145覆蓋輔助電極2150。鈍化層2145可不覆蓋第一電極2120的至少一個區(qū)域。

根據(jù)一個實施例，鈍化層2145可在與第一電極2120的上表面對應(yīng)的區(qū)域中覆蓋第二絕緣層2144。根據(jù)另一實施例，第二絕緣層2144的至少一部分可在與第一電極2120的上表面對應(yīng)的區(qū)域中被暴露而不被鈍化層2145覆蓋。

鈍化層2145可以是由有機材料形成的單層，或者可以是包括多個有機材料層的多層結(jié)構(gòu)。有機材料可包括諸如pmma或ps的商用聚合物、具有苯酚類基團的聚合物衍生物、丙烯酰類聚合物、酰亞胺類聚合物、丙烯酰醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物或它們的混合物等。鈍化層2145可以是堆疊的無機絕緣層和有機絕緣層。

第一絕緣層2135、第二絕緣層2144和鈍化層2145也可形成在圖3的連接單元102上。第一絕緣層2135或第二絕緣層2144可經(jīng)由圖3的溝槽t暴露。暴露的第一絕緣層2135或暴露的第二絕緣層2144可接觸圖3的包封層300。

中間層2123形成在第一電極2120的上表面上。中間層2123可包括有機發(fā)射層，以產(chǎn)生可見光。中間層2123可產(chǎn)生各種顏色的光。換言之，例如，中間層2123可產(chǎn)生紅(r)光、綠(g)光和藍(b)光。根據(jù)另一實施例，中間層2123可產(chǎn)生白(w)光。

第二電極2122形成在中間層2123上。第二電極2122可包括各種導(dǎo)電材料，例如，li、ca、lif/ca、lif/al、al、mg和ag。

光保護層2105面對有源層2130。光保護層2105可面對有源層2130的表面之中與面對柵電極2140的表面背對的表面。因此，可防止有源層2130被光損壞。

根據(jù)一個實施例，覆層2103可形成在基底上，以覆蓋光保護層2105。覆層2103可形成在緩沖層2102下方。

濾色器2106面對第一電極2120的至少一個區(qū)域。詳細地，濾色器2106可面對第一電極2120的與中間層2123疊置的區(qū)域。濾色器2106可設(shè)置在第一電極2120與基底之間。

根據(jù)一個實施例，濾色器2106可形成在基底上，覆層2103可形成為覆蓋濾色器2106。覆層2103可形成在緩沖層2102下方。

濾色器2106可面對第一電極2120，因此可實現(xiàn)產(chǎn)生各種顏色的顯示設(shè)備。

當(dāng)在形成濾色器2106時，光保護層2105也可由基于例如紅(r)色的一種顏色的濾色器材料形成。換言之，在基底上形成光保護層2105和濾色器2106之后，覆層2103可形成為覆蓋光保護層2105和濾色器2106。

圖14是根據(jù)又一實施例的沿圖3的線i-i'截取的剖視圖。

參照圖3和圖14，顯示單元200可設(shè)置在島狀體101上，并可包括至少一個有機發(fā)光器件230和電連接到有機發(fā)光器件230的薄膜晶體管tft。有機發(fā)光器件230可包括第一電極231、中間層233和第二電極232。鈍化層209可設(shè)置在有機發(fā)光器件230與薄膜晶體管tft之間。為了便于解釋，圖14沒有示出位于顯示單元200上的包封層。然而，顯示單元200可被包封層包封。

像素限定層219暴露第一電極231的一個區(qū)域并限定有機發(fā)光器件230的像素區(qū)域。光阻擋層bl可設(shè)置在除了由像素限定層219限定的像素區(qū)域之外的剩余的區(qū)域上。

例如，當(dāng)顯示單元200是頂發(fā)射型時，光阻擋層bl可形成在像素限定層219的上表面上。然而，實施例不限于此，像素限定層219或鈍化層209可包括能夠阻擋光的材料。另一方面，當(dāng)顯示單元200是底發(fā)射型時，光阻擋層bl可設(shè)置在島狀體101與薄膜晶體管tft之間。

圖15是圖1的部分a的放大平面圖。根據(jù)實施例，圖16是沿圖15的線vi-vi'截取的剖視圖，圖17是沿圖15的線vii-vii'截取的剖視圖。

參照圖15至圖17，顯示設(shè)備10可包括多個島狀體101、將多個島狀體101彼此連接的多個連接單元102以及分別設(shè)置在多個島狀體101上的多個顯示單元200。顯示單元200的無機層和鈍化層209可連續(xù)地形成在島狀體101和連接單元102上。無機層可以分別是包括在圖4的薄膜晶體管tft中的緩沖層202、第一絕緣層204和第二絕緣層206。

