本實(shí)用新型屬于去磁電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種直流電磁鐵快速去磁電路。

背景技術(shù)：

直流電磁鐵在釋放瞬間會(huì)產(chǎn)生較高的反相電動(dòng)勢(shì)，對(duì)控制電路損傷極大，造成控制電路使用壽命短，不可靠。現(xiàn)有去磁電路一般只在電磁線(xiàn)圈兩端并聯(lián)一個(gè)二極管，起蓄流作用。本實(shí)用新型通過(guò)各器件的組合連接，去除直流電磁鐵釋放時(shí)產(chǎn)生的反相電動(dòng)勢(shì)效果明顯，并且提高了直流電磁鐵控制電路壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型就是針對(duì)上述問(wèn)題，提供一種使用壽命長(zhǎng)、可靠性好的直流電磁鐵快速去磁電路。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案，本實(shí)用新型包括穩(wěn)壓二極管D1、電阻R19、二極管D9、N溝道場(chǎng)效應(yīng)管QT和壓敏電阻RV2，其結(jié)構(gòu)要點(diǎn)QT的柵極與控制電路的控制信號(hào)輸出端口相連，QT的源極、RV2一端、地線(xiàn)相連，QT的漏極、RV2另一端、D9陽(yáng)極、直流電磁鐵電磁線(xiàn)圈EL一端相連，EL另一端、D1陽(yáng)極相連，D1陰極通過(guò)R19與D9陰極相連。

作為一種優(yōu)選方案，本實(shí)用新型所述R19的阻值為1K歐。

作為另一種優(yōu)選方案，本實(shí)用新型所述QT采用25N120場(chǎng)效應(yīng)管。

另外，本實(shí)用新型所述控制電路包括PC817光耦U1，IGBT驅(qū)動(dòng)芯片2127S IC2，U1的1腳分別與電阻R12一端、電阻R13一端相連，R12另一端接MCU的控制信號(hào)輸出端口，R13另一端接地，U1的2腳接地；

U1的4腳通過(guò)電阻R21接電源VCC，U1的3腳與IC2的2腳相連，IC2的1腳、電容C48一端、VCC、電阻D10陽(yáng)極相連，C48另一端、IC2的4腳接地；

D10陰極、IC2的8腳、電容C49一端相連，C49另一端、IC2的5腳接地，IC2的7腳通過(guò)電阻R15與QT的柵極相連，IC2的6腳接地。

本實(shí)用新型有益效果。

本實(shí)用新型控制電路給QT導(dǎo)通電壓，電磁線(xiàn)圈回路導(dǎo)通，電磁線(xiàn)圈得電產(chǎn)生磁場(chǎng)，電磁鐵吸合。當(dāng)控制電路給QT截止電壓時(shí)，QT斷路，電磁線(xiàn)圈失電，電磁鐵釋放，在此釋放過(guò)程中產(chǎn)生反相電動(dòng)勢(shì)，反相電動(dòng)勢(shì)通過(guò)二極管D9、電阻R19、穩(wěn)壓二極管D1被消耗。壓敏電阻RV2是對(duì)QT的一個(gè)保護(hù)，當(dāng)反相電動(dòng)勢(shì)沖擊QT，其值達(dá)到壓敏電阻的電壓閾值時(shí)，RV2對(duì)地導(dǎo)通，致使起到保護(hù)QT作用。

由上述可知，采用本實(shí)用新型去磁電路，直流電磁鐵控制電路壽命、可靠性大大提高，并且在電磁式控制與保護(hù)開(kāi)關(guān)中頻繁接通分?jǐn)嚯姶盆F以及快速分?jǐn)嚯姶盆F、快速去磁使電磁鐵釋放時(shí)間可控制在10mS以下。另外，本實(shí)用新型電路較簡(jiǎn)單，效果明顯且成本低；避免電磁式控制與保護(hù)開(kāi)關(guān)、智能接觸器以及依靠電磁鐵驅(qū)動(dòng)的機(jī)構(gòu)在電磁鐵釋放時(shí)所產(chǎn)生的反相電動(dòng)勢(shì)給控制電路帶來(lái)的損傷。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明。本實(shí)用新型保護(hù)范圍不僅局限于以下內(nèi)容的表述。

