本發(fā)明涉及微型LED器件封裝，尤其涉及一種微型無基板封裝的三基色LED及其封裝方法。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)三基色LED器件封裝，基于基板為載體，再將三基色LED芯片裝載于基板上，然后進行固晶、鍵和，再模壓封裝、切割成型，由于三基色LED芯片裝載于基板上，易出現(xiàn)LED芯片與基板之間虛焊等不良問題，同時，長時間使用時易出現(xiàn)LED芯片與基板之間應(yīng)力失效問題。鑒于上述缺陷，實有必要設(shè)計一種微型無基板封裝的三基色LED及其封裝方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于：提供一種微型無基板封裝的三基色LED及其封裝方法，來解決三基色LED芯片與基板之間虛焊及應(yīng)力失效的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種微型無基板封裝的三基色LED，包括三基色LED芯片、一次塑封層、導(dǎo)電球、二次塑封層，所述的一次塑封層位于三基色LED芯片四周及頂部，所述的一次塑封層與三基色LED芯片固連，所述的導(dǎo)電球位于設(shè)置在三基色LED芯片頂部的電極頂部，所述的導(dǎo)電球與電極焊接相連且與一次塑封層固連，所述的二次塑封層位于三基色LED芯片底部，所述的二次塑封層與三基色LED芯片固連。

一種微型無基板封裝的三基色LED的封裝方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

1)芯片排布：將單個R、G、B三基色LED芯片作為獨立單元進行陣列并平放在設(shè)有粘接固定膜的平面載板上，所述的三基色LED芯片非電極所在面與平面載板貼合，所述的平面載板平面度≤0.005mm，所述的獨立單元內(nèi)R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；

2)植放導(dǎo)電球：將已經(jīng)排布好的三基色LED芯片的電極上植放導(dǎo)電球，所述的導(dǎo)電球用于導(dǎo)電，所述的導(dǎo)電球厚度為0.005mm-0.08mm；

3)一次塑封：采用模封工藝對已植放導(dǎo)電球的三基色LED芯片頂面及側(cè)面進行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料為耐溫不小于200℃的不透光塑封料；

4)二次塑封：先將平面載板與步驟3)制得的一次塑封芯片板分離，再將分離后的一次塑封芯片板的底面采用模封工藝進行二次塑封制得二次塑封芯片板，所述的塑封材料透光塑封料；

5)打磨：使用打磨機對步驟4)制得的二次塑封芯片板頂面進行打磨，打磨至露出三基色LED芯片電極上的導(dǎo)電球截面的1/2-2/3；

6)清洗烘干：先使用超聲波清洗機對打磨后的二次塑封芯片板進行清洗，再使用烘箱對清洗后的二次塑封芯片板進行烘干，所述的烘干溫度為50℃-80℃,烘烤時間為10min-30min；

7)分離：先將步驟6)處理后的二次塑封芯片板底面貼上一層粘接固定膜，再使用切割機將二次塑封芯片板上的的各個獨立單元相互分離，最后將所述的各個獨立單元從粘接固定膜上玻璃，從而制得無基板三基色LED半成品，所述的切割機不切斷粘接固定膜；

8)測試包裝：對步驟7)制得的無基板三基色LED半成品進行光電參數(shù)測試，測試合格后進行包裝制得無基板三基色LED成品。

本發(fā)明進一步的改進如下：

進一步的，所述的三基色LED芯片為透明襯底的雙電極LED芯片和倒裝LED芯片中的任意一種。

有效效果：本發(fā)明通過對三基色LED芯片以載板為單位模塊的方式進行后續(xù)工藝，使后續(xù)封裝生產(chǎn)工藝更簡單，所形成的三基色LED芯片之間有不透光的一次塑封層遮擋，不形成光干擾，而三基色LED芯片電極植導(dǎo)電球，在二次塑封完成后再打磨，完全消除三基色LED芯片的厚度與固晶平整度差異，避免了后續(xù)LED器件在SMT時因三個芯片厚度差異造成虛焊，提高了平面度的焊接容差性，同時，由于無基板封裝，所以也不存在LED芯片與基板之間的虛焊等不良問題，大大提高LED器件的使用可靠性，本發(fā)明的三基色LED封裝尺寸無局限，可以隨著三基色LED芯片的切割尺寸的微型化發(fā)展與貼裝設(shè)備的貼裝精度提升而同步的微型化。

