本發(fā)明涉及相控陣雷達領(lǐng)域，尤其涉及一種基于具有旋磁性鐵氧體材料的集成式360°反射型模擬移相器。

背景技術(shù)：

移相器是對射頻信號進行相位調(diào)制、而盡可能不產(chǎn)生能量衰減的雙端口微波器件，廣泛用于通信系統(tǒng)、天線陣列、雷達系統(tǒng)以及微波自動控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。隨著各領(lǐng)域?qū)嶋H應(yīng)用對電子系統(tǒng)的體積、重量和功耗的要求越來越嚴苛，人們尋求各種性能優(yōu)良、體積小的混合集成或單片集成移相器的愿望也越來越迫切。

現(xiàn)有技術(shù)通常設(shè)計固態(tài)電調(diào)模擬移相器主要有兩種不同的方法：一種是利用鐵氧體磁性材料的磁導(dǎo)率隨外加直流偏置磁場的變化而變化導(dǎo)致傳輸?shù)碾姶挪ǖ膫鞑コ?shù)發(fā)生變化，以此來改變傳輸?shù)碾姶挪ǖ南辔?，被稱為微波鐵氧體移相器。另一種是利用半導(dǎo)體器件如PIN二極管或變?nèi)荻O管構(gòu)造特定的電路結(jié)構(gòu)，并使半導(dǎo)體器件的等效參數(shù)隨外加偏置電壓的變化而變化，以此來改變傳輸?shù)碾姶挪ǖ南辔唬环Q為微波半導(dǎo)體移相器。微波鐵氧體移相器由于重量、體積大，驅(qū)動功率大等原因，主要應(yīng)用在較高峰值功率的場合，且不便于集成小型化；而微波半導(dǎo)體移相器結(jié)構(gòu)緊湊，基于變?nèi)荻O管的等效電容隨外加反向偏壓變化的時間短，可以以極快的速度對微波信號進行處理，所以使用其制作的移相器響應(yīng)速度快，無慣性，易于電控，因此，變?nèi)荻O管成為目前設(shè)計電調(diào)模擬式移相器的主流。

為克服上述技術(shù)問題，亟需一種集成化、小型化、輕量化且性能優(yōu)越的模擬移相器。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上文所述，本發(fā)明的目的在于提供一種集成式360°反射型模擬移相器，該移相器將多個功能網(wǎng)絡(luò)集成于具有旋磁性的鐵氧體基板上，能夠?qū)崿F(xiàn)移相器輕量化、小型化的需求，有利于與收發(fā)組件的其他子電路進行集成；本發(fā)明通過調(diào)節(jié)外加反向偏壓實現(xiàn)信號相位在0～360°范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)，并且基于旋磁材料受外加磁場激勵能夠改變在材料中傳播的電磁波的極化方向，從而可改變本發(fā)明信號傳輸和隔離的方向，進而使得移相器的調(diào)節(jié)、控制更為靈活；此外本發(fā)明能夠有效克服傳統(tǒng)鐵氧體材料制得的移相器所存在的重量、體積過大，開關(guān)時間較長等不足。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種集成式360°反射型模擬移相器，包括具有旋磁性的鐵氧體基板和集成于所述鐵氧體基板一表面的信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)、反射電抗網(wǎng)絡(luò)、反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)、直流電壓偏置網(wǎng)絡(luò)和隔直網(wǎng)絡(luò)；

所述信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)包括第一環(huán)行器和第一永磁體；所述第一環(huán)行器包括圓形諧振結(jié)，三段互成120度的匹配傳輸線以及分別與每一匹配傳輸線串聯(lián)的50歐姆傳輸線，所述第一永磁體設(shè)于第一環(huán)行器的圓形諧振結(jié)正上方或正下方；

