技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及半導(dǎo)體器件。實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體器件的性能的提高。半導(dǎo)體器件包括像素，像素包括：在其中形成傳輸晶體管和光電二極管的第一有源區(qū)域和用于提供接地電勢的第二有源區(qū)域。在第二有源區(qū)域中的p型半導(dǎo)體區(qū)域上方設(shè)置用于提供接地電勢的插塞。在用于第一有源區(qū)域中形成的傳輸晶體管的漏極區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域中引入吸附元素。然而，在第二有源區(qū)域中的p型半導(dǎo)體區(qū)域中沒有引入吸附元素。

技術(shù)研發(fā)人員：神野健;后藤洋太郎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：瑞薩電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.20
技術(shù)公布日：2017.08.01