本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光顯示面板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

經(jīng)過近二十余年的迅速發(fā)展，有機電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)在材料合成、器件制備以及工藝集成方面都有了質(zhì)的飛躍。OLED具有高效率、高亮度、高對比度、低功耗、響應(yīng)速度快、可實現(xiàn)柔性顯示等諸多優(yōu)點，OLED將成為下一代主流平板顯示技術(shù)最有力的競爭者。

現(xiàn)有技術(shù)OLED的像素結(jié)構(gòu)如圖1所述，包括位于襯底基板10上的若干薄膜晶體管陣列電路11、位于薄膜晶體管陣列電路11上的陽極12、位于陽極12上的像素定義層13、位于像素定義層13上的有機發(fā)光層14、位于有機發(fā)光層14上的陰極15。像素定義層13的作用是包覆陽極12邊緣，定義出OLED的發(fā)光區(qū)域，由于OLED的陽極12一般采用氧化銦錫(ITO)等金屬氧化物，而ITO的晶粒較大，同時，經(jīng)過刻蝕的ITO邊緣較直，幾乎呈90度直角，且ITO的厚度較厚，一般為到若沒有像素定義層13，陰極15很容易與陽極12在陽極12邊緣的90度直角處短路，如在圖中虛線區(qū)域16標(biāo)注的位置處發(fā)生短路。

但現(xiàn)有技術(shù)像素定義層的存在會減小發(fā)光區(qū)域，尤其對于現(xiàn)在顯示追求高解析率的趨勢下，要求像素區(qū)域盡可能的小，而像素定義層的存在又進一步減小了發(fā)光區(qū)域，使得對OLED的效率和壽命要求進一步增高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種有機電致發(fā)光顯示面板及其制作方法、顯示裝置，用以省去現(xiàn)有技術(shù)的像素定義層，增加像素的發(fā)光區(qū)域。

本發(fā)明實施例提供的一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的陽極和陰極，以及位于所述陽極和所述陰極之間的有機發(fā)光層，其中，還包括覆蓋整個所述襯底基板的半導(dǎo)體層；

所述半導(dǎo)體層位于所述陽極和所述有機發(fā)光層之間；或，

所述半導(dǎo)體層位于所述陰極和所述有機發(fā)光層之間。

由本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板，由于該有機電致發(fā)光顯示面板包括覆蓋整個襯底基板的半導(dǎo)體層，而半導(dǎo)體層在通常情況下導(dǎo)電率較低，能夠起到包覆陽極邊緣、防止陰極和陽極短路的作用，因此，本發(fā)明實施例能夠省去現(xiàn)有技術(shù)的像素定義層，增加像素的發(fā)光區(qū)域。

較佳地，流經(jīng)所述半導(dǎo)體層的電流值大于有機電致發(fā)光顯示面板點亮?xí)r需要的電流值；所述流經(jīng)所述半導(dǎo)體層的電流值為當(dāng)有機電致發(fā)光顯示面板包括的薄膜晶體管陣列電路中的薄膜晶體管開啟時，薄膜晶體管的開啟電壓對應(yīng)的電流值。

較佳地，所述半導(dǎo)體層為有機化合物半導(dǎo)體層，或為非晶態(tài)半導(dǎo)體層，或為氧化物半導(dǎo)體層。

較佳地，所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層為非晶硅半導(dǎo)體層。

較佳地，所述半導(dǎo)體層的厚度為到

較佳地，所述陽極的材料為金屬材料或透明導(dǎo)電材料；

所述陰極的材料為金屬材料或透明導(dǎo)電材料。

較佳地，當(dāng)所述半導(dǎo)體層位于所述陽極和所述有機發(fā)光層之間，還包括：位于所述陽極和所述半導(dǎo)體層之間的空穴注入層；或，位于所述半導(dǎo)體層和所述有機發(fā)光層之間的空穴注入層；

