本發(fā)明涉及組合物和使用該組合物的發(fā)光元件。

背景技術：

有機電致發(fā)光元件(以下也稱作“發(fā)光元件”)由于發(fā)光效率高、驅動電壓低，因而能夠適宜地用于顯示器和照明的用途。該發(fā)光元件具備發(fā)光層、電荷傳輸層等有機層。通過使用含有可溶性的有機電致發(fā)光材料(以下也稱作“有機el材料”)和溶劑的組合物，可以使用以噴墨印刷法為代表的噴出型涂布法形成有機層。并且，通過使用噴出型涂布法形成有機層，能夠利用簡易過程制造大面積的發(fā)光元件。因此，對含有可溶性的有機el材料和溶劑的組合物進行了研究。

專利文獻1中提出了含有可溶性的有機el材料(具體來說為高分子有機el材料)、芳香族烴溶劑(具體來說為環(huán)己基苯)和芳香族醚溶劑(具體來說為4-甲基苯甲醚)的組合物作為用于噴墨印刷法的組合物。專利文獻1中并未記載組合這些溶劑和后述的式(1)所示的溶劑(a)。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-026164號公報

技術實現(xiàn)要素：

使用上述組合物通過噴出型涂布法形成的膜其平坦性不一定充分。

本發(fā)明的目的在于提供一種組合物，所述組合物含有有機el材料和溶劑，在用于噴出型涂布法的情況下，對制造平坦性優(yōu)異的膜有用。本發(fā)明的目的還在于提供具有使用該組合物形成的膜的發(fā)光元件。

本發(fā)明如下所述。

[1]一種組合物，其含有有機el材料、

式(1)所示的溶劑(a)、

芳香族烴溶劑(b)、和

芳香族醚溶劑(c)。

【化1】

[式中，r¹表示碳原子數(shù)為10～12的烷基。]

[2]如權利要求1所述的組合物，其中，上述r¹為碳原子數(shù)為10的烷基。

[3]如[1]或[2]所述的組合物，其中，上述芳香族烴溶劑(b)為戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、環(huán)己基苯或四氫萘。

[4]如[1]～[3]中任一項所述的組合物，其中，上述芳香族醚溶劑(c)為甲基苯甲醚、二甲基苯甲醚、乙基苯甲醚、丁基苯基醚、丁基苯甲醚、戊基苯甲醚、己基苯甲醚、庚基苯甲醚、辛基苯甲醚或苯氧基甲苯。

[5]如[1]～[4]中任一項所述的組合物，其中，上述溶劑(a)的含量：wta(重量)、上述芳香族烴溶劑(b)的含量：wtb(重量)和上述芳香族醚溶劑(c)的含量：wtc(重量)滿足式(1-1)。

0.05≤wta/(wta+wtb+wtc)≤0.50(1-1)

[6]如[1]～[5]中任一項所述的組合物，其中，上述有機el材料為包含選自式(x)所示的結構單元和式(y)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物。

【化2】

[式中，

a^x1和a^x2各自獨立地表示0以上的整數(shù)。

ar^x1和ar^x3各自獨立地表示亞芳基或二價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。

ar^x2和ar^x4各自獨立地表示亞芳基、二價雜環(huán)基、或者至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團，這些基團可以具有取代基。在ar^x2和ar^x4存在有多個的情況下，它們各自相同或不同。

r^x1、r^x2和r^x3各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基，在存在多個r^x2和r^x3的情況下，它們各自相同或不同，

【化3】

[式中，ar^y1表示亞芳基、二價雜環(huán)基、或者至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團，這些基團可以具有取代基。]

[7]如[1]～[5]中任一項所述的組合物，其中，上述有機el材料為銥絡合物。

[8]如[7]所述的組合物，其中，上述銥絡合物為式(ir-1)所示的銥絡合物、式(ir-2)所示的銥絡合物、式(ir-3)所示的銥絡合物、式(ir-4)所示的銥絡合物或式(ir-5)所示的銥絡合物。

【化4】

【化5】

【化6】

[式中，

nd1表示1、2或3。nd2表示1或2。

r^d1、r^d2、r^d3、r^d4、r^d5、r^d6、r^d7、r^d8、r^d11、r^d12、r^d13、rd¹⁴、r^d15、r^d16、r^d17、r^d18、r^d19、r^d20、r^d21、r^d22、r^d23、r^d24、r^d25、r^d26、r^d31、r^d32、r^d33、r^d34、r^d35、r^d36和r^d37各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環(huán)基或鹵素原子，這些基團可以具有取代基。在r^d1、rd²、r^d3、r^d4、r^d5、r^d6、r^d7、r^d8、r^d11、r^d12、r^d13、r^d14、r^d15、r^d16、r^d17、r^d18、r^d19、r^d20、r^d21、r^d22、r^d23、r^d24、r^d25、r^d26、r^d31、r^d32、r^d33、r^d34、r^d35、r^d36和r^d37存在有多個的情況下，它們各自相同或不同。

-a^d1---a^d2-表示陰離子性的二齒配體。a^d1和a^d2各自獨立地表示與銥原子鍵合的碳原子、氧原子或氮原子，這些原子可以為構成環(huán)的原子。在-a^d1---a^d2-存在有多個的情況下，它們可以相同也可以不同。]

[9]一種發(fā)光元件，其具有使用[1]～[8]中任一項所述的組合物形成的膜。

附圖說明

圖1表示利用膜形狀測定元件d1(實施例d1)和膜形狀測定元件cd1(比較例cd1)的膜的形狀的測定結果。

圖2表示利用膜形狀測定元件d2(實施例d2)和膜形狀測定元件cd2(比較例cd2)的膜的形狀的測定結果。

具體實施方式

以下，詳細說明本發(fā)明的適宜的實施方式。

<共通的術語的說明>

在本說明書中共通使用的術語只要沒有特別記載就是以下的含義。

me表示甲基，et表示乙基，bu表示丁基，i-pr表示異丙基，t-bu表示叔丁基。

氫原子也可以為氘原子，還可以為氕原子。

表示金屬絡合物的式中，表示與中心金屬的鍵合的實線是指共價鍵或配位鍵。

“高分子化合物”是指具有分子量分布且聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1×10³～1×10⁸的聚合物。

高分子化合物可以是嵌段共聚物、無規(guī)共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一種，也可以為其它的形態(tài)。

若聚合活性基團原樣殘留，則在將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時發(fā)光特性或亮度壽命有可能下降，因而高分子化合物的末端基團優(yōu)選為穩(wěn)定的基團。該末端基團優(yōu)選為與主鏈進行共軛鍵合的基團，例如可以舉出：經由碳-碳鍵與芳基或一價雜環(huán)基鍵合的基團。

“低分子化合物”是指沒有分子量分布且分子量為1×10⁴以下的化合物。

“結構單元”是指在高分子化合物中存在有1個以上的單元。

“烷基”可以是直鏈和支鏈中的任一種。直鏈的烷基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為1～50，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～20。支鏈的烷基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為3～50，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～20。

烷基可以具有取代基，烷基例如可以舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-丁基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3，7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基、以及這些基團中的氫原子被環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基團，例如可以舉出三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3，5-二己基苯基)丙基、6-乙氧基己基。

“環(huán)烷基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為3～50，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～20。

環(huán)烷基可以具有取代基，環(huán)烷基例如可以舉出環(huán)己基、環(huán)己基甲基、環(huán)己基乙基。

“芳基”是指從芳香族烴除去與構成環(huán)的碳原子直接鍵合的氫原子1個后余下的原子團。芳基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為6～60，優(yōu)選為6～20，更優(yōu)選為6～10。

芳基可以具有取代基，芳基例如可以舉出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、以及這些基團中的氫原子被烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基團。

“烷氧基”可以是直鏈和支鏈中的任一種。直鏈的烷氧基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為1～40，優(yōu)選為4～10。支鏈的烷氧基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為3～40，優(yōu)選為4～10。

烷氧基可以具有取代基，烷氧基例如可以舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、以及這些基團中的氫原子被環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基團。

“環(huán)烷氧基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為3～40，優(yōu)選為4～10。

環(huán)烷氧基可以具有取代基，環(huán)烷氧基例如可以舉出環(huán)己氧基。

“芳氧基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為6～60，優(yōu)選為6～48。

芳氧基可以具有取代基，芳氧基例如可以舉出苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘基氧基、以及這些基團中的氫原子被烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、氟原子等取代后的基團。