多個顯示單元200中的每個可被圖4的包封層300包封。包封層300可經(jīng)由溝槽t接觸第一絕緣層204或第二絕緣層206的暴露的部分。

四個連接單元102連接到一個島狀體101。詳細地，位于一個島狀體101的相對側(cè)上并均沿第一方向x延伸的一對第一連接單元102a以及位于該島狀體101的相對側(cè)上并均沿第二方向y延伸的一對第二連接單元102b可連接到該島狀體101。

第一布線單元可位于兩個第一連接單元102a上，第二布線單元可位于兩個第二連接單元102b上。例如，第一布線單元可包括第一電壓線v1、第二電壓線v2和至少一條數(shù)據(jù)線dl，第二布線單元可包括至少一條掃描線sl。

第一布線單元和第二布線單元可在島狀體101上彼此交叉。

第一布線單元可沿第一方向x延伸，并可包括在第二方向y上沿通孔v彎曲的區(qū)域。由于第一布線單元可沿第一方向x延伸，并且第一布線單元可以以規(guī)律的間隔重復(fù)彎曲的形狀，因此可減小或防止由第一布線單元導(dǎo)致的顯示單元200之間的不均勻的亮度等。沿相同方向延伸的多個第一布線單元可形成為彼此不疊置，從而使它們之間的干擾最小化。

相似地，由于第二布線單元可沿第二方向y延伸，并且在第一方向x上的彎曲的形狀可以以規(guī)律的間隔重復(fù)，因此可減小或防止由第二布線單元導(dǎo)致的顯示單元200之間的不均勻的亮度等。沿相同方向延伸的多個第二布線單元可形成為彼此不疊置，從而使它們之間的干擾最小化。

第一布線單元和第二布線單元可包括相同的材料。例如，第一布線單元和第二布線單元可具有ti/al/ti的堆疊結(jié)構(gòu)，并可包括用于形成源電極207和漏電極208的高柔性的相同的材料。

圖16示出掃描線sl形成在第二連接單元102b上的示例。緩沖層202、第一絕緣層204、第二絕緣層206和鈍化層209可以以陳述的次序順序地堆疊在第二連接單元102b上，掃描線sl可形成在鈍化層209上。由于掃描線sl連接到薄膜晶體管的柵電極205以將掃描信號施加到薄膜晶體管，因此掃描線sl和薄膜晶體管的柵電極205可經(jīng)由接觸孔彼此電連接。

圖17示出第一電壓線v1、數(shù)據(jù)線dl和第二電壓線v2形成在第一連接單元102a上的示例。緩沖層202、第一絕緣層204、第二絕緣層206和鈍化層209可以以陳述的次序順序地堆疊在第一連接單元102a上，第一電壓線v1、數(shù)據(jù)線dl和第二電壓線v2可形成在鈍化層209上。

數(shù)據(jù)線dl可連接到薄膜晶體管的漏電極208，以將數(shù)據(jù)信號施加到薄膜晶體管。第一電壓線v1可將圖4的分別包括在多個顯示單元200中并相互分開的第一電極231彼此電連接。

根據(jù)本公開的實施例，由于多個顯示單元200分別包括圖4的單獨的第二電極232，因此為了將單獨的第二電極232彼此電連接，第二電壓線v2可具有與第一電壓線v1相同的圖案或相似的圖案，并且第二電壓線v2可經(jīng)由接觸孔電連接到第二電極232。

圖18是作為圖1的顯示設(shè)備10的修改的顯示設(shè)備20的示意性剖視圖。

參照圖18，顯示設(shè)備20可包括：基底100，包括多個島狀體101以及將多個島狀體101彼此連接的多個連接單元102；多個顯示單元200，分別設(shè)置在多個島狀體101上；多個包封層300，分別包封多個顯示單元200；以及第一保護膜410和第二保護膜420，分別設(shè)置在基底100的下表面和上表面上。基底100可包括圖1的在連接單元102之間穿透基底100的多個通孔v。

由于基底100、顯示單元200和包封層300與在先前實施例中描述的基底100、顯示單元200和包封層300相同，因此可在此省略其重復(fù)的描述。

第一保護膜410和第二保護膜420可防止外部異物等滲透顯示設(shè)備20。第一保護膜410和第二保護膜420由伸長片形成，因此可在顯示設(shè)備20被伸長或改變形狀時被伸長或改變形狀。例如，第一保護膜410和第二保護膜420可以是雙向拉伸聚丙烯膜(biaxiallyorientedpolypropylenefilm)或雙向拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(biaxiallyorientedpolyethyleneterephthalatefilm)等。根據(jù)另一實施例，第一保護膜410和第二保護膜420可包括但不限于聚二甲基硅氧烷(pdms)。