所述第一環(huán)行器為三端口環(huán)行器，其第一端口與隔直網(wǎng)絡(luò)相連接，所述隔直網(wǎng)絡(luò)包括第一單片電容；

所述第一環(huán)行器的第二端口與反射電抗網(wǎng)絡(luò)相連接，所述反射電抗網(wǎng)絡(luò)包括兩條支路，第一支路為第一微帶線串聯(lián)第一變?nèi)荻O管，第二支路為與所述第一支路并聯(lián)的第二變?nèi)荻O管，并且所述第一變?nèi)荻O管與第二變?nèi)荻O管的負極均接入地平面；

所述第一環(huán)行器的第三端口與反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)相連接，所述反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)包括第二環(huán)行器、第二永磁體及接入地平面的匹配負載；

所述第二環(huán)行器包括圓形諧振結(jié)，三段互成120度的匹配傳輸線以及分別與每一匹配傳輸線串聯(lián)的50歐姆傳輸線，所述第二永磁體設(shè)于第二環(huán)行器的圓形諧振結(jié)正上方或正下方；

所述第二環(huán)行器為三端口環(huán)行器，其第一端口與隔直網(wǎng)絡(luò)相連接，所述隔直網(wǎng)絡(luò)包括第二單片電容；

所述第二環(huán)行器的第二端口與信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)的第三端口相連接，所述第二環(huán)行器的第三端口與兩條支路相連接，其中一條支路為匹配負載，具體為與所述50歐姆傳輸線相匹配的負載；另一條支路包括直流電壓偏置網(wǎng)絡(luò)，所述直流電壓偏置網(wǎng)絡(luò)包括帶阻濾波器及與之串聯(lián)的第二微帶線，所述第二微帶線終端形成焊盤以作為直流電壓饋電點。

進一步地，本發(fā)明中反射電抗網(wǎng)絡(luò)中變?nèi)荻O管的變?nèi)莘秶鶠?.26pF～3.16pF。

進一步地，本發(fā)明中反射電抗網(wǎng)絡(luò)中變?nèi)荻O管的工作偏壓范圍為0～20V。

進一步地，本發(fā)明中第一變?nèi)荻O管或第二變?nèi)荻O管的正極均通過單根金絲與所述第一微帶線連接。

具體地，本發(fā)明中隔直網(wǎng)絡(luò)中第一單片電容或第二單片電容與相應(yīng)端口的連接方式具體如下：在第一環(huán)行器或第二環(huán)行器的第一端口處50歐姆傳輸線上開槽將傳輸線分為相互隔離的兩段，然后將單片電容的一極與其中一段傳輸線相連，并將單片電容的另一極通過兩根并聯(lián)的金絲與另一段傳輸線相連。

進一步地，本發(fā)明中匹配負載包括相互串聯(lián)的薄膜電阻和微帶式金屬電極，所述微帶式金屬電極的一端接入地平面。

進一步地，還包括使得所述50歐姆傳輸線與所述薄膜電阻相匹配的微帶式阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。

具體地，所述微帶式阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)為平衡式開路微帶線，所述微帶式阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)置在所述50歐姆傳輸線和所述薄膜電阻之間。

