技術(shù)特征：

1.一種高反射率LED電極的制備方法，其特征在于，通過電子束真空蒸發(fā)的鍍膜方式蒸鍍電極，蒸鍍電極膜層的先后順序為Ni/Al/Rh/Ti/Ni/Au。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述蒸鍍電極步驟包括：其中Ni層的厚度為鍍第一層Ni時鍍膜速率為功率為17～19％；Al層的厚度為鍍Al時鍍膜速率設(shè)為功率為35～45％；Rh層的厚度為鍍Rh時鍍膜速率為功率為25～32％；Ti層的厚度為鍍Ti時鍍膜速率為功率為3.5～4.5％；第二層Ni的厚度為鍍Ni時鍍膜速率設(shè)為功率為15～18％；最后一層Au層的厚度為鍍Au時鍍膜速率設(shè)為功率為23～28％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述蒸鍍電極步驟中，腔體壓力為1.0×10-6Torr，溫度為0℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在蒸鍍電極之前包括步驟：

A、通過PAD光刻做出電極圖形，PAD光刻采用負性光刻膠；

B、用等離子掃膠機對芯片進行掃膠處理，掃膠時氧氣流量設(shè)為22cc/min，射頻時間為55秒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在蒸鍍電極之后包括步驟：

D、采用藍膜對金屬進行剝離，金屬剝離干凈后再將芯片放入去膠劑中超聲浸泡。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述A步驟PAD光刻包括：光刻膠厚度在2.75um～2.85um之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述A步驟PAD光刻包括：采用熱板軟烤，軟烤溫度101℃～105℃之間，軟烤時間95秒～110秒之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述A步驟PAD光刻包括：采用熱板硬烤，硬烤溫度105℃～110℃，硬烤時間70秒～85秒。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的制備方法制備得到的高反射率LED電極，其特征在于，蒸鍍電極膜層從下至上依次為Ni/Al/Rh/Ti/Ni/Au。