本發(fā)明關(guān)于一種發(fā)光按鍵及包含發(fā)光按鍵的發(fā)光鍵盤，并且特別是關(guān)于不采用已封裝的發(fā)光二極管元件而改采用發(fā)光二極管裸晶(light-emitting diode die)的發(fā)光按鍵及包含發(fā)光按鍵的發(fā)光鍵盤。

背景技術(shù)：

發(fā)光鍵盤已為市面上常見(jiàn)的輸入周邊裝置?，F(xiàn)行用于發(fā)光鍵盤的背光裝置，有些先前技術(shù)是將數(shù)量不少的光源一般為發(fā)光二極管，沿導(dǎo)光板的長(zhǎng)側(cè)邊或短側(cè)邊排列。另有些先前技術(shù)其導(dǎo)光板具有貫穿的開口，并將光源置于導(dǎo)光板的開口內(nèi)。然而，為了避免背光裝置遠(yuǎn)離光源處可能會(huì)有暗區(qū)發(fā)生此先前技術(shù)不僅采用的光源數(shù)量較多，并且須采用大功率的發(fā)光二極管。

上述先前技術(shù)所采用的發(fā)光二極管皆為已封裝的元件，具有一定的高度。所以，上述先前技術(shù)用于發(fā)光鍵盤的背光裝置不利于發(fā)光鍵盤進(jìn)一步薄型化的要求。

此外，上述先前技術(shù)用于發(fā)光鍵盤的背光裝置目前僅見(jiàn)發(fā)射單一色光的發(fā)光二極管。所以，無(wú)法針對(duì)單個(gè)發(fā)光按鍵或發(fā)光鍵盤的區(qū)域的色光執(zhí)行程式化，也就是單個(gè)發(fā)光按鍵的色光可變化，或發(fā)光鍵盤的不同區(qū)域發(fā)出不同色光。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明所欲解決的技術(shù)問(wèn)題之一在于提供一種采用發(fā)光二極管裸晶的發(fā)光按鍵及包含發(fā)光按鍵的發(fā)光鍵盤。藉此，本發(fā)明的發(fā)光按鍵以及發(fā)光鍵盤可以進(jìn)一步薄型化并且發(fā)光所需功耗較小。甚至，本發(fā)明的發(fā)光按鍵的色光可變化，或本發(fā)明的發(fā)光鍵盤的不同區(qū)域發(fā)出不同色光。

本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵包含底板、鍵帽、開關(guān)膜層、軟性電路層、至少一個(gè)發(fā)光二極管裸晶以及至少一個(gè)保護(hù)蓋。鍵帽具有透光區(qū)域，并且能上下移動(dòng)地連接于底板的上方，致使鍵帽相對(duì)于底板于未按壓位置與按壓位置之間移動(dòng)。開關(guān)膜層安置于底板上。開關(guān)膜層包含開關(guān)。當(dāng)鍵帽移動(dòng)至按壓位置時(shí)，開關(guān)被致動(dòng)觸發(fā)。軟性電路層設(shè)置于底板的上方或下方。軟性電路層包含可撓性絕緣膜以及形成在可撓性絕緣膜的第一上表面上的至少一對(duì)引腳。每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶對(duì)應(yīng)至少一對(duì)引腳中的一對(duì)引腳，并且包含一對(duì)焊墊。每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶固定在軟性電路層上，并且其該一對(duì)焊墊與其對(duì)應(yīng)的該一對(duì)引腳形成電性連接。每一個(gè)保護(hù)蓋對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶。每一個(gè)保護(hù)蓋形成在軟性電路層上，并且覆蓋其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶。每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶所發(fā)射的第一光線照射透光區(qū)域。

進(jìn)一步，本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵還包含調(diào)光膜片。調(diào)光膜片設(shè)置在軟性電路層上。