“p價雜環(huán)基”(p表示1以上的整數(shù))是指，從雜環(huán)式化合物除去與構成環(huán)的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中p個氫原子后余下的原子團。p價雜環(huán)基之中，優(yōu)選為從芳香族雜環(huán)式化合物除去與構成環(huán)的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中p個氫原子后余下的原子團即“p價芳香族雜環(huán)基”。

“芳香族雜環(huán)式化合物”是指，噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷雜環(huán)戊二烯、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、噠嗪、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并磷雜環(huán)戊二烯等雜環(huán)自身表現(xiàn)芳香性的化合物、以及吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼雜環(huán)戊二烯、二苯并噻咯、苯并吡喃等雜環(huán)自身雖然不表現(xiàn)芳香性但是在雜環(huán)上稠合有芳環(huán)的化合物。

一價雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為2～60，優(yōu)選為4～20。

一價雜環(huán)基可以具有取代基，一價雜環(huán)基例如可以舉出噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三嗪基、以及這些基團中的氫原子被烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基等取代后的基團。

“鹵素原子”表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

“氨基”可以具有取代基，氨基優(yōu)選為取代氨基。氨基所具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價雜環(huán)基。

取代氨基例如可以舉出：二烷基氨基、二環(huán)烷基氨基和二芳基氨基。

氨基例如可以舉出二甲氨基、二乙氨基、二苯基氨基、雙(4-甲基苯基)氨基、雙(4-叔丁基苯基)氨基、雙(3，5-二叔丁基苯基)氨基。

“烯基”可以是直鏈和支鏈中的任一種。直鏈的烯基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為2～30，優(yōu)選為3～20。支鏈的烯基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為3～30，優(yōu)選為4～20。

“環(huán)烯基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為3～30，優(yōu)選為4～20。

烯基和環(huán)烯基可以具有取代基，例如可以舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、以及這些基團具有取代基的基團。

“炔基”可以是直鏈和支鏈中的任一種。炔基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子在內，通常為2～20，優(yōu)選為3～20。支鏈的炔基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子在內，通常為4～30，優(yōu)選為4～20。

“環(huán)炔基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子在內，通常為4～30，優(yōu)選為4～20。

炔基和環(huán)炔基可以具有取代基，例如可以舉出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、以及這些基團具有取代基的基團。

“亞芳基”是指從芳香族烴除去與構成環(huán)的碳原子直接鍵合的氫原子2個后余下的原子團。亞芳基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為6～60，優(yōu)選為6～30，更優(yōu)選為6～18。

亞芳基可以具有取代基，亞芳基例如可以舉出亞苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、二基、以及這些基團具有取代基的基團，優(yōu)選為式(a-1)～式(a-20)所示的基團。亞芳基包括多個這些基團鍵合成的基團。

【化7】

【化8】

【化9】

【化10】

[式中，r和r^a各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價雜環(huán)基。存在的多個r和r^a各自可以相同也可以不同，r^a彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。]

二價雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內，通常為2～60，優(yōu)選為3～20，更優(yōu)選為4～15。

二價雜環(huán)基可以具有取代基，二價雜環(huán)基例如可以舉出從吡啶、二氮雜苯、三嗪、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻咯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑除去與構成環(huán)的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中2個氫原子后的二價基團，優(yōu)選為式(aa-1)～式(aa-34)所示的基團。二價雜環(huán)基包括鍵合有多個這些基團的基團。

【化11】

【化12】

【化13】

【化14】

【化15】

【化16】

【化17】

[式中，r和r^a表示與上文相同的含義。]

“交聯(lián)基”是指通過供于加熱處理、紫外線照射處理、近紫外線照射處理、可見光照射處理、紅外線照射處理、自由基反應等可生成新的鍵的基團，優(yōu)選為式(b-1)-(b-17)中任一者所示的基團。這些基團可以具有取代基。

【化18】

“取代基”表示鹵素原子、氰基、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、烯基、環(huán)烯基、炔基或環(huán)炔基。取代基可以是交聯(lián)基。

<溶劑>

對本發(fā)明的組合物中含有的溶劑(a)、芳香族烴溶劑(b)和芳香族醚溶劑(c)進行說明。

[溶劑(a)]

溶劑(a)為式(1)所示的溶劑。

【化19】

r¹所示的碳原子數(shù)為10～12的烷基可以為直鏈烷基也可以為支鏈烷基，優(yōu)選為直鏈烷基。

r¹優(yōu)選為碳原子數(shù)為10的烷基，優(yōu)選為碳原子數(shù)為10的直鏈烷基。

r¹所示的碳原子數(shù)為10～12的烷基例如可以舉出：癸基、十一烷基、十二烷基等直鏈烷基；甲基壬基、甲基癸基、甲基十一烷基、二甲基辛基、二甲基壬基、二甲基癸基、三甲基庚基、三甲基辛基、三甲基壬基、四甲基己基、四甲基庚基、四甲基辛基、五甲基己基、五甲基庚基、六甲基己基等支鏈烷基，優(yōu)選為癸基、十一烷基、十二烷基、四甲基辛基、五甲基庚基或六甲基己基，更優(yōu)選為癸基、十一烷基或十二烷基，進一步優(yōu)選為1-癸基、2-癸基、3-癸基、4-癸基、5-癸基、1-十一烷基、2-十一烷基、3-十一烷基、1-十二烷基、2-十二烷基或3-十二烷基，特別優(yōu)選為1-癸基、2-癸基或3-癸基。

本發(fā)明的組合物中可以含有單獨1種溶劑(a)，也可以含有2種以上。

[芳香族烴溶劑(b)]

芳香族烴溶劑(b)是與溶劑(a)不同的芳香族烴溶劑。

芳香族烴溶劑(b)優(yōu)選總碳原子數(shù)為6～15，更優(yōu)選為7～15。

芳香族烴溶劑(b)優(yōu)選包含1個苯環(huán)，更優(yōu)選為總碳原子數(shù)7～15的經烷基或環(huán)烷基取代的苯。

芳香族烴溶劑(b)例如可以舉出甲苯、二甲苯、三甲苯、乙苯、二乙苯、乙基甲基苯、丙基苯、丁基苯、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、二丙基苯、環(huán)己基苯、四氫萘，出于使用本發(fā)明的組合物形成的膜的平坦性更優(yōu)異，優(yōu)選為戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、環(huán)己基苯或四氫萘，更優(yōu)選為庚基苯、辛基苯、壬基苯、環(huán)己基苯或四氫萘，進一步優(yōu)選為庚基苯、辛基苯、壬基苯或環(huán)己基苯，特別優(yōu)選為1-庚基苯、1-辛基苯、1-壬基苯、環(huán)己基苯。

本發(fā)明的組合物中可以含有單獨1種芳香族烴溶劑(b)，也可以含有2種以上。

[芳香族醚溶劑(c)]

芳香族醚溶劑(c)的總碳原子數(shù)優(yōu)選為7～15。

芳香族醚溶劑(c)可以舉出總碳原子數(shù)7～15的芳基部位可經烷基取代的烷基芳基醚、總碳原子數(shù)12～15的可經烷基取代的二芳基醚，優(yōu)選為總碳原子數(shù)7～15的苯基部位可經烷基取代的烷基苯基醚、總碳原子數(shù)12～15的可經烷基取代的二苯基醚。

芳香族醚溶劑(c)例如可以舉出苯甲醚、乙基苯基醚、甲基苯甲醚、二甲基苯甲醚、乙基苯甲醚、丁基苯基醚、丁基苯甲醚、戊基苯甲醚、己基苯甲醚、庚基苯甲醚、辛基苯甲醚、1-甲氧基萘、二苯基醚、苯氧基甲苯，出于使用本發(fā)明的組合物形成的膜的平坦性更優(yōu)異，優(yōu)選為甲基苯甲醚、二甲基苯甲醚、乙基苯甲醚、丁基苯基醚、丁基苯甲醚、戊基苯甲醚、己基苯甲醚、庚基苯甲醚、辛基苯甲醚或苯氧基甲苯，更優(yōu)選為2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、2，5-二甲基苯甲醚、2-乙基苯甲醚、4-乙基苯甲醚或3-苯氧基甲苯，進一步優(yōu)選為2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚或3-苯氧基甲苯。

