技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化鋅納米棒/黑硅異質(zhì)結(jié)納米光電探測(cè)器及其制備方法，其特征在于：是以p?型硅片為襯底，在襯底的上表面形成有黑硅層，在黑硅層上形成有氧化鋅納米棒陣列層；在氧化鋅納米棒陣列層上設(shè)置有頂電極；在襯底的下表面設(shè)置有底電極。本發(fā)明的納米光電探測(cè)器采用氧化鋅納米棒陣列作為主要的感光層，納米棒排布均勻且致密，具有較大的比表面積，使得納米光電探測(cè)器的感光面積顯著地增加，大幅增加了光生載流子的數(shù)量，提升了納米光電器件的靈敏度。

技術(shù)研發(fā)人員：王莉;任治飛;何淑娟;李晶晶;于永強(qiáng);吳春艷;羅林保
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥工業(yè)大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710025876
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.13
技術(shù)公布日：2017.05.17