本實(shí)用新型是有關(guān)于一種轉(zhuǎn)接設(shè)備，且特別是有關(guān)于一種晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備。

背景技術(shù)：

一般而言，晶粒接著膜(DAF)儲(chǔ)存于冷凍庫(kù)中，采用低溫的方式作保存。晶粒接著膜上具有多個(gè)晶粒接著部，自冷凍庫(kù)取出的晶粒接著膜于回溫后必須于約一個(gè)月內(nèi)使用完畢，否則晶粒接著部可能會(huì)失去接著晶粒所需的黏性而無(wú)效。無(wú)效的晶粒接著膜無(wú)法符合制程所需而報(bào)廢，造成晶粒接著膜的浪費(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備，能降低晶粒接著膜的損耗。

本實(shí)用新型的一種晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備，包括基座、平臺(tái)、廢料膜卷軸、晶粒接著膜卷軸、膠卷以及回收卷軸。平臺(tái)設(shè)置于基座上。廢料膜卷軸樞設(shè)于基座上，配置用以釋放出廢料膜。晶粒接著膜卷軸樞設(shè)于基座上，配置用以釋放出晶粒接著膜。膠卷設(shè)置于基座上，且位于平臺(tái)的一側(cè)。膠卷配置用以釋放出膠帶至平臺(tái)上，以黏接通過(guò)平臺(tái)的廢料膜與晶粒接著膜。回收卷軸樞設(shè)于基座上，配置用以卷收相黏接的廢料膜與晶粒接著膜。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的廢料膜卷軸位于回收卷軸與晶粒接著膜卷軸之間，且平臺(tái)位于回收卷軸與廢料膜卷軸之間。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的晶粒接著膜包括剝離部與至少兩晶粒接著部，所述至少兩晶粒接著部貼合于剝離部上。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的基座具有第一安裝槽、安裝孔以及第二安裝槽，其中安裝孔位于第一安裝槽與第二安裝槽之間，廢料膜卷軸穿設(shè)于安裝孔，晶粒接著膜卷軸安裝于第一安裝槽，且回收卷軸安裝于第二安裝槽。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備更包括第一滾輪，樞設(shè)于基座上，且位于平臺(tái)的一側(cè)。第一滾輪配置用以耦接所述廢料膜，以導(dǎo)引廢料膜移動(dòng)通過(guò)平臺(tái)。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備更包括第二滾輪，樞設(shè)于所述基座上，且第一滾輪位于平臺(tái)與第二滾輪之間。第二滾輪配置用以耦接晶粒接著膜，以導(dǎo)引晶粒接著膜移動(dòng)通過(guò)平臺(tái)。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備更包括第三滾輪，樞設(shè)于基座上，且第一滾輪位于平臺(tái)與第三滾輪之間。第三滾輪配置用以耦接廢料膜及/或晶粒接著膜，以導(dǎo)引廢料膜及/或晶粒接著膜移動(dòng)至回收卷軸。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的第一滾輪、第二滾輪以及第三滾輪在基座上的高度與平臺(tái)在基座上的高度相同。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備更包括刀具，設(shè)置于平臺(tái)的上方，用以裁切廢料膜或膠帶。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的平臺(tái)具有對(duì)應(yīng)于刀具設(shè)置的溝槽，配置用以導(dǎo)引刀具裁切廢料膜。

基于上述，由于本實(shí)用新型可視制程所需的晶粒接著膜的預(yù)定量，通過(guò)晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備黏接廢料膜與預(yù)定量的晶粒接著膜，并卷收至回收卷軸，以制作得到晶粒接著卷帶。藉此，避免自冷凍庫(kù)取出的晶粒接著膜的量超出于制程所需，無(wú)法在回溫后于一個(gè)月內(nèi)使用完畢而報(bào)廢。也就是說(shuō)，本實(shí)用新型的晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備能降低晶粒接著膜的損耗。

為讓本實(shí)用新型的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1是依照本實(shí)用新型的一種晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2至圖5是依照本實(shí)用新型的一種晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備黏接廢料膜與晶粒接著膜的過(guò)程的側(cè)視示意圖；

圖6是依照本實(shí)用新型的一種晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備制作而得的晶粒接著卷帶的局部展開(kāi)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