本發(fā)明的組合物中可以含有單獨1種芳香族醚溶劑(c)，也可以含有2種以上。

[溶劑的組成比]

出于使用本發(fā)明的組合物形成的膜的平坦性更優(yōu)異，本發(fā)明的組合物中含有的溶劑(a)的含量：wta(重量)、芳香族烴溶劑(b)的含量：wtb(重量)和芳香族醚溶劑(c)的含量：wtc(重量)優(yōu)選滿足式(1-1)，更優(yōu)選滿足式(1-2)，更優(yōu)選滿足式(1-3)。

0.05≤wta/(wta+wtb+wtc)≤0.50(1-1)

0.10≤wta/(wta+wtb+wtc)≤0.40(1-2)

0.15≤wta/(wta+wtb+wtc)≤0.30(1-3)

(本發(fā)明的組合物中含有2種以上溶劑(a)的情況下，wta表示溶劑(a)的合計含量(重量)，在含有2種以上芳香族烴溶劑(b)的情況下，wtb表示芳香族烴溶劑(b)的合計含量(重量)，在含有2種以上芳香族醚溶劑(c)的情況下，wtc表示芳香族醚溶劑(c)的合計含量(重量)。)

出于使用本發(fā)明的組合物形成的膜的平坦性更優(yōu)異，本發(fā)明的組合物中含有的溶劑(a)的含量：wta(重量)、芳香族烴溶劑(b)的含量：wtb(重量)和芳香族醚溶劑(c)的含量：wtc(重量)優(yōu)選滿足式(2-1)，更優(yōu)選滿足式(2-2)，進一步優(yōu)選滿足式(2-3)。

0.50≤wtb+wtc/(wta+wtb+wtc)≤0.95(2-1)

0.60≤wtb+wtc/(wta+wtb+wtc)≤0.90(2-2)

0.70≤wtb+wtc/(wta+wtb+wtc)≤0.85(2-3)

出于使用本發(fā)明的組合物形成的膜的平坦性更優(yōu)異，本發(fā)明的組合物中含有的芳香族烴溶劑(b)的含量：wtb(重量)和芳香族醚溶劑(c)的含量：wtc(重量)優(yōu)選滿足式(3-1)，更優(yōu)選滿足式(3-2)，進一步優(yōu)選滿足式(3-3)。

0.10≤wtb/(wtb+wtc)≤0.90(3-1)

0.25≤wtb/(wtb+wtc)≤0.75(3-2)

0.40≤wtb/(wtb+wtc)≤0.60(3-3)

[其他溶劑]

本發(fā)明的組合物中，作為除溶劑(a)、芳香族烴溶劑(b)和芳香族醚溶劑(c)以外的溶劑，可以含有滿足式(4-1)的溶劑(以下也稱作“溶劑(d)”)。

0.00＜wtd/(wta+wtb+wtc+wtd)≤0.50(4-1)

(此處，wtd表示溶劑(d)的含量(重量)。本發(fā)明的組合物中含有2種以上溶劑(d)的情況下，wtd表示溶劑(d)的合計含量(重量)。)

本發(fā)明的組合物中含有溶劑(d)的情況下，溶劑(a)的含量：wta(重量)、芳香族烴溶劑(b)的含量：wtb(重量)、芳香族醚溶劑(c)的含量：wtc(重量)和溶劑(d)的含量：wtd(重量)優(yōu)選滿足式(4-2)，更優(yōu)選滿足式(4-3)。

0.00＜wtd/(wta+wtb+wtc+wtd)≤0.30(4-2)

0.00＜wtd/(wta+wtb+wtc+wtd)≤0.10(4-3)

溶劑(d)例如可以舉出脂肪族烴溶劑、一元醇溶劑、多元醇溶劑、酯溶劑、酮溶劑、脂肪族醚溶劑、包含氮原子的溶劑、包含硫原子的溶劑。

本發(fā)明的組合物中可以含有單獨1種溶劑(d)，也可以含有2種以上。

<有機el材料>

對于本發(fā)明的組合物中含有的有機el材料進行說明。

有機el材料為具有選自發(fā)光性、空穴傳輸性、空穴注入性、電子傳輸性和電子注入性中的至少1種功能的材料。有機el材料只要可溶于溶劑(a)、芳香族烴溶劑(b)或芳香族醚溶劑(c)，就可以為低分子化合物也可以為高分子化合物。

[高分子化合物]

出于具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的亮度壽命優(yōu)異，有機el材料優(yōu)選為包含選自式(x)所示的結構單元和式(y)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物。

本發(fā)明的組合物中可以含有單獨1種包含選自式(x)所示的結構單元和式(y)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物，也可以含有2種以上。

[式(x)所示的結構單元]

【化20】

[式中，

a^x1和a^x2各自獨立地表示0以上的整數(shù)。

ar^x1和ar^x3各自獨立地表示亞芳基或二價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。

ar^x2和ar^x4各自獨立地表示亞芳基、二價雜環(huán)基、或者至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團，這些基團可以具有取代基。在ar^x2和ar^x4存在有多個的情況下，它們各自可以相同也可以不同。

r^x1、r^x2和r^x3各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。在r^x2和r^x3存在有多個的情況下，它們各自可以相同也可以不同。]

出于具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，a^x1優(yōu)選為2以下的整數(shù)，更優(yōu)選為1。

出于具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，a^x2優(yōu)選為2以下的整數(shù)，更優(yōu)選為0。

r^x1、r^x2和r^x3優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基，這些基團可以具有取代基。

ar^x1和ar^x3所示的亞芳基更優(yōu)選為式(a-1)或式(a-9)所示的基團，進一步優(yōu)選為式(a-1)所示的基團，這些基團可以具有取代基。

ar^x1和ar^x3所示的二價雜環(huán)基更優(yōu)選為式(aa-1)、式(aa-2)或式(aa-7)-(aa-26)所示的基團，這些基團可以具有取代基。

ar^x1和ar^x3優(yōu)選為可以具有取代基的亞芳基。

ar^x2和ar^x4所示的亞芳基更優(yōu)選為式(a-1)、式(a-6)、式(a-7)、式(a-9)-(a-11)或式(a-19)所示的基團，這些基團可以具有取代基。

ar^x2和ar^x4所示的二價雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍與ar^x1和ar^x3所示的二價雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍相同。

ar^x2和ar^x4所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團中的亞芳基和二價雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進一步優(yōu)選的范圍分別與ar^x1和ar^x3所示的亞芳基和二價雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進一步優(yōu)選的范圍相同。

ar^x2和ar^x4所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團例如可以舉出下述式所示的基團，它們可以具有取代基。

【化21】

[式中，r^xx表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。]

r^xx優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團可以具有取代基。

ar^x2和ar^x4優(yōu)選為可以具有取代基的亞芳基。

ar^x1～ar^x4和r^x1～r^x3所示的基團可具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團可以進一步具有取代基。

式(x)所示的結構單元優(yōu)選為式(x-1)-(x-7)所示的結構單元，更優(yōu)選為式(x-1)-(x-6)所示的結構單元，進一步優(yōu)選為式(x-3)-(x-6)所示的結構單元。

【化22】

【化23】

【化24】

【化25】

[式中，r^x4和r^x5各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、鹵素原子、一價雜環(huán)基或氰基，這些基團可以具有取代基。存在的多個r^x4可以相同也可以不同。存在的多個r^x5可以相同也可以不同，相鄰的r^x5彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。]

出于具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的空穴傳輸性優(yōu)異，式(x)所示的結構單元相對于高分子化合物中含有的結構單元的合計量優(yōu)選為0.1～50摩爾％，更優(yōu)選為1～40摩爾％，進一步優(yōu)選為5～30摩爾％。

式(x)所示的結構單元例如可以舉出式(x1-1)-(x1-11)所示的結構單元，優(yōu)選為式(x1-3)-(x1-10)所示的結構單元。

【化26】

【化27】

【化28】

【化29】

【化30】

式(x)所示的結構單元在高分子化合物中可以僅包含1種，也可以包含2種以上。

[式(y)所示的結構單元]