于一具體實(shí)施例中，調(diào)光膜片增亮膜片或擴(kuò)散膜片。

于一具體實(shí)施例中，該調(diào)光膜片包含至少一個(gè)鏡頭部，每一個(gè)鏡頭部對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶并且在其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶的上方。

進(jìn)一步，本發(fā)明之較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵還包含第一熒光粉層。第一熒光粉層形成在鍵帽的底表面上。第一光線照射第一熒光粉層，經(jīng)第一熒光粉層降頻轉(zhuǎn)換成第二光線。

于一具體實(shí)施例中，該第一光線為不可見(jiàn)光，該第二光線為可見(jiàn)光。

進(jìn)一步，本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵還包含多個(gè)反光體。每一個(gè)反光體對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶。每一個(gè)反光體形成在軟性電路層上，并且環(huán)繞其對(duì)應(yīng)的一個(gè)發(fā)光二極管裸晶，用以反射其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶所發(fā)射之第一光線。

于一具體實(shí)施例中，還包含多個(gè)吸光體，每一個(gè)吸光體對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶，每一個(gè)吸光體形成在該軟性電路層上并且環(huán)繞其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶，并用以吸收其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶所發(fā)射的該第一光線。

于一具體實(shí)施例中，該可撓性絕緣膜由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯或聚酰亞胺所形成。

于一具體實(shí)施例中，該至少一對(duì)引腳選自由銅或銅合金所形成。

于一具體實(shí)施例中，該軟性電路層在該開關(guān)膜層與該底板之間，該開關(guān)膜層具有至少一個(gè)第一鏤空部，每一個(gè)第一鏤空部對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶，每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶在其對(duì)應(yīng)的第一鏤空部?jī)?nèi)。

于一具體實(shí)施例中，該軟性電路層在該底板下方，該開關(guān)膜層具有至少一個(gè)第一鏤空部，該底板具有至少一個(gè)第二鏤空部，每一個(gè)第一鏤空部對(duì)應(yīng)一個(gè)第二鏤空部以及一個(gè)發(fā)光二極管裸晶，每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶在其對(duì)應(yīng)的第一鏤空部以及其對(duì)應(yīng)的第二鏤空部?jī)?nèi)。

于一具體實(shí)施例中，還包含至少一個(gè)第二熒光層，每一個(gè)第二熒光層對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶以及一個(gè)保護(hù)蓋，每一個(gè)第二熒光層形成以覆蓋其對(duì)應(yīng)的一個(gè)發(fā)光二極管裸晶，每一個(gè)第二熒光層對(duì)應(yīng)的保護(hù)蓋以覆蓋該個(gè)第二熒光層。

于一具體實(shí)施例中，該開關(guān)膜層包含上薄膜電路、下薄膜電路以及隔離構(gòu)件，該隔離構(gòu)件將該上薄膜電路與該下薄膜電路隔開，該開關(guān)包含上電極區(qū)塊以及至少一個(gè)下電極區(qū)塊，該上電極區(qū)塊形成在該上薄膜電路的下表面上，該至少一個(gè)下電極區(qū)塊形成在該下薄膜電路的第二上表面上，該可撓性絕緣膜與該上薄膜電路為同一個(gè)元件。

于一具體實(shí)施例中，該開關(guān)膜層包含上薄膜電路、下薄膜電路以及隔離構(gòu)件，該隔離構(gòu)件將該上薄膜電路與該下薄膜電路隔開，該開關(guān)包含上電極區(qū)塊以及至少一個(gè)下電極區(qū)塊，該上電極區(qū)塊形成在該上薄膜電路的下表面上，該至少一個(gè)下電極區(qū)塊形成在該下薄膜電路的第二上表面上，該可撓性絕緣膜與該下薄膜電路為同一個(gè)元件，該軟性電路層設(shè)置在該底板上，該上薄膜電路具有至少一個(gè)第三鏤空部，該隔離構(gòu)件具有至少一個(gè)第四鏤空部，每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶對(duì)應(yīng)一個(gè)第三鏤空部以及一個(gè)第四鏤空部，每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶位在其對(duì)應(yīng)的第三鏤空部以及其對(duì)應(yīng)的第四鏤空部?jī)?nèi)。