10：晶粒接著卷帶

100：晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備

110：基座

111～113：載板

111a～113a：限位槽

114：第一安裝槽

115：安裝孔

116：第二安裝槽

120：平臺(tái)

121：溝槽

130：廢料膜卷軸

131：廢料膜

131a、141a：第一端部

131b、141b：第二端部

131c：第三端部

131d：第四端部

132、142：卷軸

140：晶粒接著膜卷軸

141：晶粒接著膜

143：剝離部

144：晶粒接著部

150：膠卷

151：膠帶

160：回收卷軸

170：刀具

180：第一滾輪

181：第二滾輪

182：第三滾輪

具體實(shí)施方式

圖1是依照本實(shí)用新型的一種晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2至圖5是依照本實(shí)用新型的一種晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備黏接廢料膜與晶粒接著膜的過(guò)程的側(cè)視示意圖。請(qǐng)參考圖1與圖2，在本實(shí)施例中，晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備100包括基座110、平臺(tái)120、廢料膜卷軸130、晶粒接著膜卷軸140、膠卷150以及回收卷軸160，基座110可包括并列的載板111～113，分別配置用以承載平臺(tái)120、廢料膜卷軸130、晶粒接著膜卷軸140、膠卷150以及回收卷軸160。平臺(tái)120設(shè)置于基座110上，且橫跨載板111～113。載板111～113分別具有限位槽111a～113a，平臺(tái)120卡合于限位槽111a～113a內(nèi)，故不會(huì)任意地相對(duì)于基座110移動(dòng)。

廢料膜卷軸130樞設(shè)于基座110上，且穿過(guò)載板111～113。廢料膜131卷繞于卷軸132上，且能自卷軸132釋放出來(lái)。在釋放廢料膜131的過(guò)程中，卷軸132會(huì)相對(duì)于基座110轉(zhuǎn)動(dòng)，此時(shí)，需先使廢料膜131移動(dòng)通過(guò)平臺(tái)120，接著，將廢料膜131的第一端部131a固定于回收卷軸160，且將廢料膜131的第二端部131b暫時(shí)性地固定于平臺(tái)120上。舉例來(lái)說(shuō)，可利用壓塊(未繪示)壓抵廢料膜131的第二端部131b，以將廢料膜131的第二端部131b暫時(shí)性地固定于平臺(tái)120上。在本實(shí)施例中，晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備100更包括刀具170，其中刀具170設(shè)置于平臺(tái)120的上方，且可通過(guò)人工操作或機(jī)械控制等方式使刀具170移至平臺(tái)或移離平臺(tái)，用以裁切廢料膜131。另一方面，平臺(tái)120具有對(duì)應(yīng)于刀具170設(shè)置的溝槽121，配置用以導(dǎo)引刀具170裁切廢料膜131，進(jìn)一步而言，刀具170可伸入溝槽121內(nèi)，并沿著溝槽121裁斷廢料膜131，使廢料膜131的第二端部131b與第三端部131c分離開(kāi)來(lái)，如圖2與圖3所示。

請(qǐng)參考圖1至圖5，晶粒接著膜卷軸140與回收卷軸160分別樞設(shè)于基座110上，且穿過(guò)載板111～113。廢料膜卷軸130位于回收卷軸160與晶粒接著膜卷軸140之間，且平臺(tái)120位于回收卷軸160與廢料膜卷軸130之間，也就是說(shuō)，廢料膜卷軸130與晶粒接著膜卷軸140位于平臺(tái)120的同一側(cè)，且廢料膜卷軸130較晶粒接著膜卷軸140靠近平臺(tái)120。進(jìn)一步而言，基座120具有第一安裝槽114、安裝孔115以及第二安裝槽116，其中安裝孔115位于第一安裝槽114與第二安裝槽116之間，廢料膜卷軸130穿設(shè)于安裝孔115，晶粒接著膜卷軸140安裝于第一安裝槽114，且回收卷軸160安裝于第二安裝槽116。因此，無(wú)論是將廢料膜卷軸130、晶粒接著膜卷軸140以及回收卷軸160分別自基座120拆卸下來(lái)或安裝于基座120上皆相當(dāng)方便。另一方面，晶粒接著膜141卷繞于卷軸142上，且能自卷軸142釋放出來(lái)。在釋放晶粒接著膜141的過(guò)程中，卷軸142會(huì)相對(duì)于基座110轉(zhuǎn)動(dòng)，此時(shí)，需先使晶粒接著膜141移動(dòng)至平臺(tái)120，接著，使晶粒接著膜141的第一端部141a與廢料膜131的第二端部131b相迭合。