圖19是作為圖1的顯示設(shè)備10的另一修改的顯示設(shè)備30的示意性剖視圖。

參照圖19，顯示設(shè)備30可包括：基底100；多個顯示單元200，設(shè)置在基底100上；多個包封層300，分別包封多個顯示單元200；第一保護膜410和第二保護膜420，分別設(shè)置在基底100的下表面和上表面上；以及功能層500，位于第二保護膜420上。

基底100可包括多個島狀體101、將多個島狀體101彼此連接的多個連接單元102以及在多個連接單元102之間穿透基底100的多個通孔v。

多個顯示單元200可分別設(shè)置在多個島狀體101上。分別包封多個顯示單元200的包封層300也可設(shè)置在多個島狀體101上。

如以上參照圖18描述的，第一保護膜410和第二保護膜420可防止外部異物等滲透顯示設(shè)備30。

功能層500可包括偏振層和觸摸屏層中的至少一個。功能層500還可包括用于外部光反射的光學(xué)膜和保護層。功能層500是可伸長的，并可在顯示設(shè)備30伸長時被伸長。

圖20是根據(jù)另一實施例的圖1的部分a的放大平面圖。

參照圖20，基底100可包括彼此分隔開的多個島狀體101、將多個島狀體101彼此連接的多個連接單元102以及在多個連接單元102之間穿透基底100的多個通孔v。

多個顯示單元200可分別設(shè)置在多個島狀體101上。每個顯示單元200可至少包括顯示器件，以實現(xiàn)可見光。顯示器件可以是有機發(fā)光器件。多個顯示單元200可被多個包封層300獨立地包封。

多個連接單元102可將多個島狀體101彼此連接。例如，四個連接單元102連接到多個島狀體101中的每個島狀體，并沿不同的方向鄰近島狀體101延伸，因此四個連接單元102可分別連接到在島狀體101周圍的其它四個相鄰島狀體101。

多個島狀體101和多個連接單元102可由相同的材料形成，并可彼此連接。換言之，多個島狀體101和多個連接單元102可整體地形成為具有一體。

顯示單元200的圖4的無機層和鈍化層209可連續(xù)地形成在島狀體101和連接單元102上。無機層可包括緩沖層202以及包括在圖4的薄膜晶體管tft中的第一絕緣層204和第二絕緣層206。包封層300可經(jīng)由溝槽t接觸第一絕緣層204或第二絕緣層206的暴露的部分。因此，包封層300可減少或防止外部濕氣和氧經(jīng)由可由有機材料形成的鈍化層209滲透到顯示單元200中。

電連接到顯示單元200的布線單元可設(shè)置在多個島狀體101上。

參照圖20，每個連接單元102具有至少一個彎曲部分。因此，在基底100被伸長時，所述至少一個彎曲部分的形狀改變，并且可增大多個島狀體101之間的間隔。因此，可二維或三維地改變圖1的顯示設(shè)備10的形狀。

通孔v穿透基底100。通孔v可提供多個島狀體101之間的間隔區(qū)域，減輕基底100的重量，并改善基底100的柔性。當(dāng)基底100被彎曲或卷取等時，通孔v的形狀改變，因此有效地減小在基底100的變形期間產(chǎn)生的應(yīng)力。因此，可防止基底100的不正常變形，并可改善基底100的耐久性。因此，可改善顯示設(shè)備10的便利性和可用性，顯示設(shè)備10可適用于彎曲顯示設(shè)備、柔性顯示設(shè)備或可伸展的顯示設(shè)備。

根據(jù)本公開的實施例，即使當(dāng)顯示設(shè)備的形狀改變時，也可防止包封層受損，并可有效地防止?jié)B透外部濕氣和氧，從而改善顯示設(shè)備的可靠性。應(yīng)理解的是，本公開的范圍不被此效果限制。

應(yīng)理解的是，在此描述的實施例應(yīng)以描述性的含義來考慮，而非出于限制的目的。對每個實施例中的特征或方面的描述應(yīng)被典型地認為可用于其它實施例中的其它相似的特征或方面。

盡管已參照附圖描述了一個或更多個實施例，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本公開的精神和范圍的情況下，可在此做出形式和細節(jié)上的各種改變。