于一具體實(shí)施例中，該開關(guān)膜層并且包含上薄膜電路、下薄膜電路以及隔離構(gòu)件，該隔離構(gòu)件將該上薄膜電路與該下薄膜電路隔開，該開關(guān)包含上電極區(qū)塊以及至少一個(gè)下電極區(qū)塊，該上電極區(qū)塊形成在該上薄膜電路的下表面上，該至少一個(gè)下電極區(qū)塊形成在該下薄膜電路的第二上表面上，該軟性電路層設(shè)置在該上薄膜電路與該下薄膜電路之間，該軟性電路層與該隔離構(gòu)件為同一個(gè)元件，該上薄膜電路具有至少一個(gè)第三鏤空部，每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶對(duì)應(yīng)一個(gè)第三鏤空部，每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶在其對(duì)應(yīng)的第三鏤空部?jī)?nèi)。

進(jìn)一步，本發(fā)明之較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵還包含升降機(jī)構(gòu)以及回復(fù)元件。升降機(jī)構(gòu)的一端可活動(dòng)地連接鍵帽，另一端可活動(dòng)地連接底板?；貜?fù)元件提供鍵帽的回復(fù)力。

本發(fā)明的一較佳具體實(shí)施例的發(fā)光鍵盤包含多個(gè)根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光按鍵。

與先前技術(shù)不同，本發(fā)明的透光鍵帽不采用已封裝的發(fā)光二極管元件而改采用發(fā)光二極管裸晶。因此，與先前技術(shù)的發(fā)光鍵盤相比較，本發(fā)明的發(fā)光鍵盤可以進(jìn)一步薄型化并且發(fā)光所需功耗較小。甚至，本發(fā)明的發(fā)光按鍵的色光可變化，或本發(fā)明的發(fā)光鍵盤的不同區(qū)域發(fā)出不同色光。

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以藉由以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的一具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵的外觀示意圖。

圖2及圖3分別為圖1中發(fā)光按鍵沿A-A線的剖面示意圖。

圖4及圖5分別為本發(fā)明的發(fā)光按鍵的部分元件的俯視圖。

圖6至圖16分別為本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的部分元件的剖面示意圖。

圖17為本發(fā)明的一具體實(shí)施例的發(fā)光鍵盤的外觀示意圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1至圖16，圖1至圖16示意地描繪本發(fā)明的一具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵1。圖1以外觀視圖示意地繪示本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵1。圖2及圖3分別為圖1中發(fā)光按鍵1沿A-A線的剖面視圖。圖4及圖5分別為本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的部分元件的俯視圖。圖6至圖16分別為本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的部分元件的剖面視圖。

如圖1及圖2所示，本發(fā)明的一具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵1包含底板10、鍵帽11、開關(guān)膜層12、軟性電路層13、至少一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14以及至少一個(gè)保護(hù)蓋15。

如圖2所示，鍵帽11具有透光區(qū)域112，并且鍵帽11能上、下移動(dòng)地連接于底板10的上方，致使鍵帽11相對(duì)于底板10于未按壓位置與按壓位置之間移動(dòng)。于實(shí)際應(yīng)用中，如圖1所示，透光區(qū)域112于鍵帽11的頂表面114上呈現(xiàn)一圖案，圖案代表字元、數(shù)字、符號(hào)、功能鍵中之其一。

同樣如圖2所示，開關(guān)膜層12安置于底板10上。開關(guān)膜層12包含開關(guān)122。當(dāng)鍵帽11移動(dòng)至按壓位置時(shí)，開關(guān)122被致動(dòng)觸發(fā)。

