1.一種緊湊的橢圓環(huán)形雙極化基站天線，包括介質(zhì)基板、反射地板、第一同軸線和第二同軸線，所述反射地板位于介質(zhì)基板下方，所述第一同軸線和第二同軸線位于介質(zhì)基板與反射地板之間，其特征在于：所述介質(zhì)基板的下表面設(shè)有第一橢圓環(huán)形輻射單元、第二橢圓環(huán)形輻射單元、第三橢圓環(huán)形輻射單元和第四橢圓環(huán)形輻射單元，介質(zhì)基板的上表面設(shè)有第一Y形饋電單元和第二Y形饋電單元；
所述第一橢圓環(huán)形輻射單元和第三橢圓環(huán)形輻射單元相互對稱形成第一天線結(jié)構(gòu)，所述第二橢圓環(huán)形輻射單元和第四橢圓環(huán)形輻射單元相互對稱形成第二天線結(jié)構(gòu)；
所述第一同軸線分別與第一橢圓環(huán)形輻射單元、第一Y形饋電單元相連，所述第二同軸線分別與第二橢圓環(huán)形輻射單元、第二Y形饋電單元相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種緊湊的橢圓環(huán)形雙極化基站天線，其特征在于：所述第一橢圓環(huán)形輻射單元、第二橢圓環(huán)形輻射單元、第三橢圓環(huán)形輻射單元和第四橢圓環(huán)形輻射單元以圓周方式依次排布在介質(zhì)基板的下表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種緊湊的橢圓環(huán)形雙極化基站天線，其特征在于：所述介質(zhì)基板的下表面還設(shè)有第一寄生單元、第二寄生單元、第三寄生單元和第四寄生單元，所述第一寄生單元位于第一橢圓環(huán)形輻射單元與第二橢圓環(huán)形輻射單元之間，所述第二寄生單元位于第二橢圓環(huán)形輻射單元與第三橢圓環(huán)形輻射單元之間，所述第三寄生單元位于第三橢圓環(huán)形輻射單元與第四橢圓環(huán)形輻射單元之間，所述第四寄生單元位于第四橢圓環(huán)形輻射單元與第一橢圓環(huán)形輻射單元之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種緊湊的橢圓環(huán)形雙極化基站天線，其特征在于：所述第一Y形饋電單元包括依次相連的第一微帶部分和第一彎折延伸部分，所述第二Y形饋電單元包括依次相連的第二微帶部分、第三微帶部分、第四微帶部分和第二彎折延伸部分，其中第三微帶部分位于介質(zhì)基板的下表面；所述第一彎折延伸部分用于耦合激勵第三橢圓環(huán)形輻射單元，所述第二彎折延伸部分用于耦合激勵第四橢圓環(huán)形輻射單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種緊湊的橢圓環(huán)形雙極化基站天線，其特征在于：所述介質(zhì)基板上開設(shè)有第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔，所述第二微帶部分通過第三通孔與第三微帶部分相連，所述第三微帶部分通過第四通孔與第四微帶部分相連；所述第一同軸線的外導(dǎo)體與第一橢圓環(huán)形輻射單元相焊接，第一同軸線的內(nèi)導(dǎo)體通過第一通孔與第一微帶部分相焊接，所述第二同軸線的外導(dǎo)體與第二橢圓環(huán)形輻射單元相焊接，第二同軸線的內(nèi)導(dǎo)體通過第二通孔與第二微帶部分相焊接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的一種緊湊的橢圓環(huán)形雙極化基站天線，其特征在于：所述反射地板的四周設(shè)有與反射地板垂直的第一翻邊以及第二翻邊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種緊湊的橢圓環(huán)形雙極化基站天線，其特征在于：所述反射地板、第一翻邊和第二翻邊均采用銅片制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的一種緊湊的橢圓環(huán)形雙極化基站天線，其特征在于：所述第一同軸線和第二同軸線均采用阻抗為50Ω的同軸線。