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高頻濾波器、高頻雙工器以及電子設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):12566468閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種高頻濾波器,用于連接高度方向上位置相互不同的第一電路要素和第二電路要素,其特征在于,包括:

具有撓性的平膜狀的電介質(zhì)基材;

多個(gè)導(dǎo)體圖案,該多個(gè)導(dǎo)體圖案互不連接,在相互相對(duì)側(cè)的端部之間形成有間隙;以及

電容耦合用導(dǎo)體圖案,該電容耦合用導(dǎo)體圖案隔著所述電介質(zhì)基材,在所述電介質(zhì)基材的厚度方向上與所述導(dǎo)體圖案相重疊地形成,在所述多個(gè)導(dǎo)體圖案間進(jìn)行電容耦合,

利用所述多個(gè)導(dǎo)體圖案形成電感,利用所述電容耦合用導(dǎo)體圖案形成電容,

所述電介質(zhì)基材彎折地進(jìn)行使用,使得至少一部分區(qū)域在高度方向上同所述第一電路要素和所述第二電路要素中的至少一方間隔開(kāi)。

2.如權(quán)利要求1所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述電介質(zhì)基材的介電損耗角正切值為0.005以下。

3.如權(quán)利要求2所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述電介質(zhì)基材由液晶高分子構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求1所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述電介質(zhì)基材中,未形成與接地電位連接的導(dǎo)體圖案。

5.如權(quán)利要求1所述的高頻濾波器,其特征在于,

包括平膜狀的屏蔽導(dǎo)體圖案,相對(duì)于未形成所述電容的所述多個(gè)導(dǎo)體圖案的平膜面,該平膜狀的屏蔽導(dǎo)體圖案間隔規(guī)定距離相對(duì)。

6.如權(quán)利要求5所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述屏蔽導(dǎo)體圖案在所述導(dǎo)體圖案的兩側(cè)被設(shè)置成包夾所述導(dǎo)體圖案。

7.如權(quán)利要求1所述的高頻濾波器,其特征在于,

沿著所述電介質(zhì)基材的高頻信號(hào)傳輸方向的與所述電容耦合用導(dǎo)體圖案的形成區(qū)域不同的位置為彎折部。

8.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中任一項(xiàng)所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述電容耦合用導(dǎo)體圖案由被設(shè)置成夾著構(gòu)成所述電介質(zhì)基材的電介質(zhì)層與所述多個(gè)導(dǎo)體圖案中的一個(gè)相對(duì)的平板導(dǎo)體圖案;以及與該平板導(dǎo)體圖案相對(duì)的所述一個(gè)導(dǎo)體圖案的平板區(qū)域形成。

9.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中任一項(xiàng)所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述電容耦合用導(dǎo)體圖案由被設(shè)置成夾著構(gòu)成所述電介質(zhì)基材的電介質(zhì)層與所述多個(gè)導(dǎo)體圖案相對(duì)的平板導(dǎo)體圖案;以及與該平板導(dǎo)體圖案相對(duì)的所述多個(gè)導(dǎo)體圖案的平板區(qū)域形成。

10.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中任一項(xiàng)所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述多個(gè)導(dǎo)體圖案分別形成在包夾構(gòu)成所述電介質(zhì)基材的電介質(zhì)層的其它面上,

所述電容耦合用導(dǎo)體圖案利用所述多個(gè)導(dǎo)體圖案夾著所述電介質(zhì)層相對(duì)的區(qū)域而構(gòu)成。

11.如權(quán)利要求8所述的高頻濾波器,其特征在于,

與所述電容耦合用導(dǎo)體圖案相對(duì)的導(dǎo)體圖案的垂直于高頻信號(hào)傳輸方向的方向上的寬度,和與所述電容耦合用導(dǎo)體圖案不相對(duì)的導(dǎo)體圖案的所述寬度大致相等。

12.如權(quán)利要求9所述的高頻濾波器,其特征在于,

與所述電容耦合用導(dǎo)體圖案相對(duì)的導(dǎo)體圖案的垂直于高頻信號(hào)傳輸方向的方向上的寬度,和與所述電容耦合用導(dǎo)體圖案不相對(duì)的導(dǎo)體圖案的所述寬度大致相等。

13.如權(quán)利要求10所述的高頻濾波器,其特征在于,

與所述電容耦合用導(dǎo)體圖案相對(duì)的導(dǎo)體圖案的垂直于高頻信號(hào)傳輸方向的方向上的寬度,和與所述電容耦合用導(dǎo)體圖案不相對(duì)的導(dǎo)體圖案的所述寬度大致相等。

14.如權(quán)利要求11至權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述導(dǎo)體圖案的寬度與所述電介質(zhì)基材的寬度大致相同。

15.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中任一項(xiàng)所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述電容耦合用導(dǎo)體圖案是一體形成在所述多個(gè)導(dǎo)體圖案相對(duì)的端部、沿著高頻信號(hào)傳輸方向以規(guī)定距離相對(duì)的梳狀導(dǎo)體。

16.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中任一項(xiàng)所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述導(dǎo)體圖案由相互有一端連接的第一部分導(dǎo)體圖案和第二部分導(dǎo)體圖案構(gòu)成,

所述第一部分導(dǎo)體圖案比所述第二部分導(dǎo)體圖案寬,為沿著高頻信號(hào)傳輸方向的直線狀,

所述第二部分導(dǎo)體圖案為環(huán)狀,

利用所述第一部分導(dǎo)體圖案,構(gòu)成所述電容,

利用所述第二部分導(dǎo)體圖案,構(gòu)成所述電感。

17.如權(quán)利要求16所述的高頻濾波器,其特征在于,

所述第一部分導(dǎo)體圖案以及所述第二部分導(dǎo)體圖案形成在構(gòu)成所述電介質(zhì)基材的多層上。

18.一種高頻雙工器,包括:

帶通濾波器,該帶通濾波器具有權(quán)利要求16或權(quán)利要求17所述的高頻濾波器的結(jié)構(gòu);以及

帶阻濾波器,該帶阻濾波器由形成在所述電介質(zhì)基材上的導(dǎo)體圖案構(gòu)成。

19.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括:

權(quán)利要求1至權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的高頻濾波器;以及

包含所述第一電路要素和所述第二電路要素的多個(gè)電路要素,

所述多個(gè)電路要素通過(guò)所述高頻濾波器連接。

20.如權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備,其特征在于,

所述高頻濾波器相對(duì)于所述多個(gè)電路要素中的各要素隔開(kāi)規(guī)定的空隙而設(shè)置。

21.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括:

如權(quán)利要求18所述的高頻雙工器;以及

包含所述第一電路要素和所述第二電路要素的多個(gè)電路要素,

所述多個(gè)電路要素通過(guò)所述高頻雙工器連接。

22.如權(quán)利要求21所述的電子設(shè)備,其特征在于,

所述高頻雙工器相對(duì)于所述多個(gè)電路要素中的各要素隔開(kāi)規(guī)定的空隙而設(shè)置。

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