同樣如圖2所示，于具體實(shí)施例中，開關(guān)膜層12可以由上薄膜電路124與下薄膜電路126所構(gòu)成，并由隔離構(gòu)件128將上薄膜電路124與下薄膜電路126隔開。開關(guān)122包含上電極區(qū)塊1222以及至少一個(gè)下電極區(qū)塊1224，于圖2中，僅繪示一個(gè)下電極區(qū)塊1224做為代表。上電極區(qū)塊1222形成在上薄膜電路124的下表面1244上，下電極區(qū)塊1224形成在下薄膜電路126的第二上表面1262上。兩個(gè)隔離構(gòu)件128分別設(shè)置在下電極區(qū)塊1224以外的兩側(cè)。兩個(gè)隔離構(gòu)件128分別安置在上薄膜電路124與下薄膜電路126之間，以形成間隔空間129，使上電極區(qū)塊1222與下電極區(qū)塊1224在使用者尚未按壓鍵帽11前不會(huì)意外接觸導(dǎo)通。開關(guān)122的上電極區(qū)塊1222與下電極區(qū)塊1224安置在間隔空間129內(nèi)。使用者的手指按壓鍵帽11移動(dòng)至按壓位置時(shí)，使上電極區(qū)塊1222與下電極區(qū)塊1224接觸，開關(guān)122被致動(dòng)觸發(fā)。

軟性電路層13設(shè)置于底板10的上方或下方。例如，如圖2所示，開關(guān)膜層12設(shè)置于底板10上，軟性電路層13設(shè)置于開關(guān)膜層12上。軟性電路層13包含可撓性絕緣膜132以及形成在可撓性絕緣膜132的第一上表面1322上的至少一對(duì)引腳134a、134b。每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14對(duì)應(yīng)至少一對(duì)引腳134a、134b中的一對(duì)引腳134a、134b，并且每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14包含一對(duì)焊墊142a、142b。

每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14固定在軟性電路層13上，并且一對(duì)焊墊142a、142b與其對(duì)應(yīng)的一對(duì)引腳134a、134b形成電性連接。例如，如圖2所示，每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的一對(duì)焊墊142a、142b以表面粘著(surface mount)方式與一對(duì)引腳134a、134b形成電性連接。再者，如圖3所示，每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的一對(duì)焊墊142a、142b以打線接合(wire bonding)方式與一對(duì)引腳134a、134b形成電性連接。圖3中具有與圖2中相同號(hào)碼標(biāo)記的元件，有相同或類似的結(jié)構(gòu)以及功能，在此不多做贅述。

于一具體實(shí)施例中，可撓性絕緣膜132可以由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯或聚酰亞胺所形成。

于一具體實(shí)施例中，至少一對(duì)引腳134a、134b可以由銅或銅合金所形成。

如圖2及圖3所示，每一個(gè)保護(hù)蓋15對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14。每一個(gè)保護(hù)蓋15形成在軟性電路層13上，并且覆蓋其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶14。每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14所發(fā)射的第一光線L1照射透光區(qū)域112。

進(jìn)一步，如圖2、圖3所示，本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵1還包含升降機(jī)構(gòu)20以及回復(fù)元件22。升降機(jī)構(gòu)20的一端可活動(dòng)地連接鍵帽11，另一端可活動(dòng)地連接底板10?；貜?fù)元件22提供鍵帽11回復(fù)到按壓前的位置的回復(fù)力。圖2、圖3所示的范例中，升降機(jī)構(gòu)20為剪刀式升降機(jī)構(gòu)，回復(fù)元件22彈性圓頂體。于另一較佳具體實(shí)施例中，升降機(jī)構(gòu)20為蝴蝶式升降機(jī)構(gòu)，回復(fù)元件22為彈片。于另一較佳具體實(shí)施例中，回復(fù)元件22為磁性元件，本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的架構(gòu)也可屬磁吸式按鍵。