膠卷150設(shè)置于基座110上，其中膠卷150可以是樞設(shè)于載板111上，且位于平臺(tái)120的一側(cè)。在晶粒接著膜141的第一端部141a與廢料膜131的第二端部131b相迭合后，自膠卷150釋放出膠帶151至平臺(tái)120上，以黏接相迭合的晶粒接著膜141的第一端部141a與廢料膜131的第二端部131b，接著，通過(guò)刀具170裁斷膠帶151，以使黏接相迭合的晶粒接著膜141的第一端部141a與廢料膜131的第二端部131b的膠帶151與膠卷150分離。在黏接固定晶粒接著膜141的第一端部141a與廢料膜131的第二端部131b后，轉(zhuǎn)動(dòng)回收卷軸160，以將廢料膜131與晶粒接著膜141卷收至回收卷軸160。由于晶粒接著膜141是依據(jù)制程所需而自冷凍庫(kù)取出預(yù)定量并卷繞于卷軸142上，因此在持續(xù)將廢料膜131與晶粒接著膜141卷收至回收卷軸160的過(guò)程中，晶粒接著膜141自卷軸142釋放完畢，使得晶粒接著膜141的第二端部141b與卷軸142分離開(kāi)來(lái)，并移動(dòng)至平臺(tái)120上。此時(shí)，可利用壓塊(未繪示)壓抵晶粒接著膜141的第二端部141b，以將晶粒接著膜141的第二端部141b暫時(shí)性地固定于平臺(tái)120上。

接著，將廢料膜131的與第三端部131c移動(dòng)至平臺(tái)120上，并使晶粒接著膜141的第二端部141b與廢料膜131的第三端部131c相迭合。在晶粒接著膜141的第二端部141b與廢料膜131的第三端部131c相迭合后，自膠卷150釋放出膠帶151至平臺(tái)120上，以黏接相迭合的晶粒接著膜141的第二端部141b與廢料膜131的第三端部131c，接著，通過(guò)刀具170裁斷膠帶151，以使黏接晶粒接著膜141的第二端部141b與廢料膜131的第三端部131c的膠帶151與膠卷150分離。在黏接固定晶粒接著膜141的第二端部141b與廢料膜131的第三端部131c后，轉(zhuǎn)動(dòng)回收卷軸160，以將晶粒接著膜141與廢料膜131卷收至回收卷軸160，并使廢料膜131的第四端部131d移至平臺(tái)120上。接著，通過(guò)人工操作或機(jī)械控制等方式使刀具170移至平臺(tái)或移離平臺(tái)，用以裁切廢料膜131，進(jìn)一步而言，刀具170可伸入溝槽121內(nèi)，并沿著溝槽121裁斷廢料膜131，使廢料膜131的第四端部131d與廢料膜131卷繞于卷軸132的其他部分分離開(kāi)來(lái)。最后，持續(xù)將晶粒接著膜1411與廢料膜13卷收至回收卷軸160，以制作得到晶粒接著卷帶10。晶粒接著卷帶10可隨回收卷軸160自基座110拆卸下來(lái)，接著，提供至相應(yīng)的工作站位，并自回收卷160軸釋放出相黏接的廢料膜131與晶粒接著膜141，以進(jìn)行黏貼晶圓與將晶圓切割為多個(gè)晶粒等步驟。