進一步地，本發(fā)明中帶阻濾波器包括第三微帶線及與所述第三微帶線并聯(lián)的扇形微帶開路線。

相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有如下有益效果：

本發(fā)明移相器電路結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，通過將多個功能網(wǎng)絡(luò)集成于具有旋磁性的鐵氧體基板一表面，滿足了未來發(fā)展對移相器輕量化、小型化的需求，并且有利于與收發(fā)組件的其他子電路進行集成；本發(fā)明通過兩個變?nèi)荻O管及一段均勻微帶線實現(xiàn)了信號相位在0～360度連續(xù)可調(diào)，并且綜合利用了旋磁材料的特性，使得移相器的相位傳輸和隔離的方向可以通過改變外加磁場激勵的方向進行調(diào)節(jié)，進而使得移相器的信號控制更為靈活；本發(fā)明移相器在工作頻率范圍內(nèi)所有可變相位條件下均具有良好性能，具體如下：移相器輸入、輸出端口的電壓駐波比不超過1.3，傳輸損耗絕對值不大于4.5dB，反向隔離絕對值大于20dB；此外，本發(fā)明通過在鐵氧體基板表面印制圖形且在鐵氧體基板外圍設(shè)置地平面以便于變?nèi)荻O管端接入地平面，能夠避免在脆性的鐵氧體基板上進行打孔或者異形處理，有效減小加工難度。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例1提供的集成式360°反射型模擬移相器的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例1所提供的集成式360°反射型模擬移相器的反射電抗網(wǎng)絡(luò)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例1所提供的集成式360°反射型模擬移相器中環(huán)行器與永磁體的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例1所提供的集成式360°反射型模擬移相器的反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)中匹配負載和直流偏置網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例1所提供的集成式360°反射型模擬移相器的隔直網(wǎng)絡(luò)示意圖；

圖6是本發(fā)明集成式360°反射型模擬移相器中地平面的一種具體實施方式示意圖；

其中，1為變?nèi)荻O管，2為地平面，3為第一環(huán)行器，4為第二環(huán)行器，5為扇形微帶開路線，6為焊盤，7為薄膜電阻，8為單片電容，9為鐵氧體基板，10為金絲，11為第一微帶線；12為環(huán)行器的微帶結(jié)構(gòu)，其中，13為圓形諧振結(jié)，14為匹配傳輸線，15為50歐姆傳輸線，16為永磁體；17為開路微帶匹配線，18為微帶式金屬電極，19為高阻微帶線，21為外部基板，22為金屬底面，23為容置槽，24為L型地平面，25為第一環(huán)行器的第一端口，26為第二環(huán)行器的第一端口。

具體實施方式

以下結(jié)合說明書附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細的闡述：

實施例1：

一種集成式360°反射型模擬移相器，如圖1所示，包括具有旋磁性的鐵氧體基板9和集成于所述鐵氧體基板9一表面的信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)、反射電抗網(wǎng)絡(luò)、反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)、直流電壓偏置網(wǎng)絡(luò)和隔直網(wǎng)絡(luò)；

本發(fā)明所提供的基于鐵氧體材料的360°反射型模擬移相器的中心頻率工作在10GHz，作為優(yōu)選實施方式，本發(fā)明鐵氧體基板9的材料應(yīng)為具有旋磁性的鎳鐵氧體材料，具體地，本實施例中鐵氧體基板9的電磁參數(shù)如下：飽和磁化強度為2500高斯，鐵磁共振線寬為240奧斯特，相對介電常數(shù)為12.6，損耗角正切小于0.0005；為使得移相器適于與其他元器件集成，本實施例中鐵氧體基板9的物理結(jié)構(gòu)采用規(guī)則的長方體，具體尺寸如下：長為35.6mm，寬為12.9mm，高為0.8mm。本發(fā)明集成于鐵氧體基板9的整個電路中主要采用的傳輸線類型為微帶線，具體加工方式是在鐵氧體基板9的正面印制特定的圖形，鐵氧體基板9的背面整體金屬化處理以作為地平面2，根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員知識，本發(fā)明中地平面2的實施方式有多種，不局限本實施例上述內(nèi)容。

其中：結(jié)合圖2所示，反射電抗網(wǎng)絡(luò)包括兩條支路，第一支路為特性阻抗為Z₀，物理長度為L₀的第一微帶線11串聯(lián)第一變?nèi)荻O管，第二支路為與所述第一支路并聯(lián)的第二變?nèi)荻O管，并且所述第一變?nèi)荻O管與第二變?nèi)荻O管的負極均接入地平面2；

