本實(shí)用新型屬于電抗器技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種三相電抗器，具體涉及一種用于大功率、低開關(guān)頻率光伏逆變器LCL濾波單元中的磁集成式三相電抗器。

背景技術(shù)：

磁集成式三相電抗器是光伏逆變器的核心器件，用于逆變器的逆變側(cè)和網(wǎng)側(cè)之間，并與其相配套的電容組成了LCL濾波電路，起到了濾波、儲(chǔ)能的作用。傳統(tǒng)的LCL濾波電路是由逆變側(cè)電感(L)、電容(C)、網(wǎng)側(cè)電感(L)組成，體積大，而且電抗器本身的材料使用較多，客戶安裝時(shí)，操作比較復(fù)雜。而且三相電抗器引出母排多采用純鋁材料，與用戶的銅排對接時(shí)容易產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種磁集成式三相電抗器，將逆變側(cè)電感和網(wǎng)側(cè)電感在磁路與結(jié)構(gòu)上集成在一起，有效的減小了體積，降低了成本，而且還克服了三相電抗器引出母排與用戶的銅排對接時(shí)容易產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕的問題。

本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是：一種磁集成式三相電抗器，包括上軛鐵芯、中軛鐵芯、下軛鐵芯，所述上軛鐵芯、中軛鐵芯及下軛鐵芯分別與夾件組合裝配，所述上軛鐵芯與中軛鐵芯間設(shè)有上芯柱，所述中軛鐵芯與下軛鐵芯間設(shè)有下芯柱，所述上芯柱上繞制有網(wǎng)側(cè)線圈，所述下芯柱上繞制有逆變側(cè)線圈，所述網(wǎng)側(cè)線圈與逆變側(cè)線圈通過中軛鐵芯連接于一體，所述網(wǎng)側(cè)線圈上端引出第一引出母排，所述網(wǎng)側(cè)線圈下端與逆變側(cè)線圈上端分別引出第二引出母排，所述逆變側(cè)線圈下端引出第三引出母排，所述第一引出母排，第二引出母排及第三引出母排均由純鋁母排與純銅母排轉(zhuǎn)接而成，且第二引出母排的勾形銅母排通過螺栓連接有連接母排，且所述網(wǎng)側(cè)線圈與逆變側(cè)線圈通過連接母排實(shí)現(xiàn)電連接。

優(yōu)選地，所述上芯柱采用無取向硅鋼片疊加而成，所述無取向硅鋼片厚度為0.35mm，型號為B35A250。

優(yōu)選地，所述下芯柱采用硅鋼片疊加而成，所述硅鋼片的厚度為0.23mm，型號為B23P090。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型具有的有益效果：將逆變側(cè)電感和網(wǎng)側(cè)電感集成在一起，而且上芯柱與下芯柱采用不同的硅鋼片疊加而成，既簡化了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，又有效地減小了體積和重量，降低了電抗器的材料成本，而且還克服了三相電抗器引出母排與用戶的銅排對接時(shí)容易產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕的問題。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型引出母排結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。

一種磁集成式三相電抗器，參考圖1及圖2，包括上軛鐵芯1、中軛鐵芯2、下軛鐵芯3，所述上軛鐵芯1、中軛鐵芯2及下軛鐵芯3分別與夾件6組合裝配，所述上軛鐵芯1與中軛鐵芯2間設(shè)有上芯柱9，所述中軛鐵芯2與下軛鐵芯3間設(shè)有下芯柱10，所述上芯柱9上繞制有網(wǎng)側(cè)線圈4，所述下芯柱10上繞制有逆變側(cè)線圈5，且所述網(wǎng)側(cè)線圈4與逆變側(cè)線圈5通過中軛鐵芯2連接于一體，網(wǎng)側(cè)線圈4與逆變側(cè)線圈5在磁路與結(jié)構(gòu)上集成在一起，有效的減小了體積，降低了成本。所述網(wǎng)側(cè)線圈4上端引出第一引出母排7，所述網(wǎng)側(cè)線圈4下端與逆變側(cè)線圈5上端分別引出第二引出母排11，所述逆變側(cè)線圈5下端引出第三引出母排12，所述第一引出母排7，第二引出母排11及第三引出母排12均由純鋁母排13及純銅母排14轉(zhuǎn)接而成，且第二引出母排11的純銅母排14通過螺栓連接有連接母排8，且所述網(wǎng)側(cè)線圈4與逆變側(cè)線圈5通過連接母排8電連接。所述第一引出母排7與第三引出母排12的純銅母排14均與用戶銅排對接，避免了銅鋁對接的電化學(xué)腐蝕問題，在繞組焊接部分采用純鋁母排13與繞組鋁帶焊接，避免了引出排與繞組之間銅鋁焊接。

所述上芯柱9采用無取向硅鋼片疊加而成，所述的無取向硅鋼片厚度為0.35mm，型號為B35A250，因?yàn)榫W(wǎng)側(cè)電感4中通過50Hz的基波電流，所以上芯柱9采用價(jià)格低廉的無取向硅鋼片B35A250。

所述下芯柱10采用硅鋼片疊加而成，所述硅鋼片的厚度為0.23mm，型號為B23P090。因?yàn)樗瞿孀儌?cè)電感5中通過的電流除了50Hz的基波電流下以外，還有大量的高頻電流成分，所以下芯柱10采用高磁導(dǎo)率、低損耗取向硅鋼片B23P090。

所述電抗器上芯柱9、下芯柱10均采用多氣隙結(jié)構(gòu)，即芯柱由n段鐵餅和(n-1)段空氣隙組成，氣隙均勻分布在芯柱之中，可以有效的減小氣隙磁通的衍射，降低鐵芯邊緣效應(yīng)和噪音。

所述網(wǎng)側(cè)線圈4的繞制方法采用在上芯柱9上直接繞制，即鋁箔直接繞制在上芯柱上，簡化了線圈的繞制工藝，鋁箔與上芯柱9成為一整體，易于電抗器整體裝配。

所述逆變側(cè)線圈5的繞制方法采用在下芯柱10上直接繞制，即鋁箔直接繞制在下芯柱10上，簡化了線圈的繞制工藝，鋁箔與下芯柱10成為一整體，易于電抗器整體裝配。

上述實(shí)施例，只是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非用來限制本實(shí)用新型的實(shí)施范圍，故凡以本實(shí)用新型權(quán)利要求所述內(nèi)容所做的等同變化，均應(yīng)包括在本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍之內(nèi)。