本發(fā)明涉及一種抗低劑量率輻照的雙極器件制造方法，該雙極器件具有雙層電極隔離介質(zhì)和多層鈍化結(jié)構(gòu)，屬于抗輻照半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

雙極型器件具有電流驅(qū)動(dòng)能力好、線(xiàn)性度高、噪聲低、匹配特性好等優(yōu)點(diǎn)，常用作開(kāi)關(guān)和信號(hào)放大器，廣泛應(yīng)用于空間電子設(shè)備中。

運(yùn)行在空間的雙極型器件，會(huì)受到地球帶電粒子、太陽(yáng)宇宙射線(xiàn)等各種輻射，器件性能受到很大程度的損傷。輻射會(huì)在雙極器件的Si-SiO₂界面引起正電荷的積累并引入界面態(tài)，使表面勢(shì)位增加，引起表面復(fù)合大大增加，產(chǎn)生過(guò)?；鶚O電流，導(dǎo)致電流增益急劇下降。在空間輻射環(huán)境中雙極器件的異?；蚴?，會(huì)導(dǎo)致空間電子設(shè)備的可靠性下降，甚至出現(xiàn)災(zāi)難性的事故。

在相同輻照總劑量下，相比于高劑量率輻照，低劑量率輻照對(duì)雙極型器件的性能影響更大。這是因?yàn)樵诘蛣┝柯瘦椪諘r(shí)，由于其輻射感生正電荷的產(chǎn)生速率遠(yuǎn)低于高劑量率輻照，其基區(qū)氧化層內(nèi)產(chǎn)生的亞穩(wěn)態(tài)或慢輸運(yùn)的淺氧化物陷阱電荷少，形成的空間電場(chǎng)也較弱。所以，在弱電場(chǎng)、長(zhǎng)時(shí)間的輻照下，輻射感生的正電荷有足夠的時(shí)間輸運(yùn)到Si-SiO₂界面，并與鈍化鍵反應(yīng)生成界面缺陷。因此，低劑量率輻照比高劑量率有更多的凈正氧化物電荷和界面缺陷，從而增加了過(guò)?；鶚O電流，最終造成了低劑量率輻射損傷增強(qiáng)效應(yīng)(ELDRS)的產(chǎn)生。

正是由于低劑量率輻射損傷增強(qiáng)效應(yīng)(ELDRS)的存在，現(xiàn)在空間電子設(shè)備應(yīng)用對(duì)雙極型器件輻照指標(biāo)明確規(guī)定了低劑量率的考核要求，一般要求在劑量率0.1rad(Si)/s～0.01rad(Si)/s的條件下進(jìn)行輻照考核試驗(yàn)。

雙極型器件的抗輻照能力與其設(shè)計(jì)、工藝加工方法密切相關(guān)。目前傳統(tǒng)的雙極型器件制造方法中，通常采用單層SiO₂作為電極隔離介質(zhì)，采用SiO₂+Si₃N₄作為鈍化層。傳統(tǒng)方法雖然工藝步驟簡(jiǎn)單，流片周期短，但其不足之處是：(1)作為電極隔離介質(zhì)層的SiO₂與器件的基區(qū)直接接觸，是影響器件抗低劑量率輻照能力的關(guān)鍵部位。一般來(lái)說(shuō)，為了滿(mǎn)足隔離要求，防止器件表面漏電，作為電極隔離介質(zhì)層的SiO₂需要具有一定的厚度，但是氧化層的淀積過(guò)程中，各種缺陷的產(chǎn)生原因復(fù)雜，難以監(jiān)控，并且缺陷數(shù)量會(huì)隨著氧化層厚度的增加而增加，這些缺陷會(huì)直接導(dǎo)致器件在輻照環(huán)境下失效；(2)Si₃N₄作為傳統(tǒng)的鈍化材料，具有工藝簡(jiǎn)單，對(duì)外界水汽和可動(dòng)電荷的阻擋性好等優(yōu)點(diǎn)。在制備時(shí)，由于Si₃N₄和Si存在應(yīng)力不匹配的問(wèn)題，通常會(huì)在淀積Si₃N₄前先淀積一層SiO₂。雖然Si₃N₄對(duì)外界水汽和可動(dòng)電荷的阻擋力很強(qiáng)，但是Si₃N₄對(duì)輻照時(shí)氧化層中感生的可動(dòng)電荷并不能起到固定作用，這就決定了傳統(tǒng)Si₃N₄材料的鈍化膜不具備抗輻照能力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的技術(shù)解決問(wèn)題是：克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種抗低劑量率輻照的雙極器件制造方法，大大降低了電極隔離介質(zhì)層中的總?cè)毕輸?shù)量，提高了雙極型器件的抗低劑量率輻照能力。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是：一種抗低劑量率輻照的雙極器件制造方法，包括以下步驟：

