技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體裝置的方法。根據(jù)一個實施例，半導(dǎo)體裝置包含襯底、安裝于所述襯底上的半導(dǎo)體芯片、密封所述半導(dǎo)體芯片的密封樹脂層及覆蓋所述密封樹脂層的至少一上表面的膜，所述膜由選自由鋅、鋁、錳、其合金、金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物組成的群組的材料制成。

技術(shù)研發(fā)人員：巖本正次
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東芝存儲器株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.01
技術(shù)公布日：2017.09.26