【化31】

[式中，ar^y1表示亞芳基、二價雜環(huán)基、或者至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團，這些基團可以具有取代基。]

ar^y1所示的亞芳基更優(yōu)選為式(a-1)、式(a-2)、式(a-6)-(a-10)、式(a-19)或式(a-20)所示的基團，進一步優(yōu)選為式(a-1)、式(a-2)、式(a-7)、式(a-9)或式(a-19)所示的基團，這些基團可以具有取代基。

ar^y1所示的二價雜環(huán)基更優(yōu)選為式(aa-1)-(aa-4)、式(aa-10)-(aa-15)、式(aa-18)-(aa-21)、式(aa-33)或式(aa-34)所示的基團，進一步優(yōu)選為式(aa-4)、式(aa-10)、式(aa-12)、式(aa-14)或式(aa-33)所示的基團，這些基團可以具有取代基。

ar^y1所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團中的亞芳基和二價雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進一步優(yōu)選的范圍分別與上述的ar^y1所示的亞芳基和二價雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進一步優(yōu)選的范圍同樣。

ar^y1所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團可以舉出與式(x)的ar^x2和ar^x4所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團同樣的基團。

ar^y1所示的基團可具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團可以進一步具有取代基。

式(y)所示的結構單元例如可以舉出式(y-1)-(y-10)所示的結構單元，從具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的亮度壽命的觀點出發(fā)，優(yōu)選為式(y-1)-(y-3)所示的結構單元，從具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的電子傳輸性的觀點出發(fā)，優(yōu)選為式(y-4)-(y-7)所示的結構單元，從具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的發(fā)光效率和空穴傳輸性的觀點出發(fā)，優(yōu)選為式(y-8)-(y-10)所示的結構單元。

【化32】

[式中，r^y1表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。存在的多個r^y1可以相同也可以不同，相鄰的r^y1彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。]

r^y1優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團可以具有取代基。

式(y-1)所示的結構單元優(yōu)選為式(y-1′)所示的結構單元。

【化33】

[式中，r^y11表示烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。存在的多個r^y11可以相同也可以不同。]

r^y11優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，這些基團可以具有取代基。

【化34】

[式中，

r^y1表示與上文相同的含義。

x^y1表示-c(r^y2)2-、-c(r^y2)＝c(r^y2)-或-c(r^y2)2-c(r^y2)2-所示的基團。r^y2表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。存在的多個r^y2可以相同也可以不同，r^y2彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。]

r^y2優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團可以具有取代基。

在x^y1中，-c(r^y2)2-所示的基團中的2個r^y2的組合優(yōu)選為：雙方為烷基或環(huán)烷基；雙方為芳基；雙方為一價雜環(huán)基；或者一方為烷基或環(huán)烷基而另一方為芳基或一價雜環(huán)基，更優(yōu)選為：一方為烷基或環(huán)烷基而另一方為芳基，這些基團可以具有取代基。存在的2個r^y2可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)，在r^y2形成環(huán)的情況下，-c(r^y2)2-所示的基團優(yōu)選為式(y-a1)-(y-a5)所示的基團，更優(yōu)選為式(y-a4)所示的基團，這些基團可以具有取代基。

【化35】

在x^y1中，-c(r^y2)＝c(r^y2)-所示的基團中的2個r^y2的組合優(yōu)選為：雙方為烷基或環(huán)烷基；或者一方為烷基或環(huán)烷基而另一方為芳基，這些基團可以具有取代基。

在x^y1中，-c(r^y2)2-c(r^y2)2-所示的基團中的4個r^y2優(yōu)選為可以具有取代基的烷基或環(huán)烷基。存在的多個r^y2可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)，在r^y2形成環(huán)的情況下，-c(r^y2)2-c(r^y2)2-所示的基團優(yōu)選為式(y-b1)-(y-b5)所示的基團，更優(yōu)選為式(y-b3)所示的基團，這些基團可以具有取代基。

【化36】

[式中，r^y2表示與上文相同的含義。]

式(y-2)所示的結構單元優(yōu)選為式(y-2′)所示的結構單元。

【化37】

[式中，r^y1和x^y1表示與上文相同的含義。]

【化38】

[式中，r^y1和x^y1表示與上文相同的含義。]

式(y-3)所示的結構單元優(yōu)選為式(y-3′)所示的結構單元。

【化39】

[式中，r^y11和x^y1表示與上文相同的含義。]

【化40】

【化41】

[式中，

r^y1表示與上文相同的含義。

r^y3表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。]

r^y3優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基，這些基團可以具有取代基。

式(y-4)所示的結構單元優(yōu)選為式(y-4′)所示的結構單元，式(y-6)所示的結構單元優(yōu)選為式(y-6′)所示的結構單元。

【化42】

[式中，r^y1和r^y3表示與上文相同的含義。]

【化43】

[式中，

r^y1表示與上文相同的含義。

r^y4表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。]

r^y4優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基，這些基團可以具有取代基。

式(y)所示的結構單元例如可以舉出：包含式(y-101)-(y-121)所示的亞芳基的結構單元、包含式(y-201)-(y-206)所示的二價雜環(huán)基的結構單元、包含式(y-301)-(y-304)所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團的結構單元。

【化44】

【化45】

【化46】

【化47】

【化48】

【化49】

【化50】

【化51】

【化52】

出于具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的亮度壽命優(yōu)異，ar^y1為亞芳基的式(y)所示的結構單元相對于高分子化合物中包含的結構單元的合計量優(yōu)選為0.5～90摩爾％，更優(yōu)選為30～80摩爾％。

出于具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的發(fā)光效率、空穴傳輸性或電子傳輸性優(yōu)異，ar^y1為二價雜環(huán)基、或者至少1種的亞芳基與至少1種的二價雜環(huán)基直接鍵合的二價基團的式(y)所示的結構單元相對于高分子化合物中包含的結構單元的合計量優(yōu)選為0.5～50摩爾％，更優(yōu)選為3～30摩爾％。

式(y)所示的結構單元在高分子化合物中可以僅包含1種，也可以包含2種以上。

高分子化合物例如可以舉出表1的高分子化合物(p-101)～(p-107)。

【表1】

[表中，p、q、r、s和t表示各結構單元的摩爾比率。p+q+r+s+t＝100，并且100≥p+q+r+s≥70。其他結構單元是指除式(y)所示的結構單元、式(x)所示的結構單元以外的結構單元。]

在使用包含選自式(x)所示的結構單元和式(y)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物作為發(fā)光材料的情況下(即不與后述的銥絡合物并用的情況下)，

高分子化合物優(yōu)選為包含選自式(y-8)所示的結構單元、式(y-9)所示的結構單元和式(y-10)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物，

更優(yōu)選為包含選自式(y-8)所示的結構單元和式(y-9)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物，

進一步優(yōu)選為包含式(y-8)所示的結構單元的高分子化合物。

另外，高分子化合物優(yōu)選為：

包含選自式(y-1)所示的結構單元、式(y-2)所示的結構單元、式(y-3)所示的結構單元和式(x)所示的結構單元中的至少1種結構單元作為除式(y-8)所示的結構單元、式(y-9)所示的結構單元和式(y-10)所示的結構單元以外的結構單元的高分子化合物，

更優(yōu)選為：包含選自式(y-1)所示的結構單元、式(y-2)所示的結構單元和式(x)所示的結構單元中的至少1種結構單元作為除式(y-8)所示的結構單元、式(y-9)所示的結構單元和式(y-10)所示的結構單元以外的結構單元的高分子化合物，

進一步優(yōu)選為：包含選自式(y-2)所示的結構單元和式(x)所示的結構單元中的至少1種結構單元作為除式(y-8)所示的結構單元、式(y-9)所示的結構單元和式(y-10)所示的結構單元以外的結構單元的高分子化合物，

特別優(yōu)選為：包含式(y-2)所示的結構單元和式(x)所示的結構單元作為除式(y-8)所示的結構單元、式(y-9)所示的結構單元和式(y-10)所示的結構單元以外的結構單元的高分子化合物。

[高分子化合物的制造方法]

包含選自式(x)所示的結構單元和式(y)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物可以使用chemicalreview(chem.rev.)，第109卷，897-1091頁(2009年)等中記載的公知的聚合方法進行制造，例示出通過suzuki反應、yamamoto反應、buchwald反應、stille反應、negishi反應和kumada反應等使用過渡金屬催化劑的偶聯(lián)反應進行聚合的方法。