(1)以N型<111>外延片為基底材料，在所述N型<111>外延片的拋光面淀積氧化層，在淀積完氧化層的拋光面進(jìn)行三極管基區(qū)光刻，接著采用濕法腐蝕工藝露出基區(qū)注入窗口，通過(guò)該窗口為基區(qū)注入硼，對(duì)注硼后的N型<111>外延片進(jìn)行氧化推進(jìn)，在N型<111>外延片的拋光面形成三極管基區(qū)；

(2)在三極管基區(qū)進(jìn)行濃硼圖形光刻，接著采用濕法腐蝕工藝露出濃硼注入窗口，通過(guò)該窗口進(jìn)行基區(qū)接觸濃硼注入，然后進(jìn)行快速退火，形成基區(qū)接觸區(qū)；

(3)在三極管基區(qū)進(jìn)行發(fā)射區(qū)圖形光刻，接著采用濕法腐蝕工藝露出磷注入窗口，通過(guò)該窗口進(jìn)行發(fā)射區(qū)磷注入，然后進(jìn)行磷擴(kuò)散，形成發(fā)射區(qū)；

(4)對(duì)經(jīng)過(guò)步驟(3)處理后的N型<111>外延片拋光面依次淀積SiO₂和PSG，然后進(jìn)行致密，使N型<111>外延片拋光面覆蓋一層致密的雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層；

(5)在對(duì)應(yīng)于基區(qū)接觸區(qū)和發(fā)射區(qū)的雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層上形成基區(qū)和發(fā)射區(qū)金屬電極；

(6)在金屬電極以及雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層表面依次淀積SiO₂、BPSG和SiO₂，形成多層結(jié)構(gòu)鈍化膜，然后在對(duì)應(yīng)于基區(qū)和發(fā)射區(qū)金屬電極的鈍化膜上進(jìn)行光刻、刻蝕，露出基區(qū)和發(fā)射區(qū)鍵合區(qū)域；

(7)將N型<111>外延片的非拋光面進(jìn)行減?。?/p>

(8)在減薄后的非拋光面淀積金屬，形成集電區(qū)金屬電極，從而完成了具有雙層電極隔離介質(zhì)和多層鈍化結(jié)構(gòu)的抗輻照雙極器件的制造。

所述步驟(1)中N型<111>外延片的襯底厚度為450μm—525μm，外延厚度為8μm—80μm，摻雜濃度為1e14cm^-3—6e15cm^-3。

所述步驟(1)中淀積氧化層厚度為為基區(qū)注入的硼劑量為5e13cm^-2—5e14cm^-2，對(duì)注硼后的N型<111>外延片進(jìn)行氧化推進(jìn)的溫度為900℃—1200℃，時(shí)間為50min—200min。

所述步驟(2)中濃硼的注入劑量為1e15cm^-2—8e15cm^-2，快速退火的溫度為900℃—1100℃，時(shí)間為10s—30s。

所述步驟(3)中磷的注入劑量為1e16cm^-2—2e16cm^-2，磷擴(kuò)散的溫度為900℃—1100℃，時(shí)間為30min—100min。

所述步驟(4)中淀積的SiO₂厚度為PSG厚度為淀積完成后，進(jìn)行致密的溫度為800℃—900℃，時(shí)間為30min—60min。

所述步驟(5)中形成基區(qū)和發(fā)射區(qū)金屬電極的方法如下：

(7.1)在對(duì)應(yīng)于基區(qū)接觸區(qū)和發(fā)射區(qū)的雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層上進(jìn)行電極接觸孔光刻、腐蝕，形成歐姆接觸窗口；

(7.2)通過(guò)蒸發(fā)的方式在歐姆接觸窗口以及雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層表面淀積一層鋁硅銅合金，鋁硅銅合金厚度為1.0μm—5.0μm；