附圖說明

圖1示出本發(fā)明無基板三基色LED結(jié)構(gòu)示意圖

圖2示出本發(fā)明流程圖

三基色LED芯片 1 一次塑封層 2

導(dǎo)電球 3 二次塑封層 4

電極 101

具體實施方式

實施例1

如圖1、圖2所示，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種微型無基板封裝的三基色LED，包括三基色LED芯片1、一次塑封層2、導(dǎo)電球3、二次塑封層4，所述的一次塑封層2位于三基色LED芯片1四周及頂部，所述的一次塑封層2與三基色LED芯片1固連，所述的導(dǎo)電球3位于設(shè)置在三基色LED芯片1頂部的電極101頂部，所述的導(dǎo)電球3與電極101焊接相連且與一次塑封層2固連，所述的二次塑封層4位于三基色LED芯片1底部，所述的二次塑封層4與三基色LED芯片1固連，所述的三基色LED芯片為透明襯底的雙電極LED芯片和倒裝LED芯片中的任意一種。

一種微型無基板封裝的三基色LED的封裝方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

1)芯片排布：將單個R、G、B三基色LED芯片作為獨立單元進行陣列并平放在設(shè)有粘接固定膜的平面載板上，所述的三基色LED芯片非電極所在面與平面載板貼合，所述的平面載板平面度≤0.005mm，所述的獨立單元內(nèi)R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；

2)植放導(dǎo)電球：將已經(jīng)排布好的三基色LED芯片的電極上植放導(dǎo)電球，所述的導(dǎo)電球用于導(dǎo)電，所述的導(dǎo)電球厚度為0.08mm；

3)一次塑封：采用模封工藝對已植放導(dǎo)電球的三基色LED芯片頂面及側(cè)面進行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料為耐溫不小于200℃的不透光塑封料；

4)二次塑封：先將平面載板與步驟3)制得的一次塑封芯片板分離，再將分離后的一次塑封芯片板的底面采用模封工藝進行二次塑封制得二次塑封芯片板，所述的塑封材料透光塑封料；

5)打磨：使用打磨機對步驟4)制得的二次塑封芯片板頂面進行打磨，打磨至露出三基色LED芯片電極上的導(dǎo)電球截面的2/3；

6)清洗烘干：先使用超聲波清洗機對打磨后的二次塑封芯片板進行清洗，再使用烘箱對清洗后的二次塑封芯片板進行烘干，所述的烘干溫度為-80℃,烘烤時間為30min；

7)分離：先將步驟6)處理后的二次塑封芯片板底面貼上一層粘接固定膜，再使用切割機將二次塑封芯片板上的的各個獨立單元相互分離，最后將所述的各個獨立單元從粘接固定膜上玻璃，從而制得無基板三基色LED半成品，所述的切割機不切斷粘接固定膜；

8)測試包裝：對步驟7)制得的無基板三基色LED半成品進行光電參數(shù)測試，測試合格后進行包裝制得無基板三基色LED成品。

實施例2

如圖1、圖2所示，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種微型無基板封裝的三基色LED，包括三基色LED芯片1、一次塑封層2、導(dǎo)電球3、二次塑封層4，所述的一次塑封層2位于三基色LED芯片1四周及頂部，所述的一次塑封層2與三基色LED芯片1固連，所述的導(dǎo)電球3位于設(shè)置在三基色LED芯片1頂部的電極101頂部，所述的導(dǎo)電球3與電極101焊接相連且與一次塑封層2固連，所述的二次塑封層4位于三基色LED芯片1底部，所述的二次塑封層4與三基色LED芯片1固連，所述的三基色LED芯片為透明襯底的雙電極LED芯片和倒裝LED芯片中的任意一種。

一種微型無基板封裝的三基色LED的封裝方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

1)芯片排布：將單個R、G、B三基色LED芯片作為獨立單元進行陣列并平放在設(shè)有粘接固定膜的平面載板上，所述的三基色LED芯片非電極所在面與平面載板貼合，所述的平面載板平面度≤0.005mm，所述的獨立單元內(nèi)R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；