為減少高頻時變?nèi)荻O管1的不可控寄生參量，作為優(yōu)選實施方式，本實施例采用變?nèi)荻O管1的封裝形式為裸芯片；

為便于所述反射電抗網(wǎng)絡(luò)與外部電路的匹配，所述第一微帶線11的特性阻抗Z₀優(yōu)選為50歐姆；

進一步地，所述反射電抗網(wǎng)絡(luò)中變?nèi)荻O管1的工作偏壓范圍為0～20V；變?nèi)莘秶鸀?.26pF～3.16pF；

作為優(yōu)選實施方式，變?nèi)荻O管1與第一微帶線11的連接的方式如下：所述第一變?nèi)荻O管或第二變?nèi)荻O管的正極均通過單根金絲10與所述第一微帶線11連接。

信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)包括第一環(huán)行器3和第一永磁體；第一環(huán)行器3的微帶結(jié)構(gòu)如圖3所示，具體包括圓形諧振結(jié)13，三段互成120度的匹配傳輸線14以及分別與每一匹配傳輸線串聯(lián)的50歐姆傳輸線15，所述第一永磁體設(shè)于第一環(huán)行器3的圓形諧振結(jié)13正上方或正下方。

本發(fā)明采用的第一環(huán)行器3為三端口器件，所述環(huán)行器具有以下性質(zhì)：當信號自一端口輸入時，信號僅會流向指定的一個端口，而另一個端口幾乎沒有信號流出，并且，信號的流向具有單向環(huán)流性。結(jié)合圖1所示，本發(fā)明將第一環(huán)行器3一端口與反射電抗網(wǎng)絡(luò)連接，根據(jù)永磁體16施加的實際磁場方向，將剩余兩個端口其中一個作為信號輸入端，另一個作為信號輸出端，以此構(gòu)成信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)。當信號的環(huán)流方向一定時，本發(fā)明信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)可將流進反射電抗網(wǎng)絡(luò)的信號和流出反射電抗網(wǎng)絡(luò)的信號進行分離。

上述信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)將流進反射電抗網(wǎng)絡(luò)和流出反射電抗網(wǎng)絡(luò)的信號分離后，進一步地，為實現(xiàn)本發(fā)明信號的反向隔離，將反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)與所述信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)的第三端口連接：

所述反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)包括第二環(huán)行器4、第二永磁體及匹配負載；本發(fā)明采用的第二環(huán)行器4亦為三端口器件，第二環(huán)行器4的微帶結(jié)構(gòu)亦如圖3所示，具體包括圓形諧振結(jié)13，三段互成120度的匹配傳輸線14以及分別與每一匹配傳輸線串聯(lián)的50歐姆傳輸線15，所述第二永磁體設(shè)于第二環(huán)行器4的圓形諧振結(jié)13正上方或正下方；

反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)中第二環(huán)行器4的設(shè)計方法與信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)中第一環(huán)行器3的設(shè)計方法類似，進一步地，如圖4所示，本發(fā)明將第二環(huán)行器4的第三端口(即除了輸入信號端口和輸出信號端口以外的一個端口)與匹配負載連接，通過第二環(huán)行器4的環(huán)流作用以使得反向信號直接流入匹配負載，由匹配負載所吸收，而不流出輸入端，即實現(xiàn)反向信號隔離。

所述匹配負載為50歐姆匹配負載，包括薄膜電阻7及微帶式金屬電極18；所述匹配負載與第二環(huán)行器4的第三端口連接的具體實施方式可以為：將薄膜電阻7一端與第二環(huán)行器4的第三端口相連接，再將薄膜電阻7另一端連接至微帶式金屬電極18，所述微帶式金屬電極18通過鐵氧體基板9側(cè)壁相應(yīng)位置的金屬化處理與設(shè)于鐵氧體基板9背面的地平面2連接，以實現(xiàn)將薄膜電阻7的一極接入地平面2。

為了使薄膜電阻7與第二環(huán)行器4的第三端口之間能夠達到良好的匹配以減少反射信號，實施例還包括在薄膜電阻7與第二環(huán)行器4的第三端口之間添加微帶式阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，具體地，所述微帶式阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)為開路微帶匹配線17。