(7.3)在鋁硅銅合金層表面進(jìn)行電極圖形光刻、電極腐蝕，形成基區(qū)和發(fā)射區(qū)金屬電極。

所述步驟(6)中，淀積的第一層SiO₂厚度為BPSG厚度為最后淀積的一層SiO₂厚度為且BPSG中質(zhì)量比P：B＝5：3。

所述步驟(7)中減薄之后N型<111>外延片的總厚度為250μm—300μm。

所述步驟(8)中淀積的金屬依次為鈦、金，其中鈦厚度為金厚度為

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：

(1)本發(fā)明抗輻照雙極型器件制造方法中，電極隔離介質(zhì)采用PSG(磷硅玻璃)+SiO₂雙層結(jié)構(gòu)，即先淀積一層較薄的SiO₂，再淀積一層較厚的PSG。SiO₂與下層Si基結(jié)構(gòu)兼容性好，而且由于較薄，可以大大減少氧化層中的總?cè)毕輸?shù)，進(jìn)而減少輻照時(shí)氧化層中感生的正電荷。在SiO₂上再淀積一層PSG，一方面可以保證電極隔離介質(zhì)的總厚度，保證器件不會(huì)出現(xiàn)表面穿通；另一方面PSG對(duì)正電荷離子有較強(qiáng)的捕集和阻擋作用，可以阻止輻照環(huán)境下正電荷在基區(qū)表面積累引起器件性能下降；此外PSG應(yīng)力小，針孔密度低，與金屬層的兼容性好，是良好的絕緣層，保證了器件的高可靠性。

(2)本發(fā)明抗輻照雙極型器件制造方法中，鈍化層采用SiO₂+BPSG(硼磷硅玻璃)+SiO₂的多層結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)Si₃N₄鈍化膜雖然對(duì)外界環(huán)境中正電荷離子有很強(qiáng)的阻擋作用，但是對(duì)器件內(nèi)部的正電荷卻幾乎沒(méi)有固定作用。而B(niǎo)PSG鈍化膜卻可以吸收和固定器件氧化層中的正電荷，而且BPSG對(duì)正電荷離子的吸附作用比PSG還要強(qiáng)30～150倍。采用BPSG鈍化膜，正電荷離子被吸收和固定，氧化層中的正電荷數(shù)量大大減少，使三極管基區(qū)表面復(fù)合電流減少，有效提高了器件的抗輻照性能。

(3)在鈍化膜生長(zhǎng)過(guò)程中，BPSG膜下層需要淀積一層SiO₂膜，滿(mǎn)足與金屬電極的粘附性和應(yīng)力匹配；BPSG膜上層需要覆蓋一層SiO₂膜，克服了BPSG的吸潮性，能夠有效阻擋環(huán)境中濕氣和雜質(zhì)離子，提高了器件的可靠性。

(4)本發(fā)明涉及的制造方法工藝步驟簡(jiǎn)單，與目前普遍應(yīng)用的Si制造工藝兼容度高，可推廣應(yīng)用到抗總劑量最高達(dá)300Krad(Si)，最低劑量率0.01rad(Si)/s的抗輻照雙極型器件的制造中。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明抗低劑量率輻照雙極型器件制造方法流程圖；

圖2為本發(fā)明抗輻照雙極型器件外延材料示意圖；

圖3為本發(fā)明制造過(guò)程中完成基區(qū)結(jié)構(gòu)后的剖面圖；

圖4為本發(fā)明制造過(guò)程中完成基區(qū)接觸區(qū)后的剖面圖；

圖5為本發(fā)明制造過(guò)程中完成發(fā)射區(qū)后的剖面圖；

圖6為本發(fā)明制造過(guò)程中完成雙層電極隔離介質(zhì)后的剖面圖；

圖7為本發(fā)明制造過(guò)程中完成基極和發(fā)射極金屬電極后的剖面圖；

圖8為本發(fā)明制造過(guò)程中完成多層鈍化后的剖面圖；

圖9為本發(fā)明制造完成后的雙極器件剖面圖；

圖10為本發(fā)明制造的雙極型器件和傳統(tǒng)工藝雙極型器件在低劑量率輻照前后器件電流增益變化對(duì)比曲線(xiàn)。

圖中：1為N型<111>外延片，2為氧化層，3為P型基區(qū)，4為基區(qū)接觸區(qū)，5為N型發(fā)射區(qū)，6為電極隔離介質(zhì)層，7為基區(qū)金屬電極，8為發(fā)射區(qū)金屬電極，9為多層結(jié)構(gòu)鈍化膜，10為基區(qū)鍵合區(qū)，11為發(fā)射區(qū)鍵合區(qū)，12為集電區(qū)金屬電極。