進(jìn)一步，如圖2及圖3所示，本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵1還包含第一熒光粉層17。第一熒光粉層17可以形成在鍵帽11的底表面116上。第一光線L1照射第一熒光粉層17，經(jīng)第一熒光粉層17降頻轉(zhuǎn)換成第二光線L2。

于一具體實(shí)施例中，第一光線L1可以是不可見(jiàn)光，第二光線L2可以是可見(jiàn)光。藉此，若發(fā)射第一光線L1的發(fā)光二極管裸晶14所發(fā)射第一光線L1從鍵帽11與底板10之間的縫隙外泄，因?yàn)榈谝还饩€是不可見(jiàn)光，所以并不會(huì)為使用者所見(jiàn)，仍維持本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的美觀。

于另一較佳具體實(shí)施例中，每一個(gè)保護(hù)蓋15內(nèi)可以摻雜多顆均勻分布的熒光粉顆粒。第一光線L1照射多顆熒光粉顆粒，經(jīng)多顆熒光粉顆粒降頻轉(zhuǎn)換成第二光線L2。

請(qǐng)參閱圖4，圖4僅顯示軟性電路層13及發(fā)光二極管裸晶14的俯視圖。如圖4所示，進(jìn)一步，本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵1還包含多個(gè)反光體18。每一個(gè)反光體18對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14。每一個(gè)反光體18形成在軟性電路層13上，并且環(huán)繞其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶14，用以反射其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶14所發(fā)射的第一光線L1。圖4中具有與圖2中相同號(hào)碼標(biāo)記的元件，有相同或類似的結(jié)構(gòu)以及功能，在此不多做贅述。于一具體實(shí)施例中，每一個(gè)反光體18可以藉由涂布或印刷白色油墨而形成。

請(qǐng)參閱圖5，圖5僅顯示軟性電路層13及發(fā)光二極管裸晶14的俯視圖。如圖5所示，進(jìn)一步，本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵1還包含多個(gè)吸光體19。每一個(gè)吸光體19對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14。每一個(gè)吸光體19為形成在軟性電路層13上，并且環(huán)繞其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶14，用以吸收其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶14所發(fā)射的第一光線L1。圖5中具有與圖2中相同號(hào)碼標(biāo)記的元件，有相同或類似的結(jié)構(gòu)以及功能，在此不多做贅述。于一具體實(shí)施例中，每一個(gè)吸光體19可以藉由涂布或印刷黑色或暗色油墨而形成。

于圖4及圖5中，三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14繪示于圖中。三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14可以發(fā)射同色的第一光線L1，藉此，本發(fā)明的發(fā)光按鍵1可以將第一光線L1均勻照射透光區(qū)域112，或者可調(diào)整照射透光區(qū)域112的亮度。三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14也可以發(fā)射不同色的第一光線L1，藉此，本發(fā)明的發(fā)光按鍵1可以改變照射透光區(qū)域112的混光光線的顏色。

請(qǐng)參閱圖6，圖6為本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的部分元件的剖面視圖。軟性電路層13的可撓性絕緣膜132與開關(guān)膜層12的上薄膜電路124為同一個(gè)元件。藉此，本發(fā)明的發(fā)光按鍵1可以進(jìn)一步薄型化。圖6中具有與圖2中相同號(hào)碼標(biāo)記的元件，有相同或類似的結(jié)構(gòu)以及功能，在此不多做贅述。

同樣示于圖6，進(jìn)一步，本發(fā)明的發(fā)光按鍵1還包含至少一第二熒光層24。每一個(gè)第二熒光層24對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14以及一個(gè)保護(hù)蓋15。每一個(gè)第二熒光層24形成以覆蓋其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶14，每一個(gè)第二熒光層24對(duì)應(yīng)的保護(hù)蓋15再行形成以覆蓋每一個(gè)第二熒光層24。