在本實(shí)施例中，晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備100更包括對(duì)應(yīng)于廢料膜卷軸130設(shè)置的第一滾輪180、對(duì)應(yīng)于晶粒接著膜卷軸140設(shè)置的第二滾輪181以及對(duì)應(yīng)于回收卷軸160的第三滾輪182，其中第一滾輪180、第二滾輪181以及第三滾輪182分別樞設(shè)于基座上，且第一滾輪180位于第二滾輪181與第三滾輪182之間。另一方面，第一滾輪180與第二滾輪181位于平臺(tái)120的同一側(cè)，其中第一滾輪180位于平臺(tái)120與第二滾輪181之間，且平臺(tái)120位于第一滾輪180與第三滾輪182之間。進(jìn)一步而言，第一滾輪180可配置用以耦接自滾動(dòng)條132釋放出來(lái)的廢料膜131，以導(dǎo)引廢料膜131移動(dòng)通過(guò)平臺(tái)120。第一滾輪180可配置用以耦接自滾動(dòng)條132釋放出來(lái)的廢料膜131，以導(dǎo)引廢料膜131移動(dòng)通過(guò)平臺(tái)120。第二滾輪181可配置用以耦接自滾動(dòng)條142釋放出來(lái)的晶粒接著膜141，以導(dǎo)引晶粒接著膜141移動(dòng)通過(guò)平臺(tái)120。另一方面，第三滾輪182可配置用以耦接移動(dòng)通過(guò)平臺(tái)120后的廢料膜131及/或晶粒接著膜141，以導(dǎo)引廢料膜131及/或晶粒接著膜141移動(dòng)至回收卷軸160。為提高廢料膜131及/或晶粒接著膜141移動(dòng)通過(guò)平臺(tái)120的平整度與順暢度，第一滾輪180、第二滾輪181以及第三滾輪182的部分圓周面(例如：第一滾輪180與廢料膜131相耦接的部分圓周面、第二滾輪181與晶粒接著膜141相耦接的部分圓周面以及第三滾輪182與廢料膜131及/或晶粒接著膜141相耦接的部分圓周面)在基座110上的高度與平臺(tái)120在基座110上的高度相同。

圖6是依照本實(shí)用新型的一種晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備制作而得的晶粒接著卷帶的局部展開(kāi)示意圖。請(qǐng)參考圖6，通過(guò)晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備100制作而得的晶粒接著卷帶10是將兩段廢料膜131分別晶粒接著膜141的相對(duì)兩端部，進(jìn)一步而言，晶粒接著膜141的第一端部141a與廢料膜131的第二端部131b相迭合，且通過(guò)膠帶151黏接固定在一起，晶粒接著膜141的第二端部141b與廢料膜131的第三端部131c相迭合，且通過(guò)膠帶151黏接固定在一起。另一方面，其中一段廢料膜131的第一端部131a與另一段廢料膜131的第四端部131d分別位于晶粒接著卷帶10的最外兩側(cè)。由于晶粒接著膜141是依據(jù)制程所需而自冷凍庫(kù)取出預(yù)定量，并通過(guò)晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備100將兩段廢料膜131分別黏接于晶粒接著膜141的相對(duì)兩端部，因此能避免自冷凍庫(kù)取出的晶粒接著膜141的量超出于制程所需，無(wú)法在回溫后于一個(gè)月內(nèi)使用完畢而報(bào)廢。在本實(shí)施例中，晶粒接著膜141包括剝離部143與至少兩晶粒接著部144，其中晶粒接著部144可分離地貼合于剝離部143上，且晶粒接著部144配置用以供黏貼晶圓黏貼于其上。特別說(shuō)明的是，晶粒接著部144的數(shù)量視制程所需而定，本實(shí)用新型對(duì)于晶粒接著部144的數(shù)量不加以限制。

綜上所述，由于本實(shí)用新型可視制程所需的晶粒接著膜的預(yù)定量，通過(guò)晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備黏接廢料膜與預(yù)定量的晶粒接著膜，并卷收至回收卷軸，以制作得到晶粒接著卷帶。后續(xù)，將晶粒接著卷帶提供至相應(yīng)的工作站位，并自回收卷軸釋放出相黏接的廢料膜與預(yù)定量的晶粒接著膜，以進(jìn)行黏貼晶圓與將晶圓切割為多個(gè)晶粒等步驟。藉此，避免自冷凍庫(kù)取出的晶粒接著膜的量超出于制程所需，無(wú)法在回溫后于一個(gè)月內(nèi)使用完畢而報(bào)廢。也就是說(shuō)，本實(shí)用新型的晶粒接著卷帶的轉(zhuǎn)接設(shè)備能降低晶粒接著膜的損耗。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。