具體實(shí)施方式

空間總劑量輻射會(huì)在雙極器件的Si-SiO₂界面引起正電荷的積累并引入界面態(tài)，使表面勢(shì)位增加，引起表面復(fù)合大大增加，產(chǎn)生過(guò)?；鶚O電流，導(dǎo)致電流增益急劇下降，在低劑量率輻照下還有輻照損傷增強(qiáng)效應(yīng)，導(dǎo)致雙極型器件電性能指標(biāo)下降。因此，本發(fā)明提出一種具有雙層電極隔離介質(zhì)和多層鈍化結(jié)構(gòu)的抗低劑量率輻照的雙極器件制造方法。該方法主要從兩個(gè)方面出發(fā)增加雙極型器件的抗輻照能力：一方面減少氧化層中輻照感生的正電荷總量，另一方面阻止輻照感生的正電荷在Si-SiO₂界面積累。具體實(shí)現(xiàn)思路為：電極隔離介質(zhì)采用PSG(磷硅玻璃)+SiO₂雙層結(jié)構(gòu)替代傳統(tǒng)SiO₂材質(zhì)。由于部分SiO₂由PSG替代，一方面在保證電極隔離介質(zhì)總厚度的情況下減薄了SiO₂的厚度，從而降低氧化層中的總?cè)毕輸?shù)，最終大大減少了輻照時(shí)氧化層中感生的正電荷總量；另一方面PSG對(duì)氧化層中感生的正電荷還具有很強(qiáng)的吸附作用，進(jìn)而阻止輻照時(shí)正電荷在基區(qū)表面積累，減少了基區(qū)復(fù)合電流，增強(qiáng)了器件的抗輻照能力。同時(shí)，鈍化層采用SiO₂+BPSG(硼磷硅玻璃)+SiO₂的多層結(jié)構(gòu)。BPSG鈍化膜對(duì)正電荷的捕集能力是傳統(tǒng)Si₃N₄膜的數(shù)量級(jí)倍，是PSG膜的30—150倍。SiO₂+BPSG+SiO₂的多層鈍化結(jié)構(gòu)，一方面對(duì)輻照感生的正電荷具有很強(qiáng)的固定作用，另一方面與金屬電極應(yīng)力匹配度好，對(duì)環(huán)境中濕氣和雜質(zhì)離子的阻擋能力也較強(qiáng)。

本發(fā)明涉及的制造方法工藝步驟簡(jiǎn)單，與目前普遍應(yīng)用的Si制造工藝兼容度高，可以用來(lái)制造具有抗低劑量率輻照能力的雙極型芯片。如圖1所示，本發(fā)明的具體步驟如下：

(1)以硅N型<111>外延片為基底材料，在該N<111>外延片的拋光面淀積氧化層。然后進(jìn)行三極管基區(qū)光刻，接著采用濕法腐蝕工藝露出基區(qū)注入窗口，進(jìn)行劑量為1e14cm^-2—3e14cm^-2的基區(qū)硼注入，然后在1000℃—1200℃的溫度下對(duì)注硼后的N型<111>外延片進(jìn)行60min—200min的氧化推進(jìn)，使基區(qū)有一定的結(jié)深，保證了器件擊穿電壓要求。在N型<111>外延片的拋光面形成P型基區(qū)。

(2)在三極管基區(qū)光刻濃硼圖形，接著采用濕法腐蝕工藝露出濃硼注入窗口，進(jìn)行劑量為1e15cm^-2—6e15cm^-2的基區(qū)接觸濃硼注入，然后進(jìn)行溫度為1000℃—1100℃，時(shí)間為10s—30s的快速退火，形成三極管基區(qū)接觸區(qū)?；鶇^(qū)注入的硼在經(jīng)過(guò)推進(jìn)后表面濃度會(huì)降低，基區(qū)接觸區(qū)的存在很好的彌補(bǔ)了這一點(diǎn)。濃硼接觸區(qū)可以降低基區(qū)和金屬電極的接觸電阻，從而優(yōu)化雙極型器件的飽和壓降等參數(shù)。