請(qǐng)參閱圖7，圖7為本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的部分元件的剖面視圖。如圖7所示，于一具體實(shí)施例中，軟性電路層13所設(shè)置的位置可以位于開關(guān)膜層12與底板10之間。開關(guān)膜層12具有至少一個(gè)第一鏤空部127。每一個(gè)第一鏤空部127對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14。每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14位于其對(duì)應(yīng)的第一鏤空部127下方。圖7中具有與圖6中相同號(hào)碼標(biāo)記的元件，有相同或類似的結(jié)構(gòu)以及功能，在此不多做贅述。

請(qǐng)參閱圖8，圖8為本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的部分元件的剖面視圖。如圖8所示，于另一具體實(shí)施例中，軟性電路層13所設(shè)置的位置位在底板10下方。開關(guān)膜層12具有至少一個(gè)第一鏤空部127。底板10具有至少一個(gè)第二鏤空部102。每一個(gè)第一鏤空部127對(duì)應(yīng)一個(gè)第二鏤空部102以及一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14。每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14在其對(duì)應(yīng)的第一鏤空部127以及其對(duì)應(yīng)的第二鏤空部102下方。圖8中具有與圖6中相同號(hào)碼標(biāo)記的元件，有相同或類似的結(jié)構(gòu)以及功能，在此不多做贅述。

請(qǐng)參閱圖9，圖9為本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的部分元件的剖面視圖。如圖9所示，于另一具體實(shí)施例中，軟性電路層13所設(shè)置的位置在底板10上，即軟性電路層13位于開關(guān)膜層12與底板10之間。軟性電路層13的可撓性絕緣膜132與開關(guān)膜層12的下薄膜電路126為同一個(gè)元件。藉此，本發(fā)明的發(fā)光按鍵1可以進(jìn)一步薄型化。上薄膜電路124具有至少一個(gè)第三鏤空部1246。隔離構(gòu)件128具有至少一個(gè)第四鏤空部1282。每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14對(duì)應(yīng)一個(gè)第三鏤空部1246以及一個(gè)第四鏤空部1282，每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14在其對(duì)應(yīng)的第三鏤空部1246以及其對(duì)應(yīng)的第四鏤空部1282內(nèi)。圖9中具有與圖6中相同號(hào)碼標(biāo)記的元件，有相同或類似的結(jié)構(gòu)以及功能，在此不多做贅述。

請(qǐng)參閱圖10，圖10為本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的部分元件的剖面視圖。圖10所示的實(shí)施例大致上與圖9所示的實(shí)施例相同，也就是說(shuō)，軟性電路層13的可撓性絕緣膜132與開關(guān)膜層12的下薄膜電路126為同一個(gè)元件。區(qū)別在于，圖10中，兩個(gè)下電極區(qū)塊1224被繪示。開關(guān)122并且包含至少一根導(dǎo)線1226，至少一根導(dǎo)線1226形成在下薄膜電路126的第二上表面1262上，于圖10中僅繪示一根導(dǎo)線1226。每一根導(dǎo)線1226對(duì)應(yīng)一個(gè)下電極區(qū)塊1224，并且與其對(duì)應(yīng)的下電極區(qū)塊1224做電性連接。對(duì)應(yīng)的第三鏤空部1246以及其對(duì)應(yīng)的第四鏤空部1282內(nèi)。圖10中具有與圖9中相同號(hào)碼標(biāo)記的元件，有相同或類似的結(jié)構(gòu)以及功能，在此不多做贅述。

請(qǐng)參閱圖11，圖11為本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的部分元件的剖面視圖。如圖11所示，于另一具體實(shí)施例中，軟性電路層13所設(shè)置的位置在底板10上。軟性電路層13與隔離構(gòu)件128為同一個(gè)元件。也就是說(shuō)，軟性電路層13所設(shè)置的位置在上薄膜電路124與下薄膜電路126之間。藉此，本發(fā)明的發(fā)光按鍵1可以進(jìn)一步薄型化。上薄膜電路124具有至少一個(gè)第三鏤空部1246(如圖9中所示)。每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14對(duì)應(yīng)一個(gè)第三鏤空部1246，每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14在其對(duì)應(yīng)的第三鏤空部1246內(nèi)。圖11中具有與圖6中相同號(hào)碼標(biāo)記的元件，有相同或類似的結(jié)構(gòu)以及功能，在此不多做贅述。