基于此，由環(huán)行器信號可單向環(huán)流的性質(zhì)可知：第二環(huán)行器4輸入端口和輸出端口之間間的信號僅可單向傳輸，即正向傳輸，反向隔離。因此，將反向隔離網(wǎng)絡(luò)接入信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)的第二端口，進而能夠?qū)崿F(xiàn)移相器整體的正向信號移相，反向信號隔離。

結(jié)合圖4所示，本發(fā)明在第二環(huán)行器4的第三端口還包括與所述匹配負載相并聯(lián)的直流電壓偏壓網(wǎng)絡(luò)，所述直流偏電壓網(wǎng)絡(luò)包括帶阻濾波器與之串聯(lián)的高阻微帶線19，所述帶阻濾波器能夠隔絕工作頻率的信號進出直流偏壓網(wǎng)絡(luò)，達到射頻扼流的目的，所述高阻微帶線19終端形成焊盤6以作為直流電壓饋入點使得直流電壓能夠接入。設(shè)于第二環(huán)行器4的第三端口處的直流偏壓網(wǎng)絡(luò)支路對于移相器電路整體的傳輸損耗和回波損耗幾乎沒有影響。

具體地，所述帶阻濾波器包括高阻微帶線19和扇形微帶開路線5，優(yōu)選地，所述高阻微帶線19的特性阻抗為80歐姆，幾何長度為四分之一工作波長。

結(jié)合圖5所示，本發(fā)明第一環(huán)行器3或第二環(huán)行器4的第一端口均與隔直網(wǎng)絡(luò)相連接，所述隔直網(wǎng)絡(luò)為單片電容8；

具體地，本發(fā)明環(huán)行器第一端口與單片電容8的連接采用如下方式連接：在第一環(huán)行器3或第二環(huán)行器4的第一端口處50歐姆傳輸線15上開槽，將50歐姆傳輸線15分為相互隔離的兩段，考慮到單片電容8的封裝形式，將單片電容8的一極連接至50歐姆傳輸線15上，并將單片電容8的另一極通過兩根并聯(lián)的金絲10與另一段50歐姆傳輸線15相連。此處采用兩根并聯(lián)的金絲10與50歐姆傳輸線15相連為減少在高頻下金絲10引入的寄生效應(yīng)，且在連接良好的條件下盡量要求金絲10的長度要短。

實施例2：

結(jié)合圖6所示本實施例提供了一種地平面2的具體實施方式，并具體詳述本發(fā)明集成于鐵氧體基板9表面上由各功能網(wǎng)絡(luò)形成的移相器與外部電路基板21的一種具體安裝方法：

為使本發(fā)明電路部分能與外部基板21上其他工作電路進行有效連接，特在外部電路基板21特定位置開設(shè)容置槽23，所述容置槽23的底面進行金屬化處理形成均勻金屬層；然后將鐵氧體基板9嵌入其所述容置槽23中，使得鐵氧體基板9相背于印制電路的一面與所述容置槽23的金屬底面22緊密貼合，其中，所述容置槽23的開槽尺寸略大于鐵氧體基板9以實現(xiàn)凸起的地平面2，具體地：在容置槽23和鐵氧體基板9之間空隙處進行金屬化處理，使得所述空隙處容置槽23的金屬底面22在相應(yīng)位置抬高至與所述鐵氧體基板9上電路同平面；作為優(yōu)選實施方式，本實施例地平面2為凸起的L型地平面24，且其與鐵氧體基板9及外部電路基板21緊密貼合。根據(jù)本領(lǐng)域人員知識可以知道，所述凸起的L型地平面24僅為地平面2的一種優(yōu)選實施方式，本發(fā)明地平面2的設(shè)置不局限于上述實施方式。