(3)在三極管基區(qū)進(jìn)行發(fā)射區(qū)圖形光刻，接著采用濕法腐蝕工藝露出磷注入窗口，進(jìn)行劑量為1e16cm^-2—2e16cm^-2的發(fā)射區(qū)磷注入，然后進(jìn)行溫度為900℃—1100℃，時(shí)間為30min—100min的磷擴(kuò)散，形成N型發(fā)射區(qū)。磷擴(kuò)散工藝使發(fā)射區(qū)有一定結(jié)深，保證了器件的電流增益要求。

(4)對(duì)N型<111>外延片氧化層表面和基區(qū)表面依次淀積SiO2和PSG，然后進(jìn)行致密，使步驟(3)中帶有三極管基區(qū)和發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)的N型硅外延片拋光面覆蓋一層致密的PSG+SiO₂雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層。PSG+SiO₂雙層隔離介質(zhì)一方面可以作為電極隔離，防止器件表面穿通，另一方面還具有很強(qiáng)的抗輻照能力。

(5)在對(duì)應(yīng)于基區(qū)接觸區(qū)和發(fā)射區(qū)的雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層上進(jìn)行電極接觸孔光刻、腐蝕，形成歐姆接觸窗口；通過(guò)蒸發(fā)的方式在歐姆接觸窗口以及雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層表面淀積一層鋁硅銅合金，鋁硅銅合金厚度為1.0μm—5.0μm；在鋁硅銅合金層表面進(jìn)行電極圖形光刻、電極腐蝕，形成基區(qū)和發(fā)射區(qū)金屬電極。接著進(jìn)行正面金屬淀積，然后再通過(guò)電極圖形光刻、電極腐蝕，形成基區(qū)和發(fā)射區(qū)金屬電極。

(6)在金屬電極以及雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層表面依次淀積SiO₂、BPSG和SiO₂，形成多層結(jié)構(gòu)鈍化膜，然后在對(duì)應(yīng)于基區(qū)和發(fā)射區(qū)金屬電極的鈍化膜上進(jìn)行光刻、刻蝕，露出鍵合區(qū)域。SiO₂+BPSG+SiO₂的多層鈍化結(jié)構(gòu)，一方面對(duì)輻照感生的正電荷具有很強(qiáng)的固定作用，另一方面與金屬電極應(yīng)力匹配度好，對(duì)環(huán)境中濕氣和雜質(zhì)離子的阻擋能力也較強(qiáng)，保證了器件的可靠性和穩(wěn)定性。

(7)將步驟(6)中覆蓋有多層結(jié)構(gòu)鈍化膜的N型<111>外延片的非拋光面進(jìn)行減?。?/p>

(8)在減薄后的非拋光面淀積金屬，形成集電區(qū)金屬電極，從而完成了具有雙層電極隔離介質(zhì)和多層鈍化結(jié)構(gòu)的抗輻照雙極器件的制造。

按照本發(fā)明方法制造的抗輻照雙極器件剖面結(jié)構(gòu)圖如圖9所示。基區(qū)和發(fā)射區(qū)表面的電極隔離介質(zhì)層采用PSG+SiO₂雙層結(jié)構(gòu)，其中，SiO₂處于下層，與Si外延直接接觸，PSG處于上層，覆蓋在SiO₂上。芯片鈍化膜采用SiO₂+BPSG+SiO₂的多層鈍化結(jié)構(gòu)，BPSG處于鈍化膜中間層，BPSG上層和下層分別覆蓋一層SiO₂，形成三層鈍化膜結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例

(1)材料選擇：如圖2，選取<111>晶向的N型硅外延片1為襯底材料，硅片總厚度為525μm，N型外延厚度為50um，摻雜濃度為2e14cm^-3。

(2)基區(qū)制造：如圖3，以硅N型<111>外延片1為基底材料，在該N<111>外延片的拋光面淀積氧化層2。然后進(jìn)行三極管基區(qū)光刻，接著采用濕法腐蝕工藝露出基區(qū)注入窗口，進(jìn)行劑量為1e14cm^-2的基區(qū)硼注入，然后在1200℃的溫度下對(duì)注硼后的N型<111>外延片進(jìn)行100min的氧化推進(jìn)。在N型<111>外延片的拋光面形成P型三極管基區(qū)3；