上述聚合方法中，投入單體的方法可以舉出：將單體總量一次性投入反應體系的方法；將單體的一部分投入并進行反應后，將其余的單體一次性投入、連續(xù)投入或分批投入的方法；連續(xù)或分批投入單體的方法等。

過渡金屬催化劑可以舉出鈀催化劑、鎳催化劑等。

聚合反應的后處理單獨或組合公知的方法進行，例如：通過分液除去水溶性雜質的方法；在甲醇等低級醇中加入聚合反應后的反應液，過濾析出的沉淀后進行干燥的方法等。高分子化合物的純度低的情況下，例如可以用重結晶、再沉淀、利用索氏提取器的連續(xù)萃取、柱色譜等通常的方法進行提純。

[銥絡合物]

出于具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，有機el材料優(yōu)選為銥絡合物。

本發(fā)明的組合物中可以含有單獨1種銥絡合物，也可以含有2種以上。

出于具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，銥絡合物優(yōu)選為式(ir-1)所示的銥絡合物、式(ir-2)所示的銥絡合物、式(ir-3)所示的銥絡合物、式(ir-4)所示的銥絡合物或式(ir-5)所示的銥絡合物，更優(yōu)選為式(ir-1)所示的銥絡合物、式(ir-2)所示的銥絡合物或式(ir-3)所示的銥絡合物。

【化53】

【化54】

【化55】

[式中，

nd1表示1、2或3。nd2表示1或2。

r^d1、r^d2、r^d3、r^d4、r^d5、r^d6、r^d7、r^d8、r^d11、r^d12、r^d13、r^d14、r^d15、r^d16、r^d17、r^d18、r^d19、r^d20、r^d21、r^d22、r^d23、r^d24、r^d25、r^d26、r^d31、r^d32、r^d33、r^d34、r^d35、r^d36和r^d37各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環(huán)基或鹵素原子，這些基團可以具有取代基。在r^d1、r^d2、r^d3、r^d4、r^d5、r^d6、r^d7、r^d8、r^d11、r^d12、r^d13、r^d14、r^d15、r^d16、r^d17、r^d18、r^d19、r^d20、r^d21、r^d22、r^d23、r^d24、r^d25、r^d26、r^d31、r^d32、r^d33、r^d34、r^d35、r^d36和r^d37存在有多個的情況下，它們各自可以相同也可以不同。

-a^d1---a^d2-表示陰離子性的二齒配體。a^d1和a^d2各自獨立地表示與銥原子鍵合的碳原子、氧原子或氮原子，這些原子可以為構成環(huán)的原子。在-a^d1---a^d2-存在有多個的情況下，它們可以相同也可以不同。]

式(ir-1)所示的銥絡合物中，優(yōu)選：r^d1～r^d8中的至少1個為式(d-a)所示的基團。

式(ir-2)所示的銥絡合物中，優(yōu)選：r^d11～r^d20中的至少1個為式(d-a)所示的基團。

式(ir-3)所示的銥絡合物中，優(yōu)選：r^d1～r^d8和r^d11～r^d20中的至少1個為式(d-a)所示的基團。

式(ir-4)所示的銥絡合物中，優(yōu)選：r²¹～r^d26中的至少1個為式(d-a)所示的基團。

式(ir-5)所示的銥絡合物中，優(yōu)選：r^d31～r^d37中的至少1個為式(d-a)所示的基團。

【化56】

[式中，

m^da1、m^da2和m^da3各自獨立地表示0以上的整數(shù)。

g^da表示氮原子、芳香族烴基或雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。

ar^da1、ar^da2和ar^da3各自獨立地表示亞芳基或二價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。在ar^da1、ar^da2和ar^da3存在有多個的情況下，它們各自可以相同也可以不同。

t^da表示芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。存在的多個t^da可以相同也可以不同。]

m^da1、m^da2和m^da3通常為10以下的整數(shù)，優(yōu)選為5以下的整數(shù)，更優(yōu)選為0或1。m^da1、m^da2和m^da3優(yōu)選為同一整數(shù)。

g^da優(yōu)選為式(gda-11)～(gda-15)所示的基團，這些基團可以具有取代基。

【化57】

[式中，

*、**和***分別表示與ar^da1、ar^da2、ar^da3的鍵合。

r^da表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以進一步具有取代基。在r^da存在有多個的情況下，它們可以相同也可以不同。]

r^da優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，這些基團可以具有取代基。

ar^da1、ar^da2和ar^da3優(yōu)選為式(arda-1)～(arda-3)所示的基團。

【化58】

[式中，

r^da表示與上文相同的含義。

r^db表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。在r^db存在有多個的情況下，它們可以相同也可以不同。]

t^da優(yōu)選為式(tda-1)～(tda-3)所示的基團。

【化59】

[式中，r^da和r^db表示與上文相同的含義。]

式(d-a)所示的基團優(yōu)選為式(d-a1)～(d-a3)所示的基團。

【化60】

[式中，

np1表示0～5的整數(shù)，np2表示0～3的整數(shù)，np3表示0或1。存在的多個np1可以相同也可以不同。

r^p1、r^p2和r^p3各自獨立地表示烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基或鹵素原子。在r^p1和r^p2存在有多個的情況下，它們各自可以相同也可以不同。]

np1優(yōu)選為0或1，更優(yōu)選為1。np2優(yōu)選為0或1，更優(yōu)選為0。np3優(yōu)選為0。

r^p1、r^p2和r^p3優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基。

-a^d1---a^d2-所示的陰離子性的二齒配體例如可以舉出下述式所示的配體。

【化61】

[式中，*表示與銥原子鍵合的部位。]

式(ir-1)所示的銥絡合物優(yōu)選為式(ir-11)～式(ir-13)所示的銥絡合物。式(ir-2)所示的銥絡合物優(yōu)選為式(ir-21)所示的銥絡合物。式(ir-3)所示的銥絡合物優(yōu)選為式(ir-31)～式(ir-33)所示的銥絡合物。式(ir-4)所示的銥絡合物優(yōu)選為式(ir-41)～式(ir-43)所示的銥絡合物。式(ir-5)所示的銥絡合物優(yōu)選為式(ir-51)～式(ir-53)所示的銥絡合物。

【化62】

【化63】

【化64】

【化65】

【化66】

[式中，

nd2表示1或2。

d表示式(d-a)所示的基團。存在的多個d可以相同也可以不同。

r^dc表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。存在的多個r^dc可以相同也可以不同。

r^dd表示烷基、環(huán)烷基、芳基或一價雜環(huán)基，這些基團可以具有取代基。存在的多個r^dd可以相同也可以不同。]

銥絡合物例如可以舉出下述式所示的銥絡合物。

【化67】

【化68】

【化69】

【化70】

【化71】

銥絡合物例如可以依據(jù)日本特表2004-530254號公報、日本特開2008-179617號公報、日本特開2011-105701號公報、日本特表2007-504272號公報、日本特開2013-147449號公報、日本特開2013-147450號公報中記載的方法進行合成。

[包含具有銥絡合物的結構的結構單元的高分子化合物]

銥絡合物可以是包含具有銥絡合物的結構的結構單元(即，具有除去與構成銥絡合物的碳原子或雜原子直接鍵合的1個以上的氫原子而成的基團的結構單元。以下也稱作“銥絡合物結構單元”)的高分子化合物。

銥絡合物結構單元為具有式(ir-1)、式(ir-2)、式(ir-3)、式(ir-4)或式(ir-5)所示的銥絡合物的結構的結構單元。具有式(ir-1)、式(ir-2)、式(ir-3)、式(ir-4)或式(ir-5)所示的銥絡合物的結構的結構單元優(yōu)選為具有從式(ir-1)、式(ir-2)、式(ir-3)、式(ir-4)或式(ir-5)所示的銥絡合物除去與構成該絡合物的碳原子或雜原子直接鍵合的1個以上且3個以下的氫原子而成的基團的結構單元，更優(yōu)選為具有從式(ir-1)、式(ir-2)、式(ir-3)、式(ir-4)或式(ir-5)所示的銥絡合物除去與構成該絡合物的碳原子或雜原子直接鍵合的2個氫原子而成的基團的結構單元。

包含銥絡合物結構單元的高分子化合物還優(yōu)選為上述的包含選自式(x)所示的結構單元和式(y)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物。

