技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：襯底，其包括第一區(qū)和第二區(qū)；第一區(qū)的襯底上的第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)；第二區(qū)的襯底上的第三柵極結(jié)構(gòu)和第四柵極結(jié)構(gòu)；第一層間絕緣膜，其位于第一區(qū)的襯底上，并且包括第一下層間絕緣膜和第一上層間絕緣膜；第二層間絕緣膜，其位于第二區(qū)的襯底上，并且包括第二下層間絕緣膜和第二上層間絕緣膜；第一接觸部分，其位于第一柵極結(jié)構(gòu)與第二柵極結(jié)構(gòu)之間和第一層間絕緣膜中；以及第二接觸部分，其形成在第三柵極結(jié)構(gòu)與第四柵極結(jié)構(gòu)之間，并且位于第二層間絕緣膜中。

技術(shù)研發(fā)人員：金成洙;樸起寬;崔正憲;柳庚玟;李宣姃
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.26
技術(shù)公布日：2017.07.21