技術(shù)特征：

1.一種集成式高壓碳化硅達(dá)林頓管，其特征在于，包括：

N+襯底(101)；

N+緩沖層(102)，設(shè)置在所述N+襯底(101)上表面；

N-集電區(qū)(103)，設(shè)置在所述N+緩沖層(102)上表面；

基區(qū)(104)，設(shè)置在所述N-集電區(qū)(103)上表面；

N+發(fā)射區(qū)(105)，設(shè)置在所述基區(qū)(104)上表面，包括呈傾斜槽型的器件溝槽，呈傾斜槽型的器件隔離區(qū)(107)和呈垂直槽型的發(fā)射區(qū)臺面；

基極P+注入?yún)^(qū)(106)，設(shè)置在所述發(fā)射區(qū)臺面下表面，且位于所述基區(qū)(104)內(nèi)；

所述器件溝槽設(shè)置在所述N+發(fā)射區(qū)(105)，且延伸至所述N-集電區(qū)(103)上部；

所述器件隔離區(qū)(107)設(shè)置在所述N+發(fā)射區(qū)(105)，且延伸至所述N-集電區(qū)(103)上部；

隔離區(qū)注入層(108)，設(shè)置在所述器件隔離區(qū)(107)下表面，且位于所述N-集電區(qū)(103)內(nèi)；

氧化層(109)，覆蓋所述器件溝槽區(qū)，所述發(fā)射區(qū)臺面和所述器件隔離區(qū)(107)，并且在所述發(fā)射區(qū)臺面上開設(shè)有接觸孔；

基極接觸金屬(110)，設(shè)置在所述基極P+注入?yún)^(qū)(106)上表面，且位于所述發(fā)射區(qū)臺面內(nèi)，與所述氧化層(109)相連；

發(fā)射極接觸金屬(112)，分別設(shè)置在所述N+發(fā)射區(qū)(105)上表面和覆蓋有所述氧化層(109)的所述器件溝槽區(qū)的上表面，和所述N+發(fā)射區(qū)(105)上表面的所述發(fā)射極接觸金屬(112)連接覆蓋所述器件隔離區(qū)(107)和覆蓋所述發(fā)射區(qū)臺面上的所述氧化層(109)，設(shè)置在所述器件溝槽區(qū)的上表面兩邊分別連接覆蓋所述發(fā)射區(qū)臺面上的所述氧化層(109)；

互連金屬層(113)，設(shè)置在覆蓋所述發(fā)射極接觸金屬(112)的所述器件溝槽區(qū)上表面，并一側(cè)連接覆蓋所述發(fā)射區(qū)臺面的所述基極接觸金屬(110)；

集電極(111)，位于所述N+襯底(101)下表面。

2.如權(quán)利要求1所述的碳化硅達(dá)林頓管，其特征在于，

以所述發(fā)射區(qū)臺面中心為分界線，將所述發(fā)射區(qū)臺面分為第一發(fā)射區(qū)臺面和第二發(fā)射區(qū)臺面，其中，所述第一發(fā)射區(qū)臺面與所述器件隔離區(qū)(107)之間的距離大于所述第二發(fā)射區(qū)臺面與所述器件隔離區(qū)(107)之間的距離；

將所述第一發(fā)射區(qū)臺面和所述器件溝槽區(qū)確定為驅(qū)動管，將所述第二發(fā)射區(qū)臺面和與所述器件隔離區(qū)(107)相接區(qū)域確定為輸出管；

所述驅(qū)動管的面積與所述輸出管的面積比為1:5。

3.如權(quán)利要求1所述的碳化硅達(dá)林頓管，其特征是，所述器件溝槽的深度介于3.6～5.1μm之間，底部寬度介于1～2μm之間，傾斜角度介于15°～30°之間。

4.一種集成式高壓碳化硅達(dá)林頓管的制作方法，其特征在于，包括：

采用ICP刻蝕工藝，對N+發(fā)射區(qū)進(jìn)行刻蝕，分別形成發(fā)射區(qū)臺面，側(cè)壁傾斜的有源區(qū)第一溝槽結(jié)構(gòu)和第一隔離區(qū)；

在基區(qū)中進(jìn)行第一次離子注入，所述第一次離子注入后的所述基區(qū)形成基極P+注入?yún)^(qū)；

采用ICP刻蝕工藝，對所述基區(qū)進(jìn)行刻蝕，分別形成側(cè)壁傾斜的有源區(qū)第二溝槽結(jié)構(gòu)和第二隔離區(qū)；所述第一溝槽結(jié)構(gòu)和所述第二溝槽結(jié)構(gòu)組成器件溝槽，所述第一隔離區(qū)和所述第二隔離區(qū)組成器件隔離區(qū)；

在N-集電區(qū)中的所述器件隔離區(qū)底部進(jìn)行第二次離子注入，所述第二次離子注入后的所述集電區(qū)形成隔離區(qū)注入層；

其中，所述側(cè)壁傾斜角度介于15°～30°之間，所述第一溝槽刻蝕深度介于1.6～2.1μm之間，所述第二溝槽結(jié)構(gòu)刻蝕深度介于2～3μm之間，注入離子為鋁離子，注入溫度650℃；所述第一次離子注入深度為0.25μm，離子摻雜濃度1×10²⁰cm^-3，所述第二次離子注入深度為0.5μm，離子摻雜濃度1×10²⁰cm^-3。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用ICP刻蝕工藝，對N+發(fā)射區(qū)進(jìn)行刻蝕之前，還包括：

在N+襯底上生長厚度為3.5～6μm、氮離子摻雜濃度為8×10¹⁷～5×10¹⁸cm^-3的N+緩沖層；

在所述N+緩沖層上生長厚度為95～105μm、氮離子摻雜濃度為8×10¹³～6×10¹⁴cm^-3的N-集電區(qū)層；

在所述N-集電區(qū)外延生長厚度為0.8～1.2μm、鋁離子摻雜濃度8×10¹⁶～8×10¹⁷cm^-3的基區(qū)；

在所述基區(qū)上生長厚度為1.5～2μm、氮離子摻雜濃度為1×10¹⁹～2×10¹⁹cm^-3的N+發(fā)射區(qū)層；

其中，所述N+緩沖層的生長條件為：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體包括硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣，雜質(zhì)源為液態(tài)氮?dú)?；所述N-集電區(qū)層的生長條件為：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體包括硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣，雜質(zhì)源為液態(tài)氮?dú)猓凰龌鶇^(qū)的生長條件為：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體包括硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣，雜質(zhì)源為三甲基鋁；所述N+發(fā)射區(qū)層的生長條件為：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體包括硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣，雜質(zhì)源為液態(tài)氮?dú)狻?/p>

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二次離子注入后的所述集電區(qū)形成隔離區(qū)注入層之后，還包括：

在所述器件溝槽區(qū)，所述發(fā)射區(qū)臺面和所述器件隔離區(qū)的上表面淀積SiO₂后，進(jìn)行光刻，在所述發(fā)射區(qū)臺面上刻蝕接觸孔；

在所述發(fā)射區(qū)臺面上淀積合金，形成基極接觸金屬；

在所述器件溝槽上表面和所述發(fā)射區(qū)臺面沉淀金屬，形成發(fā)射極接觸金屬；

在形成所述發(fā)射極接觸金屬的所述器件溝槽上表面和位于所述基極p+注入?yún)^(qū)上表面的所述基極接觸金屬上表面沉淀金屬，形成互連金屬層。