如圖2、圖3、圖6、圖7及圖8所示，進(jìn)一步，本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例的發(fā)光按鍵1還包含調(diào)光膜片16。調(diào)光膜片16可以設(shè)置在軟性電路層13上。

于一具體實(shí)施例中，調(diào)光膜片16可以是增亮膜片。

于另一具體實(shí)施例中，調(diào)光膜片16可以是擴(kuò)散膜片。做為擴(kuò)散膜片的調(diào)光膜片16包含至少一個(gè)鏡頭部162。每一個(gè)鏡頭部162對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14，并且每一個(gè)鏡頭部162在與之對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管裸晶14的上方，如圖2、圖3、圖6、圖7及圖8所示。

請(qǐng)參閱圖12至圖16，圖12至圖16分別為本發(fā)明的發(fā)光按鍵1的部分元件的剖面視圖。于實(shí)際應(yīng)用中，透光區(qū)域112呈現(xiàn)的圖案復(fù)雜且各個(gè)不同，并且發(fā)光二極管裸晶14能設(shè)置的位置有限，為了有效應(yīng)用發(fā)光二極管裸晶14的發(fā)光效率，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)每一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的鏡頭部162其形狀會(huì)適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)。例如，如圖12所示，三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14相鄰，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)左邊發(fā)光二極管裸晶14的部分無(wú)鏡頭部162，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)中間發(fā)光二極管裸晶14的部分具有倒V字型且面向發(fā)光二極管裸晶14的鏡頭部162，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)右邊發(fā)光二極管裸晶14的部分具有高低起伏(或者鋸齒狀)且面向發(fā)光二極管裸晶14的鏡頭部162。如圖13所示，三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14相鄰，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)相鄰的三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的部分具有連續(xù)高低起伏且面向三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的鏡頭部162。藉此，調(diào)光膜片16能將發(fā)光二極管裸晶14發(fā)射的第一光線L1導(dǎo)引到透光區(qū)域112的對(duì)應(yīng)部位。

如圖14、圖15及圖16所示，本發(fā)明的發(fā)光按鍵1為可程式化變化發(fā)光顏色的發(fā)光按鍵，數(shù)個(gè)發(fā)光二極管裸晶14分別成多個(gè)群組。于圖14中，三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14成一個(gè)群組，三個(gè)發(fā)光二極管裸晶群組相鄰，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)左邊群組發(fā)光二極管裸晶14的部分具有涵蓋三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的第一凸面鏡頭部162，第一凸面鏡頭部162位于調(diào)光膜片16遠(yuǎn)離發(fā)光二極管裸晶14的表面上凸出，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)中間群組發(fā)光二極管裸晶14的部分具有涵蓋三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的第二凸面鏡頭部162，第二凸面鏡頭部162位于調(diào)光膜片16面向發(fā)光二極管裸晶14的表面上，且第二凸面鏡頭162部朝向遠(yuǎn)離發(fā)光方向凸出，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)右邊群組發(fā)光二極管裸晶14的部分具有涵蓋三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的第三凸面鏡頭部162，第三凸面鏡頭部162位于調(diào)光膜片16遠(yuǎn)離發(fā)光二極管裸晶14的表面上凸出。藉此，調(diào)光膜片16能將發(fā)光二極管裸晶14發(fā)射的混光光線導(dǎo)引到透光區(qū)域112的對(duì)應(yīng)部位。

