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用于砷化鎵光伏器件的自‐旁路二極管功能的制作方法

文檔序號:12681217閱讀:來源:國知局
技術總結
本發(fā)明的實施方案通常涉及光伏器件。在一個實施方案中,形成砷化鎵基光伏器件的方法包括:提供半導體結構,所述結構包括包含砷化鎵的吸收層。提供在半導體結構的p?n接面中的旁路功能,其中在反向偏壓條件下p?n接面以受控方式通過齊納擊穿效應擊穿。

技術研發(fā)人員:H·聶;B·M·卡耶斯;I·C·凱茲亞力
受保護的技術使用者:埃爾塔設備公司
文檔號碼:201710057541
技術研發(fā)日:2012.02.09
技術公布日:2017.06.13

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