當(dāng)所述半導(dǎo)體層位于所述陰極和所述有機發(fā)光層之間，還包括：位于所述陽極和所述有機發(fā)光層之間的空穴注入層。

較佳地，當(dāng)所述半導(dǎo)體層位于所述陽極和所述有機發(fā)光層之間，還包括：位于所述有機發(fā)光層和所述陰極之間的電子傳輸層；

當(dāng)所述半導(dǎo)體層位于所述陰極和所述有機發(fā)光層之間，還包括：位于所述陰極和所述半導(dǎo)體層之間的電子傳輸層；或，位于所述半導(dǎo)體層和所述有機發(fā)光層之間的電子傳輸層。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的有機電致發(fā)光顯示面板。

本發(fā)明實施例還提供了一種有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法，包括在襯底基板上制作陽極、有機發(fā)光層和陰極的方法，該方法還包括：

在所述陽極上制作一層半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層覆蓋整個襯底基板；或，

在所述陰極上制作一層半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層覆蓋整個襯底基板。

較佳地，所述在所述陽極上制作一層半導(dǎo)體層，包括：

在所述陽極上通過化學(xué)氣相沉積的方法沉積一層半導(dǎo)體層；

所述在所述陰極上制作一層半導(dǎo)體層，包括：

在所述陰極上通過化學(xué)氣相沉積的方法沉積一層半導(dǎo)體層。

較佳地，所述在襯底基板上制作陽極或陰極之前包括：在所述襯底基板上制作若干陣列排列的薄膜晶體管陣列電路；

流經(jīng)所述半導(dǎo)體層的電流值大于有機電致發(fā)光顯示面板點亮?xí)r需要的電流值；所述流經(jīng)所述半導(dǎo)體層的電流值為所述薄膜晶體管陣列電路中的薄膜晶體管開啟時，薄膜晶體管的開啟電壓對應(yīng)的電流值。

較佳地，所述半導(dǎo)體層為有機化合物半導(dǎo)體層，或為非晶態(tài)半導(dǎo)體層，或為氧化物半導(dǎo)體層。

較佳地，當(dāng)在所述陽極上制作一層半導(dǎo)體層，該方法還包括：

在所述陽極和所述半導(dǎo)體層之間制作空穴注入層；或，在所述半導(dǎo)體層和所述有機發(fā)光層之間制作空穴注入層；

當(dāng)在所述陰極上制作一層半導(dǎo)體層，該方法還包括：

在所述陽極和所述有機發(fā)光層之間制作空穴注入層。

較佳地，當(dāng)在所述陽極上制作一層半導(dǎo)體層，該方法還包括：

在所述有機發(fā)光層和所述陰極之間制作電子傳輸層；

當(dāng)在所述陰極上制作一層半導(dǎo)體層，該方法還包括：

在所述陰極和所述半導(dǎo)體層之間制作電子傳輸層；或，在所述半導(dǎo)體層和所述有機發(fā)光層之間制作電子傳輸層。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a和圖2b為本發(fā)明實施例提供的一種有機電致發(fā)光顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板包括的薄膜晶體管開啟時，半導(dǎo)體層不同位置處導(dǎo)電性能示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的另一有機電致發(fā)光顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的又一有機電致發(fā)光顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板包括的半導(dǎo)體層的電流-電壓曲線圖；

圖7為當(dāng)有導(dǎo)電顆粒存在時，有機電致發(fā)光顯示面板無半導(dǎo)體層時的示意圖；

圖8為當(dāng)有導(dǎo)電顆粒存在時，有機電致發(fā)光顯示面板設(shè)置半導(dǎo)體層時的示意圖；

圖9a和圖9b為本發(fā)明實施例提供的一種有機電致發(fā)光顯示面板制作方法流程圖。

具體實施方式

本發(fā)明實施例提供了一種有機電致發(fā)光顯示面板及其制作方法、顯示裝置，用以省去現(xiàn)有技術(shù)的像素定義層，增加像素的發(fā)光區(qū)域。

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板及其制作方法。

附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

如圖2a和圖2b所示，本發(fā)明具體實施例提供了一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括襯底基板10、位于襯底基板10上的陽極12和陰極15，以及位于陽極12和陰極15之間的有機發(fā)光層14，本發(fā)明具體實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板還包括覆蓋整個襯底基板10的半導(dǎo)體層21，其中：半導(dǎo)體層21位于陽極12和有機發(fā)光層14之間，如圖2a所示；或，半導(dǎo)體層21位于陰極15和有機發(fā)光層14之間，如圖2b所示。