于圖15中，三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14成一群組，三個(gè)發(fā)光二極管裸晶群組相鄰，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)左邊群組發(fā)光二極管裸晶14的部分具有三個(gè)分別涵蓋三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的凸面的鏡頭部162，三個(gè)凸面鏡頭部162與三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14一一對(duì)應(yīng)，三個(gè)凸面鏡頭部162位于調(diào)光膜片16遠(yuǎn)離發(fā)光二極管裸晶14的表面上凸出，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)中間群組發(fā)光二極管裸晶14的部分具有三個(gè)分別涵蓋一個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的凸面鏡頭部162，三個(gè)凸面鏡頭部162與三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14一一對(duì)應(yīng)，三個(gè)凸面鏡頭部162位于調(diào)光膜片16面向發(fā)光二極管裸晶14的表面上，且三個(gè)凸面鏡頭部162朝向遠(yuǎn)離發(fā)光方向凸出，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)右邊群組發(fā)光二極管裸晶14的部分具有三個(gè)分別涵蓋三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的凸面鏡頭部162，三個(gè)凸面鏡頭部162與三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14一一對(duì)應(yīng)，三個(gè)凸面鏡頭部162位于調(diào)光膜片16遠(yuǎn)離發(fā)光二極管裸晶14的的表面上凸出。同樣地，調(diào)光膜片16能將發(fā)光二極管裸晶14發(fā)射的混光光線導(dǎo)引到透光區(qū)域112的對(duì)應(yīng)部位。

于圖16中，三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14成一群組，三個(gè)發(fā)光二極管裸晶群組相鄰，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)左邊群組發(fā)光二極管裸晶14的部分具有涵蓋三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的連續(xù)高低起伏的鏡頭部162，且鏡頭部162設(shè)置于調(diào)光膜片16遠(yuǎn)離發(fā)光二極管裸晶14的表面上，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)中間群組發(fā)光二極管裸晶14的部分具有涵蓋三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的連續(xù)高低起伏的鏡頭部162，且鏡頭部162設(shè)置于調(diào)光膜片16面向發(fā)光二極管裸晶14的表面上，調(diào)光膜片16對(duì)應(yīng)右邊群組發(fā)光二極管裸晶14的部分具有涵蓋三個(gè)發(fā)光二極管裸晶14的連續(xù)高低起伏的鏡頭部162，且鏡頭部162位于調(diào)光膜片16遠(yuǎn)離發(fā)光二極管裸晶14的表面上。藉此，調(diào)光膜片16能將發(fā)光二極管裸晶14發(fā)射的混光光線導(dǎo)引到透光區(qū)域112的對(duì)應(yīng)部位。

請(qǐng)參閱圖17，圖17以外觀視圖示意地繪示本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例的發(fā)光鍵盤3。如圖16所示，本發(fā)明的一較佳具體實(shí)施例的發(fā)光鍵盤3包含多個(gè)上述本發(fā)明的發(fā)光按鍵1。

藉由以上對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明，可以清楚了解本發(fā)明的發(fā)光按鍵1不采用先前技術(shù)所采用的已封裝的發(fā)光二極管元件而改采用發(fā)光二極管裸晶14。由于已封裝的發(fā)光二極管元件與發(fā)光二極管裸晶14兩者的高度相差甚大，所以本發(fā)明的發(fā)光按鍵1及發(fā)光鍵盤3可以進(jìn)一步薄型化。并且，本發(fā)明的發(fā)光鍵盤3并無(wú)先前技術(shù)的采用導(dǎo)光板的背光裝置，所以所采用的發(fā)光二極管裸晶14的功率相對(duì)的小很多，因此，本發(fā)明的發(fā)光鍵盤3在發(fā)光上所需功耗較小。

藉由以上較佳具體實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明，希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的面向加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的專利范圍的面向內(nèi)。因此，本發(fā)明所申請(qǐng)的專利范圍的面向應(yīng)該根據(jù)上述的說(shuō)明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。