基于上文所述，以下對本發(fā)明所提供的集成式360°反射型模擬移相器的工作原理從整體角度進行詳細闡述：

實際工作時，信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)及反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)所使用的環(huán)行器單元在受到永磁體16所施加偏置磁場的激勵方向必須一致，當?shù)谝画h(huán)行器3和第二環(huán)行器4受到永磁體16所施加偏置磁場的激勵方向固定時，環(huán)行器單元內(nèi)信號的環(huán)流方向也就固定。根據(jù)圖1所示，假設(shè)第一環(huán)行器3和第二環(huán)行器4的信號環(huán)流方向均為所在紙平面上逆時針方向，且信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)中第一環(huán)行器3的第一端口25作為信號輸入端時，由于信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)中第一環(huán)行器3的圓形諧振結(jié)13內(nèi)鐵氧體材料的垂直方向受到了永磁體16的磁化激勵，使得在信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)內(nèi)傳輸?shù)碾姶挪òl(fā)生極化旋轉(zhuǎn)，第一環(huán)行器3的第一端口25進入的信號將流入反射電抗網(wǎng)絡(luò)內(nèi)；

所述反射電抗網(wǎng)絡(luò)如圖2所示，A點為反射電抗網(wǎng)絡(luò)的輸入端，由于反射電抗網(wǎng)絡(luò)的輸入端反射系數(shù)不為0，使得進入反射電抗網(wǎng)絡(luò)內(nèi)的信號發(fā)生反射，基于信號環(huán)流網(wǎng)絡(luò)的信號環(huán)流作用，經(jīng)反射電抗網(wǎng)絡(luò)所反射的信號流入反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)內(nèi)；

本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)信號360°電調(diào)移相，具體地：當?shù)谝晃Ь€11的幾何長度L₀取為特定值時，本發(fā)明具體實施例將所述L₀設(shè)定為工作波長的八分之三，通過將變?nèi)荻壒?在其可變等效電容值范圍內(nèi)的歸一化等效電抗值及其連接的金絲10的歸一化等效電抗值之和經(jīng)過0，0.41，1這三個點，則使得傳輸線A點處的歸一化輸入等效電抗值經(jīng)過兩個零點和一個極點，最終使得A點對應(yīng)的輸入反射系數(shù)角經(jīng)歷360°的變化以達到被反射信號360°移相的目的，因此，通過構(gòu)造簡單且可控的反射電抗網(wǎng)絡(luò)并調(diào)節(jié)外加的直流偏壓就可實現(xiàn)信號360°移相。

流入反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)內(nèi)的信號經(jīng)過第二環(huán)行器單元4的單向信號環(huán)流作用最終使得信號通過第二環(huán)行器4的第一端口26輸出；并且此時若有信號從第二環(huán)行器4的第一端口26輸入，信號將不會從第一環(huán)行器3的第一端口25流出，而是直接由反向信號隔離網(wǎng)絡(luò)中的匹配負載吸收；

基于上文所述，本發(fā)明能夠達到信號從第一環(huán)行器3的第一端口25到第二環(huán)行器4的第一端口26的正向信號傳輸并電調(diào)移相，而信號從第二環(huán)行器4的第一端口26到第一環(huán)行器3的第一端口25反向隔離的功能。

同理，當?shù)谝画h(huán)行器3和第二環(huán)行器4受到永磁體16所施加偏置磁場的激勵方向同時改變，即信號的環(huán)流方向均為所在紙平面上順時針方向，則根據(jù)上述的原理分析可知第二環(huán)行器4的第一端口26到第一環(huán)行器3的第一端口25將正向信號傳輸并電調(diào)移相，而信號從第一環(huán)行器3的第一端口25到第二環(huán)行器4的第一端口26將反向隔離。因此通過調(diào)節(jié)固定在鐵氧體基板9特定位置上的永磁體施加的磁場方向便可改變本發(fā)明信號傳輸和隔離的方向。

上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。