2)植放導(dǎo)電球：將已經(jīng)排布好的三基色LED芯片的電極上植放導(dǎo)電球，所述的導(dǎo)電球用于導(dǎo)電，所述的導(dǎo)電球厚度為0.005mmmm；

3)一次塑封：采用模封工藝對已植放導(dǎo)電球的三基色LED芯片頂面及側(cè)面進行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料為耐溫不小于200℃的不透光塑封料；

4)二次塑封：先將平面載板與步驟3)制得的一次塑封芯片板分離，再將分離后的一次塑封芯片板的底面采用模封工藝進行二次塑封制得二次塑封芯片板，所述的塑封材料透光塑封料；

5)打磨：使用打磨機對步驟4)制得的二次塑封芯片板頂面進行打磨，打磨至露出三基色LED芯片電極上的導(dǎo)電球截面的1/2；

6)清洗烘干：先使用超聲波清洗機對打磨后的二次塑封芯片板進行清洗，再使用烘箱對清洗后的二次塑封芯片板進行烘干，所述的烘干溫度為50℃,烘烤時間為10min；

7)分離：先將步驟6)處理后的二次塑封芯片板底面貼上一層粘接固定膜，再使用切割機將二次塑封芯片板上的的各個獨立單元相互分離，最后將所述的各個獨立單元從粘接固定膜上玻璃，從而制得無基板三基色LED半成品，所述的切割機不切斷粘接固定膜；

8)測試包裝：對步驟7)制得的無基板三基色LED半成品進行光電參數(shù)測試，測試合格后進行包裝制得無基板三基色LED成品。

實施例3

如圖1、圖2所示，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種微型無基板封裝的三基色LED，包括三基色LED芯片1、一次塑封層2、導(dǎo)電球3、二次塑封層4，所述的一次塑封層2位于三基色LED芯片1四周及頂部，所述的一次塑封層2與三基色LED芯片1固連，所述的導(dǎo)電球3位于設(shè)置在三基色LED芯片1頂部的電極101頂部，所述的導(dǎo)電球3與電極101焊接相連且與一次塑封層2固連，所述的二次塑封層4位于三基色LED芯片1底部，所述的二次塑封層4與三基色LED芯片1固連，所述的三基色LED芯片為透明襯底的雙電極LED芯片和倒裝LED芯片中的任意一種。

一種微型無基板封裝的三基色LED的封裝方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

1)芯片排布：將單個R、G、B三基色LED芯片作為獨立單元進行陣列并平放在設(shè)有粘接固定膜的平面載板上，所述的三基色LED芯片非電極所在面與平面載板貼合，所述的平面載板平面度≤0.005mm，所述的獨立單元內(nèi)R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；

2)植放導(dǎo)電球：將已經(jīng)排布好的三基色LED芯片的電極上植放導(dǎo)電球，所述的導(dǎo)電球用于導(dǎo)電，所述的導(dǎo)電球厚度為0.0065mm；

3)一次塑封：采用模封工藝對已植放導(dǎo)電球的三基色LED芯片頂面及側(cè)面進行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料為耐溫不小于200℃的不透光塑封料；

4)二次塑封：先將平面載板與步驟3)制得的一次塑封芯片板分離，再將分離后的一次塑封芯片板的底面采用模封工藝進行二次塑封制得二次塑封芯片板，所述的塑封材料透光塑封料；

5)打磨：使用打磨機對步驟4)制得的二次塑封芯片板頂面進行打磨，打磨至露出三基色LED芯片電極上的導(dǎo)電球截面的3/5；

6)清洗烘干：先使用超聲波清洗機對打磨后的二次塑封芯片板進行清洗，再使用烘箱對清洗后的二次塑封芯片板進行烘干，所述的烘干溫度為65℃,烘烤時間為20min；

7)分離：先將步驟6)處理后的二次塑封芯片板底面貼上一層粘接固定膜，再使用切割機將二次塑封芯片板上的的各個獨立單元相互分離，最后將所述的各個獨立單元從粘接固定膜上玻璃，從而制得無基板三基色LED半成品，所述的切割機不切斷粘接固定膜；

8)測試包裝：對步驟7)制得的無基板三基色LED半成品進行光電參數(shù)測試，測試合格后進行包裝制得無基板三基色LED成品。

本發(fā)明不局限于上述具體的實施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出發(fā)，不經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動，所做出的種種變換，均落在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。