圖1為本實(shí)用新型電路原理圖。

圖2為本實(shí)用新型控制電路原理圖。

圖2中U1光耦PC817，IC2為IGBT驅(qū)動(dòng)芯片2127S，由微控制器輸出控制信號(hào)使驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)IGBT導(dǎo)通與截止。

圖1中標(biāo)記：VE---電磁線(xiàn)圈電壓，EL---直流電磁鐵電磁線(xiàn)圈，D1---穩(wěn)壓二極管，R19---電阻1K，D9---二極管，QT---場(chǎng)效應(yīng)管25N120，RV2---壓敏電阻，Control---控制電路。

具體實(shí)施方式

如圖所示，本實(shí)用新型包括穩(wěn)壓二極管D1、電阻R19、二極管D9、N溝道場(chǎng)效應(yīng)管QT和壓敏電阻RV2，其結(jié)構(gòu)要點(diǎn)QT的柵極與控制電路的控制信號(hào)輸出端口相連，QT的源極、RV2一端、地線(xiàn)相連，QT的漏極、RV2另一端、D9陽(yáng)極、直流電磁鐵電磁線(xiàn)圈EL一端相連，EL另一端、D1陽(yáng)極相連，D1陰極通過(guò)R19與D9陰極相連。

所述R19的阻值為1K歐。

所述QT采用25N120場(chǎng)效應(yīng)管。

所述控制電路包括PC817光耦U1，IGBT驅(qū)動(dòng)芯片2127S IC2，U1的1腳分別與電阻R12一端、電阻R13一端相連，R12另一端接MCU的控制信號(hào)輸出端口，R13另一端接地，U1的2腳接地。

U1的4腳通過(guò)電阻R21接電源VCC，U1的3腳與IC2的2腳相連，IC2的1腳、電容C48一端、VCC、電阻D10陽(yáng)極相連，C48另一端、IC2的4腳接地；

D10陰極、IC2的8腳、電容C49一端相連，C49另一端、IC2的5腳接地，IC2的7腳通過(guò)電阻R15與QT的柵極相連，IC2的6腳接地。

下面結(jié)合附圖說(shuō)明本實(shí)用新型的工作過(guò)程。

Control控制電路給QT高電平使QT導(dǎo)通，電磁線(xiàn)圈電源VE經(jīng)電磁線(xiàn)圈、經(jīng)QT對(duì)GND導(dǎo)通，電磁線(xiàn)圈產(chǎn)生磁場(chǎng)電磁鐵動(dòng)作吸合；當(dāng)控制電路Control給QT截止電平時(shí)，QT斷路，電磁線(xiàn)圈供電回路斷路，電磁線(xiàn)圈失電，電磁鐵釋放，在此釋放過(guò)程中產(chǎn)生反相電動(dòng)勢(shì)，反相電動(dòng)勢(shì)通過(guò)二極管D9、電阻R19、穩(wěn)壓二極管D1被消耗。其中R19阻值大小與穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓值選用可根據(jù)電磁鐵線(xiàn)圈電源電壓調(diào)整。壓敏電阻RV2是對(duì)QT的一個(gè)保護(hù)，當(dāng)反相電動(dòng)勢(shì)沖擊QT，其值達(dá)到壓敏電阻的電壓閾值時(shí)，RV2對(duì)地導(dǎo)通，起到保護(hù)QT作用。

可以理解的是，以上關(guān)于本實(shí)用新型的具體描述，僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而并非受限于本實(shí)用新型實(shí)施例所描述的技術(shù)方案，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，仍然可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行修改或等同替換，以達(dá)到相同的技術(shù)效果；只要滿(mǎn)足使用需要，都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。