1.一種用于集成電路中的電感組件，所述電感組件包括：
至少一個(gè)導(dǎo)體，其布置在螺旋路徑中以形成第一線圈；
布置在所述至少一個(gè)導(dǎo)體的第一側(cè)的至少一部分上或鄰近所述導(dǎo)體的第一側(cè)的第一磁性材料層，所述第一磁性材料層包括在至少一個(gè)磁芯；和
補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其被配置為補(bǔ)償所述至少一個(gè)磁芯的磁芯飽和非均勻性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感性組件，其中，所述補(bǔ)償結(jié)構(gòu)包括所述第一線圈，并且所述第一線圈的匝密度作為跨過所述第一線圈的徑向方向上的位置的函數(shù)而變化，以補(bǔ)充所述至少一個(gè)磁芯的磁芯飽和非均勻性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感組件，其中，所述螺旋路徑包括中心導(dǎo)體，內(nèi)邊緣導(dǎo)體和外邊緣導(dǎo)體，并且與中心導(dǎo)體相比，匝密度朝向內(nèi)邊緣導(dǎo)體和外邊緣導(dǎo)體更大。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感組件，其中，所述至少一個(gè)磁芯包括橫跨所述第一線圈的徑向?qū)挾妊由斓拇判荆⑶宜鲈衙芏入S著距所述磁芯的邊緣的距離的增加而減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感組件，其中，所示匝密度取決于形成第一線圈的匝的所述至少一個(gè)導(dǎo)體的導(dǎo)體的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感組件，其中，所述匝密度在所述第一線圈對(duì)應(yīng)于所述第一磁性材料層的區(qū)域中變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感組件，其中，所述至少一個(gè)磁芯還包括鄰近所述至少一個(gè)導(dǎo)體的第二側(cè)并且在與所述第一磁性材料層相對(duì)的位置布置的第二磁性材料層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電感組件，其中，所述至少一個(gè)磁芯布置成形成第一線圈的所述至少一個(gè)導(dǎo)體穿過的通道。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感組件，其中，所述第一線圈基本上是平面的，并且所述第一磁性材料層的平面基本上垂直于所述第一線圈的軸線。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感組件，其中，所述電感組件是變壓器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電感組件，還包括布置在螺旋路徑中以形成第二線圈的至少一個(gè)第二導(dǎo)體，所述第二線圈與所述至少一個(gè)磁芯磁耦合。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電感組件，其中，所述第一線圈和第二線圈是同軸的。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電感組件，其中，所述第一線圈和第二線圈形成在所述電感組件的同一層中。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電感組件，其中，所述第二線圈具有空間變化的匝密度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感組件，其中，所述磁芯卷繞在所述第一線圈的至少一部分。
16.一種形成電感組件的方法，所述方法包括：
形成布置在螺旋路徑中的至少一個(gè)導(dǎo)體以形成第一線圈；和
圍繞所述第一線圈的至少一部分形成磁芯；其中第一線圈被布置為補(bǔ)償所述磁芯的芯飽和非均勻性。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述補(bǔ)償結(jié)構(gòu)被布置為使得與所述磁芯的中心部分處的匝密度相比，所述第一線圈具有比所述磁芯的邊緣更低的匝密度。
18.一種集成電路包括：包括平面螺旋線圈的，其中，所述平面螺旋線圈的瞬時(shí)匝密度在所述平面螺旋線圈的寬度上從所述平面螺旋線圈的邊緣到所述平面螺旋線圈的中心變化。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路，還包括具有通道的磁芯，其中所述平面螺旋線圈延伸通過所述通道。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路，還包括延伸通過所述通道的第二磁芯，其中所述電感組件是包括第一磁芯和第二磁芯的變壓器。