這些之中，包含銥絡合物結構單元的高分子化合物優(yōu)選為包含選自式(y-4)所示的結構單元、式(y-5)所示的結構單元、式(y-6)所示的結構單元和式(y-7)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物，

更優(yōu)選為包含選自式(y-4)所示的結構單元和式(y-6)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物，

進一步優(yōu)選為包含式(y-4)所示的結構單元的高分子化合物。

另外，包含銥絡合物結構單元的高分子化合物優(yōu)選為：包含選自式(y-1)所示的結構單元、式(y-2)所示的結構單元、式(y-3)所示的結構單元和式(x)所示的結構單元中的至少1種結構單元作為除式(y-4)所示的結構單元、式(y-5)所示的結構單元、式(y-6)所示的結構單元和式(y-7)所示的結構單元以外的結構單元的高分子化合物，

更優(yōu)選為：包含選自式(y-1)所示的結構單元、式(y-2)所示的結構單元和式(x)所示的結構單元中的至少1種結構單元作為除式(y-4)所示的結構單元、式(y-5)所示的結構單元、式(y-6)所示的結構單元和式(y-7)所示的結構單元以外的結構單元的高分子化合物。

銥絡合物結構單元在高分子化合物中可以僅包含1種，也可以包含2種以上。

[主體材料]

銥絡合物通過與具有選自空穴傳輸性、空穴注入性、電子傳輸性和電子注入性中的至少1種功能的主體材料并用，由此具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的發(fā)光效率變得優(yōu)異。即，本發(fā)明的組合物含有銥絡合物作為有機el材料的情況下，本發(fā)明的組合物優(yōu)選包含銥絡合物和主體材料作為有機el材料。

本發(fā)明的組合物中含有主體材料的情況下，主體材料可以含有單獨1種，也可以含有2種以上。

本發(fā)明的組合物含有銥絡合物和主體材料作為有機el材料的情況下，在將銥絡合物和主體材料的合計含量設為100重量份時，銥絡合物的含量通常為0.05～80重量份，優(yōu)選為0.1～50重量份，更優(yōu)選為0.5～40重量份。

出于具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，主體材料具有的最低激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)(t1)優(yōu)選為與銥絡合物具有的t1同等的能級、或者更高的能級。

主體材料被分類為低分子化合物(以下也稱作“低分子主體”)和高分子化合物(以下也稱作“高分子主體”)，可以為低分子主體和高分子主體中的任一種，優(yōu)選為高分子主體。

低分子主體例如可以舉出：具有咔唑結構的化合物、具有三芳基胺結構的化合物、具有菲咯啉結構的化合物、具有三芳基三嗪結構的化合物、具有唑結構的化合物、具有苯并噻吩結構的化合物、具有苯并呋喃結構的化合物、具有芴結構的化合物、具有螺芴結構的化合物等。

低分子主體的具體例可以舉出下述式所示的化合物。

【化72】

【化73】

【化74】

【化75】

高分子主體優(yōu)選為上述的包含選自式(x)所示的結構單元和式(y)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物。

這些之中，高分子主體優(yōu)選為：

包含選自式(y-4)所示的結構單元、式(y-5)所示的結構單元、式(y-6)所示的結構單元和式(y-7)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物，

更優(yōu)選為包含選自式(y-4)所示的結構單元和式(y-6)所示的結構單元中的至少1種結構單元的高分子化合物，

進一步優(yōu)選為包含式(y-4)所示的結構單元的高分子化合物。

另外，高分子主體優(yōu)選為：包含選自式(y-1)所示的結構單元、式(y-2)所示的結構單元、式(y-3)所示的結構單元和式(x)所示的結構單元中的至少1種結構單元作為除式(y-4)所示的結構單元、式(y-5)所示的結構單元、式(y-6)所示的結構單元和式(y-7)所示的結構單元以外的結構單元的高分子化合物，

更優(yōu)選為：包含選自式(y-1)所示的結構單元、式(y-2)所示的結構單元和式(x)所示的結構單元中的至少1種結構單元作為除式(y-4)所示的結構單元、式(y-5)所示的結構單元、式(y-6)所示的結構單元和式(y-7)所示的結構單元以外的結構單元的高分子化合物。

[其他有機el材料]

本發(fā)明的組合物中含有的有機el材料可以為下述的空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料和發(fā)光材料。

[空穴傳輸材料]

空穴傳輸材料分類為低分子化合物和高分子化合物，優(yōu)選為高分子化合物，更優(yōu)選為具有交聯(lián)基的高分子化合物。

高分子化合物例如可以舉出聚乙烯咔唑及其衍生物；在側鏈或主鏈具有芳香族胺結構的聚亞芳基及其衍生物。高分子化合物可以是鍵合有電子接受性部位的化合物。電子接受性部位例如可以舉出富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基芴酮等，優(yōu)選為富勒烯。

本發(fā)明的組合物中可以含有單獨1種空穴傳輸材料，也可以含有2種以上。

[電子傳輸材料]

電子傳輸材料分類為低分子化合物和高分子化合物。電子傳輸材料可以具有交聯(lián)基。

低分子化合物例如可以舉出以8-羥基喹啉為配體的金屬絡合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二氰基二苯乙烯和聯(lián)苯醌、以及它們的衍生物。

高分子化合物例如可以舉出聚苯、聚芴、以及它們的衍生物。高分子化合物可以經金屬摻雜。

本發(fā)明的組合物中可以含有單獨1種電子傳輸材料，也可以含有2種以上。

[空穴注入材料和電子注入材料]

空穴注入材料和電子注入材料各自分類為低分子化合物和高分子化合物?？昭ㄗ⑷氩牧虾碗娮幼⑷氩牧峡梢跃哂薪宦?lián)基。

低分子化合物例如可以舉出銅酞菁等金屬酞菁；碳；鉬、鎢等的金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。

高分子化合物例如可以舉出聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯乙烯撐、聚亞噻吩基亞乙烯基、聚喹啉和聚喹喔啉、以及它們的衍生物；在主鏈或側鏈包含芳香族胺結構的聚合物等導電性高分子。

本發(fā)明的組合物中，空穴注入材料和電子注入材料各自可以含有單獨1種，也可以含有2種以上。

在空穴注入材料或電子注入材料包含導電性高分子的情況下，導電性高分子的電導率優(yōu)選為1×10^-5s/cm～1×10³s/cm。為了將導電性高分子的電導率設為該范圍，可以在導電性高分子中摻雜適量的離子

摻雜的離子的種類在空穴注入材料的情況下為陰離子，在電子注入材料的情況下為陽離子。陰離子例如可以舉出聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子。陽離子例如可以舉出鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子。

摻雜的離子可以使用單獨一種，也可以并用兩種以上。

[發(fā)光材料]

發(fā)光材料例如可以舉出萘及其衍生物、蒽及其衍生物、以及苝及其衍生物。

本發(fā)明的組合物中，發(fā)光材料可以含有單獨1種，也可以含有2種以上。

[抗氧化劑]

本發(fā)明的組合物可以含有可溶于溶劑(a)、芳香族烴溶劑(b)或芳香族醚化合物(c)且不阻礙發(fā)光和電荷傳輸?shù)目寡趸瘎??？寡趸瘎├缈梢耘e出酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。

本發(fā)明的組合物中可以含有單獨1種抗氧化劑，也可以含有2種以上。

<組成比>

本發(fā)明的組合物為含有有機el材料、溶劑(a)、芳香族烴溶劑(b)和芳香族醚溶劑(c)的組合物。

本發(fā)明的組合物中，

在將有機el材料、溶劑(a)、芳香族烴溶劑(b)和芳香族醚溶劑(c)的合計含量設為100重量份的情況下，

有機el材料的含量通常為0.1～10.0重量份，出于利用噴墨印刷法時的噴出性優(yōu)異，優(yōu)選為0.2～7.0重量份，更優(yōu)選為0.3～5.0重量份。

在本發(fā)明的組合物含有上述的溶劑(d)的情況下，在將有機el材料、溶劑(a)、芳香族烴溶劑(b)、芳香族醚溶劑(c)和溶劑(d)的合計含量設為100重量份的情況下，有機el材料的含量通常為0.05～10.0重量份，出于利用噴墨印刷法時的噴出性優(yōu)異，優(yōu)選為0.1～7.0重量份，更優(yōu)選為0.2～5.0重量份。