具體地，本發(fā)明具體實施例中的陽極12設(shè)置于襯底基板10上，陰極15位于陽極12的上方，如圖2a所示；當(dāng)然，實際生產(chǎn)過程中，本發(fā)明具體實施例中也可以將陰極15設(shè)置于襯底基板10上，陽極12位于陰極15上方，如圖2b所示。

本發(fā)明具體實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板中，半導(dǎo)體層在通常情況下導(dǎo)電率較低，能夠起到包覆陽極邊緣、防止陰極和陽極短路的作用，因此，本發(fā)明具體實施例能夠省去現(xiàn)有技術(shù)的像素定義層，增加像素的發(fā)光區(qū)域。

本發(fā)明以下的具體實施例僅以陽極位于襯底基板上為例進行具體介紹。

如圖3所示，本發(fā)明具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板包括位于襯底基板10上若干陣列排列的薄膜晶體管陣列電路22，薄膜晶體管陣列電路22的具體設(shè)置方式與現(xiàn)有技術(shù)類似，這里不再贅述。

如圖3所示，當(dāng)與虛線區(qū)域31對應(yīng)的像素需要開啟時，位于陽極12上方的半導(dǎo)體層21(如圖中虛線區(qū)域31對應(yīng)的半導(dǎo)體層21)，由于有柵極電壓的存在，此時虛線區(qū)域31對應(yīng)的半導(dǎo)體層21變?yōu)閷?dǎo)體，該半導(dǎo)體層21可以作為陽極12的一部分，用于將空穴傳輸?shù)接袡C發(fā)光層14；而不在陽極12上方的半導(dǎo)體層21(如圖中虛線區(qū)域32對應(yīng)的半導(dǎo)體層21)由于沒有柵極電壓的存在，此時，虛線區(qū)域32對應(yīng)的半導(dǎo)體層21相當(dāng)于絕緣體，不會有漏電流的產(chǎn)生。

具體地，本發(fā)明具體實施例中的半導(dǎo)體層為有機化合物半導(dǎo)體層，也可以為非晶態(tài)半導(dǎo)體層，當(dāng)然，在實際生產(chǎn)過程中，本發(fā)明具體實施例中的半導(dǎo)體層還可以為氧化物半導(dǎo)體層，如：為銦鎵鋅氧化物半導(dǎo)體層。

具體實施時，本發(fā)明具體實施例的半導(dǎo)體層選擇非晶態(tài)半導(dǎo)體層，優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中非晶態(tài)半導(dǎo)體層選擇非晶硅半導(dǎo)體層，非晶硅半導(dǎo)體層在材料選用上更加方便，材料成本相對較低，且非晶硅半導(dǎo)體層的電流-電壓曲線較穩(wěn)定。

優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中半導(dǎo)體層的厚度為到本發(fā)明具體實施例中半導(dǎo)體層的厚度值指半導(dǎo)體層制作時沉積的膜層的厚度值；該厚度下的半導(dǎo)體層能夠形成更加均一的膜層，且能夠更好的起到包覆陽極邊緣的作用。

具體實施時，本發(fā)明具體實施例中的陽極的材料為金屬材料或透明導(dǎo)電材料，陰極的材料為金屬材料或透明導(dǎo)電材料。實際生產(chǎn)過程中，金屬材料可以選擇鉬(Mo)、鋁(Al)等的單層金屬或多層金屬組成的復(fù)合金屬，透明導(dǎo)電材料可以選擇氧化銦錫(ITO)等透明導(dǎo)電材料。當(dāng)陽極材料選擇金屬材料，陰極材料選擇透明導(dǎo)電材料時，本發(fā)明具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板為頂發(fā)射型；當(dāng)陽極材料選擇透明導(dǎo)電材料，陰極材料選擇金屬材料時，本發(fā)明具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板為底發(fā)射型。