(3)濃硼接觸：如圖4，在三極管基區(qū)3的區(qū)域內(nèi)光刻濃硼圖形，采用濕法腐蝕工藝露出濃硼注入窗口，進(jìn)行劑量為4e15cm^-2的基區(qū)接觸濃硼注入，然后進(jìn)行溫度為1100℃，時(shí)間為10s的快速退火，形成三極管基區(qū)接觸區(qū)4。

(4)發(fā)射區(qū)制造：如圖5，在三極管基區(qū)3的區(qū)域內(nèi)光刻發(fā)射區(qū)圖形，采用濕法腐蝕工藝露出磷注入窗口，進(jìn)行劑量為1e16cm^-2的發(fā)射區(qū)磷注入，然后進(jìn)行溫度為1100℃，時(shí)間為60min的磷擴(kuò)散，形成三極管N型發(fā)射區(qū)5；

(5)電極隔離介質(zhì)層：如圖6，對(duì)帶有三極管基區(qū)和發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)的N型<111>外延片拋光面依次淀積SiO₂和PSG，SiO₂厚度為PSG厚度為再進(jìn)行850℃，30min的致密，形成一層致密的雙層電極隔離介質(zhì)層6；

(6)正面金屬電極：如圖7，在對(duì)應(yīng)于基區(qū)接觸區(qū)和發(fā)射區(qū)的雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層上進(jìn)行電極接觸孔光刻、腐蝕，接著進(jìn)行正面金屬鋁硅銅合金淀積，然后再通過(guò)電極圖形光刻、電極腐蝕，形成基區(qū)金屬電極7，發(fā)射區(qū)金屬電極8，基區(qū)金屬電極7，發(fā)射區(qū)金屬電極8不連通；

(7)表面鈍化：如圖8，在金屬電極以及雙層結(jié)構(gòu)電極隔離介質(zhì)層表面依次淀積SiO₂厚度BPSG厚度SiO₂厚度形成一種多層結(jié)構(gòu)鈍化膜9，然后在對(duì)應(yīng)于基區(qū)和發(fā)射區(qū)金屬電極的鈍化膜進(jìn)行光刻、刻蝕，露出基極鍵合區(qū)10，發(fā)射極鍵合區(qū)11；

(8)減薄：將N型<111>外延片從非拋光面進(jìn)行減薄，減薄后的厚度為250μm；

(9)背面金屬電極：如圖9，將減薄后的N型<111>外延片非拋光面依次淀積金屬鈦、金金屬層，其中鈦厚度為金厚度為形成集電極金屬電極12。

本發(fā)明方法制造的抗輻照雙極型晶體管，采用PSG+SiO₂雙層電極隔離介質(zhì)和SiO₂+BPSG+SiO₂的多層鈍化結(jié)構(gòu)：一方面大大降低了電極隔離介質(zhì)層中的總?cè)毕輸?shù)量；另一方面通過(guò)PSG和BPSG對(duì)正電荷的吸附性，阻止輻照環(huán)境下感生的正電荷在Si-SiO₂界面積累，減弱基區(qū)復(fù)合電流，緩解電流增益下降，進(jìn)而提高雙極型器件的抗低劑量率輻照能力。圖10為在橫向版圖相同的情況下，采用本發(fā)明方法制造的器件和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)雙極型器件，在經(jīng)過(guò)總劑量100Krad(Si)，劑量率0.01rad(Si)/s的輻照后，器件電流增益的變化情況?？梢钥吹?，采用傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)制造的雙極型器件輻照前后，10只樣品的電流增益均值由64.74下降至18.39，衰減率高達(dá)71.6％。而采用本發(fā)明方法制造的雙極型器件輻照前后，10只樣品的電流增益均值由58.67下降至42.61，衰減率僅為27.3％。表明本發(fā)明的制造方法切實(shí)可靠，制造的雙極型器件具有較強(qiáng)的抗低劑量率輻照能力。

本發(fā)明未詳細(xì)描述內(nèi)容為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知技術(shù)。