<膜>

膜為使用本發(fā)明的組合物形成的膜。膜中含有有機el材料。

膜中可以原樣含有有機el材料，也可以以在分子內或在分子間、或者在分子內和分子間發(fā)生交聯(lián)的狀態(tài)(交聯(lián)體)含有有機el材料。含有有機el材料的交聯(lián)體的膜是利用加熱、光照射等外部刺激使含有有機el材料的膜發(fā)生交聯(lián)而得到的膜。含有有機el材料的交聯(lián)體的膜由于變得實質上不溶于溶劑，因此能夠適合地用于發(fā)光元件的層疊。

用于使膜交聯(lián)的加熱的溫度通常為25～300℃，優(yōu)選為50～250℃，更優(yōu)選為150～200℃。

用于使膜交聯(lián)的光照射所使用的光的種類例如為紫外光、近紫外光、可見光、紅外線。

膜適宜作為發(fā)光元件中的發(fā)光層、空穴傳輸層或空穴注入層。

膜可以使用本發(fā)明的組合物通過例如旋涂法、流延法、微凹板涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸漬涂布法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法、毛細管涂布法、噴嘴涂布法進行制作，通過作為噴出型涂布法的噴墨印刷法等制作的膜其平坦性優(yōu)異。

膜的厚度通常為1nm～10μm。

<發(fā)光元件>

本發(fā)明的發(fā)光元件為具有使用本發(fā)明的組合物形成的膜的發(fā)光元件。如上所述，膜可以原樣含有有機el材料，也可以為含有有機el材料的交聯(lián)體的膜。

本發(fā)明的發(fā)光元件的構成例如具有：包括陽極和陰極的電極、和設置于該電極間的使用本發(fā)明的組合物形成的膜。

[層構成]

使用本發(fā)明的組合物得到的膜通常為發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層、電子傳輸層、電子注入層中的1種以上的層，優(yōu)選為發(fā)光層。這些層分別包含發(fā)光材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料。

發(fā)光元件在陽極與陰極之間具有發(fā)光層。從空穴注入性和空穴傳輸性的觀點出發(fā)，本發(fā)明的發(fā)光元件優(yōu)選在陽極與發(fā)光層之間具有空穴注入層和空穴傳輸層中的至少1層，從電子注入性和電子傳輸性的觀點出發(fā)，優(yōu)選在陰極與發(fā)光層之間具有電子注入層和電子傳輸層中的至少1層。

空穴傳輸層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴注入層和電子注入層的材料除了本發(fā)明的組合物以外，分別可以舉出上述的空穴傳輸材料、電子傳輸材料、發(fā)光材料、空穴注入材料和電子注入材料等。

對于空穴傳輸層的材料、電子傳輸層的材料和發(fā)光層的材料而言，在發(fā)光元件的制作中，在分別可溶于在與空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層相鄰的層的形成時所使用的溶劑的情況下，為了避免該材料溶于該溶劑，優(yōu)選該材料具有交聯(lián)基。使用具有交聯(lián)基的材料形成各層后，通過使該交聯(lián)基交聯(lián)，可以使該層實質上不溶于溶劑。

本發(fā)明的發(fā)光元件中，作為發(fā)光層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴注入層、電子注入層等各層的形成方法，在使用低分子化合物的情況下，例如可以舉出利用粉末的真空蒸鍍法、基于利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜的方法，使用高分子化合物的情況下，例如可以舉出基于利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜的方法。

層疊的層的順序、數(shù)量和厚度考慮發(fā)光效率和亮度壽命進行調整。

[基板/電極]

發(fā)光元件中的基板只要是可以形成電極且在形成有機層時不發(fā)生化學性變化的基板即可，例如由玻璃、塑料、硅等材料構成的基板。不透明的基板的情況下，位置距基板最遠的電極優(yōu)選為透明或半透明。

陽極的材料例如可以舉出導電性的金屬氧化物、半透明的金屬，優(yōu)選為氧化銦、氧化鋅、氧化錫；銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物等導電性化合物；銀與鈀與銅的復合體(apc)；nesa、金、鉑、銀、銅。

陰極的材料例如可以舉出鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬；這些之中的2種以上的合金；這些之中1種以上與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中1種以上的合金；以及石墨和石墨層間化合物。合金例如可以舉出鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。

陽極和陰極各自可以為2層以上的層疊結構。

[用途]

為了使用發(fā)光元件得到面狀的發(fā)光，以面狀的陽極與陰極疊合的方式配置即可。為了得到圖案狀的發(fā)光，有在面狀的發(fā)光元件的表面設置設有圖案狀的窗的掩模的方法、使欲作為非發(fā)光部的層形成得極端厚而實質上成為不發(fā)光的方法、以圖案狀形成陽極或陰極、或者這兩種電極的方法。利用這些中的任一方法形成圖案，以能夠獨立進行開關(on/off)的方式配置若干電極，由此可得到可以顯示數(shù)字、文字等的分段型的顯示裝置。為了形成點陣顯示裝置，將陽極和陰極以共同形成條狀并正交的方式進行配置即可。通過分別涂布多種的發(fā)光色不同的高分子化合物的方法、使用濾色器或熒光轉換過濾器的方法，能夠進行部分彩色顯示、多色顯示。點陣顯示裝置也能夠進行無源驅動，也可以與tft等組合進行有源驅動。這些顯示裝置可以用于計算機、電視、便攜終端等的顯示器。面狀的發(fā)光元件可以適合地用作液晶顯示裝置的背光用的面狀光源、或者面狀的照明用光源。如果使用柔性的基板，則也可以用作曲面狀的光源及顯示裝置。

實施例

以下，通過實施例進一步更詳細說明本發(fā)明，本發(fā)明不限于這些實施例。

在實施例中，高分子化合物的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(mn)和聚苯乙烯換算的重均分子量(mw)通過尺寸排阻色譜法(sec)(島津制作所制、商品名：lc-10avp)求出。需要說明的是，sec的測定條件如下所述。

[測定條件]

使待測定的高分子化合物以約0.05重量％的濃度溶于thf，向sec中注入10μl。使用thf作為sec的流動相，以2.0ml/分鐘的流量進行流通。柱使用plgelmixed-b(polymerlaboratories制造)。檢測器使用uv-vis檢測器(島津制作所制、商品名：spd-10avp)。

在本實施例中，膜的形狀使用非接觸三維表面形狀測定裝置(zygo公司制)進行測定。

<合成例1>高分子化合物p1的合成

【化76】

單體cm1依據(jù)國際公開第2012/086671號中記載的方法進行合成。

單體cm2使用市售品。

單體cm3依據(jù)日本特開2004-143419號公報中記載的方法進行合成。

將反應容器內設為非活性氣體氣氛下后，加入單體cm1(13.4g)、單體cm2(9.0g)、單體cm3(1.3g)、四乙基氫氧化銨(43.0g)、乙酸鈀(8mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(0.05g)和甲苯(200ml)，加熱至90℃，在90℃攪拌8小時。之后，向其中加入苯硼酸(0.22g)，在90℃攪拌14小時。將所得到的反應混合物冷卻至室溫后，除去水層。之后，向其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，進行攪拌后，除去水層。依次用水、3重量％乙酸水溶液洗滌所得到的有機層。將所得到的有機層滴加至甲醇中，結果產生了沉淀物。使所得到的沉淀物溶于甲苯，向硅膠柱和氧化鋁柱中進行通液由此進行純化。將所得到的甲苯溶液滴加至甲醇中，結果產生了沉淀物。濾取所得到的沉淀物，進行干燥，由此得到了12.5g的高分子化合物p1。高分子化合物p1的mw為3.1×10⁵。

以根據(jù)投入原料的量求出的理論值計，高分子化合物p1為由單體cm1衍生的結構單元、由單體cm2衍生的結構單元和由單體cm3衍生的結構單元以50∶45∶5的摩爾比構成而成的共聚物。

<實施例1>組合物1的制備

將高分子化合物p1(0.5重量份)、癸基苯(東京化成公司制)(19.9重量份)、環(huán)己基苯(東京化成公司制)(39.8重量份)和4-甲基苯甲醚(東京化成公司制)(39.8重量份)混合。對所得到的混合物進行攪拌，由此制備了在癸基苯、環(huán)己基苯和4-甲基苯甲醚的混合溶劑中溶解有高分子化合物p1的組合物1。