具體地，如圖4所示，本發(fā)明具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板還包括位于陽極12和半導(dǎo)體層21之間的空穴注入層41；或，位于半導(dǎo)體層21和有機發(fā)光層14之間的空穴注入層，圖中僅示出了空穴注入層41位于陽極12和半導(dǎo)體層21之間的情況，空穴注入層41的材料選擇與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述，空穴注入層41的設(shè)置更有利于空穴注入到有機發(fā)光層14中。當(dāng)然，若本發(fā)明具體實施例中的半導(dǎo)體層21位于陰極15和有機發(fā)光層14之間，本發(fā)明具體實施例中的空穴注入層41位于陽極12和有機發(fā)光層14之間。

具體地，如圖5所示，本發(fā)明具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板還包括位于有機發(fā)光層14和陰極15之間的電子傳輸層51，電子傳輸層51的材料選擇與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述，電子傳輸層51的設(shè)置更有利于電子傳輸?shù)接袡C發(fā)光層14中。當(dāng)然，若本發(fā)明具體實施例中的半導(dǎo)體層21位于陰極15和有機發(fā)光層14之間，本發(fā)明具體實施例中的電子傳輸層51位于陰極15和半導(dǎo)體層21之間，或位于半導(dǎo)體層21和有機發(fā)光層14之間。

具體地，如圖3、4和5所示，本發(fā)明具體實施例流經(jīng)半導(dǎo)體層21的電流值大于有機電致發(fā)光顯示面板點亮?xí)r需要的電流值；流經(jīng)半導(dǎo)體層21的電流值為當(dāng)薄膜晶體管陣列電路22中的薄膜晶體管開啟時，薄膜晶體管的開啟電壓對應(yīng)的電流值。如：薄膜晶體管的開啟電壓一般為7V，本發(fā)明具體實施例中的半導(dǎo)體層21以非晶硅半導(dǎo)體層為例，如圖6所示，圖6示出了非晶硅半導(dǎo)體層的電流-電壓曲線，當(dāng)薄膜晶體管開啟時，流經(jīng)非晶硅半導(dǎo)體層的電流大約為10^-7A～10^-8A，大于有機電致發(fā)光顯示面板點亮?xí)r需要的電流值5納安(nA)，因此，半導(dǎo)體層21的存在不影響有機電致發(fā)光顯示面板的發(fā)光。

下面結(jié)合附圖7和附圖8介紹一下當(dāng)蒸鍍有機發(fā)光層14時存在導(dǎo)電顆粒(particle)時的情況。

如圖7所示，當(dāng)本發(fā)明具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板沒有半導(dǎo)體層時，導(dǎo)電顆粒70的存在導(dǎo)致陰極15與陽極12短路，這時相當(dāng)于有機電致發(fā)光顯示面板從兆歐級電阻變?yōu)?，電流會增加上千倍，容易影響周邊像素的亮度，或者將周邊像素?zé)龎摹?/p>

如圖8所示，當(dāng)本發(fā)明具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板有半導(dǎo)體層21時，導(dǎo)電顆粒70的存在使得陰極15與半導(dǎo)體層21相連，本發(fā)明具體實施例中的半導(dǎo)體層21以非晶硅半導(dǎo)體層為例，如圖6所示，這時半導(dǎo)體層21的電阻同為兆歐級，此時流過有導(dǎo)電顆粒70導(dǎo)致的短路的有機電致發(fā)光顯示面板的像素電流與流過無導(dǎo)電顆粒70未短路時的有機電致發(fā)光顯示面板的像素電流相差不大，即若一個像素的陰陽極短路的不良發(fā)生時，本發(fā)明具體實施例能夠使得流經(jīng)短路區(qū)的電流與常態(tài)時一致，因此本發(fā)明具體實施例不會影響周邊像素的發(fā)光。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明具體實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明具體實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板，該顯示裝置可以為OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明具體實施例還提供了一種有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法，如圖9a所示，該方法包括：

S9011、在襯底基板上制作陽極；

S9012、在所述陽極上制作一層半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層覆蓋整個襯底基板；

S9013、在所述半導(dǎo)體層上制作有機發(fā)光層，在所述有機發(fā)光層上制作陰極。

本發(fā)明具體實施例制作半導(dǎo)體層時不需要采用掩膜板(mask)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，不僅在工藝上省去了一次曝光過程，節(jié)省了一道m(xù)ask，同時也增加了像素的發(fā)光區(qū)域。

