技術(shù)特征：

1.一種GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽能電池，其特征在于，包括：Si襯底層，依次層疊于所述Si襯底層之上的Ge外延層、底電池層、中電池層、頂電池層、接觸層和反射膜；

其中，所述Ge外延層中Ge為LRC晶體；

其中，所述底電池層包括依次層疊于所述Ge外延層上的Ge基區(qū)、Ge發(fā)射區(qū)、GaAs窗口層；所述中電池層包括依次層疊于所述GaAs窗口層上的第一GaAs隧道結(jié)、GaAs中電池背場、GaAs基區(qū)、GaAs發(fā)射區(qū)、Ge_0.51In_0.49P窗口層、所述頂電池層包括依次層疊于所述Ge_0.51In_0.49P窗口層上的第二GaAs隧道結(jié)、Ge_0.51In_0.49P頂電池背場、Ge_0.51In_0.49P基區(qū)、Ge_0.51In_0.49P發(fā)射區(qū)以及Al_0.53In_0.47P窗口層。

2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述Ge基區(qū)厚度為500nm；所述Ge發(fā)射區(qū)厚度為300nm。

3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述GaAs基區(qū)厚度為2um；所述GaAs發(fā)射區(qū)厚度為0.5um。

4.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述Ge_0.51In_0.49P基區(qū)厚度為500nm；所述Ge_0.51In_0.49P發(fā)射區(qū)厚度為100nm。

5.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述LRC晶體為采用激光再晶化工藝制備生成。

6.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述Si襯底層厚度為2μm。

7.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述Ge外延層厚度為500nm。

8.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述接觸層材料為GaAs，厚度為0.5um。

9.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，所述反射膜材料為Si₃N₄，厚度為100nm。

10.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽能電池還包括接觸電極，所述接觸電極包括位于Si襯底層之下的負電極和位于所述接觸層上的正電極。