1.一種絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，包括：
第一摻雜類型的襯底；
位于所述襯底正面的正面結(jié)構(gòu)；
位于所述襯底背面的集區(qū)，所述集區(qū)包括并列設(shè)置于所述襯底背面的第一集區(qū)和至少一個第二集區(qū)；
位于所述集區(qū)背離所述襯底一側(cè)的集電極；
所述第一集區(qū)的禁帶寬度與所述襯底的禁帶寬度相同，所述第二集區(qū)的禁帶寬度高于或低于所述襯底的禁帶寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述第二集區(qū)的形成材料為第一預(yù)設(shè)材料或第二預(yù)設(shè)材料；其中，
所述第一預(yù)設(shè)材料的禁帶寬度高于所述襯底的禁帶寬度；
所述第二預(yù)設(shè)材料的禁帶寬度低于所述襯底的禁帶寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，當(dāng)所述襯底為硅襯底時，所述第一預(yù)設(shè)材料為碳化硅或非晶硅或砷化鎵；
所述第二預(yù)設(shè)材料為鍺化硅或鍺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，還包括：
位于所述集區(qū)背離所述集電極一側(cè)的緩沖層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述正面結(jié)構(gòu)包括：
位于所述襯底正面內(nèi)部的第二摻雜類型的基區(qū)；
位于所述基區(qū)內(nèi)的第一摻雜類型的發(fā)射區(qū)；
位于所述發(fā)射區(qū)表面的發(fā)射極；
位于所述襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰發(fā)射極之間；
所述柵極結(jié)構(gòu)包括：位于所述襯底表面的柵介質(zhì)層，位于所述柵介質(zhì)層表面的柵電極層，位于所述柵電極層內(nèi)的柵電極以及位于所述柵電極層表面的柵極氧化層。
6.一種絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，包括：
提供第一摻雜類型的襯底；
在所述襯底的正面形成所述絕緣柵雙極晶體管的正面結(jié)構(gòu)；
在所述襯底的背面形成并列排布的第一集區(qū)和至少一個第二集區(qū)，所述第一集區(qū)的禁帶寬度與所述襯底的禁帶寬度相同，所述第二集區(qū)的禁帶寬度高于或低于所述襯底的禁帶寬度；
在所述集區(qū)表面形成所述絕緣柵雙極晶體管的集電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底的背面形成并列排布的第一集區(qū)和至少一個第二集區(qū)包括：
在所述襯底的背面形成覆蓋所述襯底背面的第一預(yù)設(shè)材料層或第二預(yù)設(shè)材料層；
對所述第一預(yù)設(shè)材料層或第二預(yù)設(shè)材料層進(jìn)行刻蝕，形成第二集區(qū)；
在所述襯底的背面相鄰所述第二集區(qū)的區(qū)域形成第一集區(qū)；
所述第一預(yù)設(shè)材料的禁帶寬度高于所述襯底的禁帶寬度；
所述第二預(yù)設(shè)材料的禁帶寬度低于所述襯底的禁帶寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述襯底為硅襯底時，所述第一預(yù)設(shè)材料為碳化硅或非晶硅或砷化鎵；
所述第二預(yù)設(shè)材料為鍺化硅或鍺。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底的正面形成所述絕緣柵雙極晶體管的正面結(jié)構(gòu)之后，在所述襯底的背面形成并列排布的第一集區(qū)和至少一個第二集區(qū)之前還包括：
對所述襯底的背面進(jìn)行減薄處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述對所述襯底的背面進(jìn)行減薄處理之后，在所述襯底背面形成所述絕緣柵雙極晶體管的集電極之前還包括：
在所述襯底背面內(nèi)部形成緩沖層。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底的正面形成所述絕緣柵雙極晶體管的正面結(jié)構(gòu)包括：
在所述襯底表面內(nèi)形成第二摻雜類型的基區(qū)；
在所述基區(qū)內(nèi)形成第一摻雜類型的發(fā)射區(qū)；
在所述發(fā)射區(qū)的表面形成發(fā)射極；
在所述襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰發(fā)射極之間，包括：位于所述襯底表面的柵介質(zhì)層，位于所述柵介質(zhì)層表面的柵電極層，位于所述柵電極層內(nèi)的柵電極以及位于所述柵電極層表面的柵極氧化層。