具體地，本發(fā)明具體實施例在襯底基板上制作陽極的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

具體地，本發(fā)明具體實施例在陽極上制作一層半導(dǎo)體層，包括：在陽極上通過化學(xué)氣相沉積的方法沉積一層半導(dǎo)體層，具體實施時，半導(dǎo)體層為有機化合物半導(dǎo)體層，或為非晶態(tài)半導(dǎo)體層，或為氧化物半導(dǎo)體層。當(dāng)然，在實際生產(chǎn)過程中還可以通過熱蒸發(fā)的方式在陽極上沉積一層半導(dǎo)體層，本發(fā)明具體實施例并不對半導(dǎo)體層的具體制作方法做限定。在實際制作過程中，本發(fā)明具體實施例還可以將半導(dǎo)體層制作在有機發(fā)光層和陰極之間。

具體地，本發(fā)明具體實施例在半導(dǎo)體層上制作有機發(fā)光層，在有機發(fā)光層上制作陰極，有機發(fā)光層和陰極的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

具體地，本發(fā)明具體實施例在襯底基板上制作若干陣列排列的陽極之前包括：在襯底基板上制作若干陣列排列的薄膜晶體管陣列電路，薄膜晶體管陣列電路的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。具體實施時，流經(jīng)半導(dǎo)體層的電流值大于有機電致發(fā)光顯示面板點亮?xí)r需要的電流值；流經(jīng)半導(dǎo)體層的電流值為薄膜晶體管陣列電路中的薄膜晶體管開啟時，薄膜晶體管的開啟電壓對應(yīng)的電流值，這樣不影響有機電致發(fā)光顯示面板的發(fā)光。

具體地，本發(fā)明具體實施例還包括在陽極和半導(dǎo)體層之間制作空穴注入層；或，在半導(dǎo)體層和有機發(fā)光層之間制作空穴注入層，空穴注入層的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述，制作的空穴注入層的位置可以參見圖4所示。

具體地，本發(fā)明具體實施例還包括在有機發(fā)光層和陰極之間制作電子傳輸層，電子傳輸層的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述，制作的電子傳輸層的位置可以參見圖5所示。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明具體實施例還提供了另一種有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法，如圖9b所示，該方法包括：

S9021、在襯底基板上制作陰極；

S9022、在所述陰極上制作一層半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層覆蓋整個襯底基板；

S9023、在所述半導(dǎo)體層上制作有機發(fā)光層，在所述有機發(fā)光層上制作陽極。

具體地，本發(fā)明具體實施例陰極、有機發(fā)光層和陽極的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

具體地，本發(fā)明具體實施例在陰極上制作一層半導(dǎo)體層，包括：在陰極上通過化學(xué)氣相沉積的方法沉積一層半導(dǎo)體層，當(dāng)然，在實際生產(chǎn)過程中還可以通過熱蒸發(fā)的方式在陽極上沉積一層半導(dǎo)體層，本發(fā)明具體實施例并不對半導(dǎo)體層的具體制作方法做限定。在實際制作過程中，本發(fā)明具體實施例還可以將半導(dǎo)體層制作在有機發(fā)光層和陽極之間。

具體地，本發(fā)明具體實施例還包括在陽極和有機發(fā)光層之間制作空穴注入層，空穴注入層的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

具體地，本發(fā)明具體實施例還包括在陰極和半導(dǎo)體層之間制作電子傳輸層；或，在半導(dǎo)體層和有機發(fā)光層之間制作電子傳輸層，電子傳輸層的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明具體實施例提供一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括襯底基板、位于襯底基板上的陽極和陰極，以及位于陽極和陰極之間的有機發(fā)光層，其中，還包括覆蓋整個襯底基板的半導(dǎo)體層；半導(dǎo)體層位于陽極和有機發(fā)光層之間；或，半導(dǎo)體層位于陰極和有機發(fā)光層之間。由于本發(fā)明具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板包括覆蓋整個襯底基板的半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層在通常情況下導(dǎo)電率較低，能夠起到包覆陽極邊緣的作用，因此，本發(fā)明具體實施例能夠省去現(xiàn)有技術(shù)的像素定義層，增加像素的發(fā)光區(qū)域。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。