<實施例2>組合物2的制備

將高分子化合物p1(0.5重量份)、十二烷基苯(東京化成公司制)(19.9重量份)、環(huán)己基苯(東京化成公司制)(39.8重量份)和4-甲基苯甲醚(東京化成公司制)(39.8重量份)混合。對所得到的混合物進行攪拌，由此制備了在十二烷基苯、環(huán)己基苯和4-甲基苯甲醚的混合溶劑中溶解有高分子化合物p1的組合物2。

<比較例1>組合物c1的制備

將高分子化合物p1(0.5重量份)、環(huán)己基苯(東京化成公司制)(49.75重量份)和4-甲基苯甲醚(東京化成公司制)(49.75重量份)混合。對所得到的混合物進行攪拌，由此制備了在環(huán)己基苯和4-甲基苯甲醚的混合溶劑中溶解有高分子化合物p1的組合物c1。

<實施例d1>膜形狀測定元件d1的制作和評價

(空穴注入層的形成)

空穴注入層的形成中使用以固體含量濃度計含有1.0重量％的空穴注入材料的shi2520-b10-ij5(日產化學公司制)。將shi2520-b10-ij5導入噴墨印刷裝置(litrex公司制、142p)中。

接著，利用噴墨印刷法在形成于玻璃基板上的由疏液性的間隔壁包圍的ito膜上(ito膜厚：45nm)涂布shi2520-b10-ij5，在減壓環(huán)境下(1pa)進行干燥，由此以35nm的厚度成膜出膜。將所得到的膜在大氣氣氛下于加熱板上在225℃加熱15分鐘，由此形成空穴注入層。

(空穴傳輸層的形成)

在環(huán)己基苯和4-甲基苯甲醚(環(huán)己基苯/4-甲基苯甲醚＝79重量％/21重量％)中以固體含量濃度計溶解0.45重量％的空穴傳輸材料1(高分子化合物)，制備了空穴傳輸材料組合物1。將所得到的空穴傳輸材料組合物1導入噴墨印刷裝置(litrex公司制、142p)。

接著，利用噴墨印刷法在空穴注入層上涂布空穴傳輸材料組合物1，在減壓環(huán)境下(1pa)進行干燥，由此以20nm的厚度成膜出膜。將所得到的膜在氮氣氣氛下于加熱板上在195℃加熱60分鐘，由此形成空穴傳輸層。

(發(fā)光層的形成)

在癸基苯、環(huán)己基苯和4-甲基苯甲醚(癸基苯/環(huán)己基苯/4-甲基苯甲醚＝18.3重量％/40.2重量％/41.5重量％)中以固體含量濃度計溶解1.8重量％的綠色發(fā)光材料1(含有銥絡合物和高分子主體)，制備了綠色發(fā)光材料組合物1。將所得到的綠色發(fā)光材料組合物1導入噴墨印刷裝置(litrex公司制、120l)中。

接著，利用噴墨印刷法在空穴傳輸層上涂布綠色發(fā)光材料組合物1，在減壓環(huán)境下(1pa)進行干燥，由此以80nm的厚度成膜出膜。將所得到的膜在氮氣氣氛下于加熱板上在145℃加熱10分鐘，由此形成了發(fā)光層。

(陰極的形成)

將形成有發(fā)光層的玻璃基板在蒸鍍機內減壓至1.0×10^-4pa以下后，在發(fā)光層上蒸鍍約30nm的鋁由此形成陰極，從而制作了膜形狀測定元件d1。

(膜的形狀測定)

對膜形狀測定元件d1的膜的形狀進行測定。測定結果示于圖1。對相對于在由疏液性的間隔壁包圍的像素范圍內的最薄膜厚而言膜厚+5nm的范圍進行評價，結果為由疏液性的間隔壁包圍的像素范圍內的22％。

<比較例cd1>膜形狀測定元件cd1的制作和評價

(空穴注入層和空穴傳輸層的形成)

與實施例d1同樣地進行，形成了空穴注入層和空穴傳輸層。

(發(fā)光層的形成)

在環(huán)己基苯和4-甲基苯甲醚(環(huán)己基苯/4-甲基苯甲醚＝79重量％/21重量％)中以固體含量濃度計溶解1.8重量％的綠色發(fā)光材料1(含有銥絡合物和高分子主體)，制備了綠色發(fā)光材料組合物c1。將所得到的綠色發(fā)光材料組合物c1導入噴墨印刷裝置(litrex公司制、142p)中。

接著，利用噴墨印刷法在空穴傳輸層上涂布綠色發(fā)光材料組合物c1，在減壓環(huán)境下(1pa)進行干燥，由此以80nm的厚度成膜出膜。將所得到的膜在氮氣氣氛下于加熱板上在145℃加熱10分鐘，由此形成了發(fā)光層。

(陰極的形成)

與實施例d1同樣地進行，由此形成陰極，從而制作了膜形狀測定元件cd1。

(膜的形狀測定)

對膜形狀測定元件cd1的膜的形狀進行測定。測定結果示于圖1。對相對于在由疏液性的間隔壁包圍的像素范圍內的最薄膜厚而言膜厚+5nm的范圍進行評價，結果為由疏液性的間隔壁包圍的像素范圍內的16％。

<實施例d2>膜形狀測定元件d2的制作和評價

(空穴注入層和空穴傳輸層的形成)

與實施例d1同樣地進行，形成了空穴注入層和空穴傳輸層。

(發(fā)光層的形成)

在癸基苯、環(huán)己基苯和4-甲基苯甲醚(癸基苯/環(huán)己基苯/4-甲基苯甲醚＝18.3重量％/40.2重量％/41.5重量％)中以固體含量濃度計溶解0.8重量％的藍色發(fā)光材料2(高分子化合物)，制備了藍色發(fā)光材料組合物2。將所得到的藍色發(fā)光材料組合物2導入噴墨印刷裝置(litrex公司制、120l)中。

接著，利用噴墨印刷法在空穴傳輸層上涂布藍色發(fā)光材料組合物2，在減壓環(huán)境下(1pa)進行干燥，由此以65nm的厚度成膜出膜。將所得到的膜在氮氣氣氛下于加熱板上在145℃加熱10分鐘，由此形成了發(fā)光層。

(陰極的形成)

與實施例d1同樣地進行，形成了陰極，由此制作了膜形狀測定元件d2。

(膜的形狀測定)

對膜形狀測定元件d2的膜的形狀進行測定。測定結果示于圖2。對相對于在由疏液性的間隔壁包圍的像素范圍內的最薄膜厚而言膜厚+5nm的范圍進行評價，結果為由疏液性的間隔壁包圍的像素范圍內的45％。

<比較例cd2>膜形狀測定元件cd2的制作和評價

(空穴注入層和空穴傳輸層的形成)

與實施例d1同樣地進行，形成了空穴注入層和空穴傳輸層。

(發(fā)光層的形成)

在環(huán)己基苯和4-甲基苯甲醚(環(huán)己基苯/4-甲基苯甲醚＝79重量％/21重量％)中以固體含量濃度計溶解0.8重量％的藍色發(fā)光材料2(高分子化合物)，制備了藍色發(fā)光材料組合物c2。將所得到的藍色發(fā)光材料組合物c2導入噴墨印刷裝置(litrex公司制、142p)中。

接著，利用噴墨印刷法在空穴傳輸層上涂布藍色發(fā)光材料組合物c2，在減壓環(huán)境下(1pa)進行干燥，由此以65nm的厚度成膜出膜。將所得到的膜在氮氣氣氛下于加熱板上在145℃加熱10分鐘，由此形成了發(fā)光層。

(陰極的形成)

與實施例d1同樣地進行，形成了陰極，由此制作了膜形狀測定元件cd2。

(膜的形狀測定)

對膜形狀測定元件cd2的膜的形狀進行測定。測定結果示于圖2。對相對于在由疏液性的間隔壁包圍的像素范圍內的最薄膜厚而言膜厚+5nm的范圍進行評價，結果為由疏液性的間隔壁包圍的像素范圍內的30％。

產業(yè)上的可利用性

根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種組合物，其含有有機el材料和溶劑，所述組合物在用于噴出型涂布法時對制造平坦性優(yōu)異的膜有用。另外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有使用該組合物形成的膜的發(fā)光元件。