1.一種L型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，它包括負(fù)電極層，聚光光伏電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光光伏電池基材層一面覆上負(fù)電極層，另一面覆上正電極層，所述負(fù)電極層之外的部分為有效面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種L型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述負(fù)電極層為一平整L字形形狀，負(fù)電極層的寬度為0.5~1.5毫米，厚度為0.5~1毫米，負(fù)電極層和聚光光伏電池基材層其中兩個(gè)相鄰端面完全重合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種L型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述聚光光伏電池基材層為GaInP（磷化銦嫁）/GaAs（砷化鎵）/Ge（鍺）三層組合體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種L型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述正電極層為一完全密封的平面，正電極層面積形狀和聚光光伏電池基材層面積形狀完全一樣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種L型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述有效面積為正方形形狀。