本發(fā)明涉及電子部件及其制造方法，更具體地涉及具備線圈的電子部件及其制造方法。

背景技術(shù)：

作為以往的電子部件，例如已知有專利文獻1所記載的電子部件。圖10A是專利文獻1所記載的電子部件510的外觀立體圖。

電子部件510具備磁性體基板512a、512b、層疊體514、外部電極515a、連接部516a、引出部521a、521b以及線圈L501。磁性體基板512b、層疊體514以及磁性體基板512a從上側(cè)向下側(cè)按該順序?qū)盈B。線圈L501設(shè)置在層疊體514內(nèi)。引出部521a、521b設(shè)置于層疊體514的棱線缺損的部分，通過相互連接而上下延伸。線圈L501的一端與引出部521a連接。另外，連接部516a設(shè)置于磁性體基板512a的棱線缺損的部分，在其上端與引出部521b連接。外部電極515a設(shè)置于磁性體基板512a的底面，并與連接部516a連接。

專利文獻1：國際公開2013/031880號公報

然而，在以上那樣構(gòu)成的電子部件500中，如以下說明那樣，存在引出部521a、521b從層疊體514脫落的可能性。圖10B是引出部521a、521b附近的剖面構(gòu)造圖。

本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn)存在由于以下的理由，引出部521a、521b從層疊體514脫落的情況。更加詳細(xì)而言，如圖10B所示，引出部521b直接形成在磁性體基板512a的上表面。磁性體基板512a比較硬。因此，引出部521b相對于磁性體基板512a的緊貼性比較低。因此，在用于將母基板分割為多個磁性體基板512a、512b的切割工序以及劃線工序中若沖擊施加至電子部件510，則在引出部521b與磁性體基板512a之間產(chǎn)生剝離，存在引出部521a、521b從層疊體514脫落的可能性。在此，對切割工序以及劃線工序中的沖擊作為引出部521a、521b的脫落的原因進行了說明，除此而外，存在電子部件500下落時的沖擊等也成為引出部521a、521b的脫落的原因的可能性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制設(shè)置于陶瓷基板上的層疊體的中繼導(dǎo)體從層疊體脫落的電子部件及其制造方法。

本發(fā)明的一方式所涉及的電子部件的特征在于，具備：第一陶瓷基板，其具有位于層疊方向的一側(cè)的長方形形狀的第一主表面以及位于該層疊方向的另一側(cè)的長方形形狀的第二主表面；層疊體，其由多個絕緣體層構(gòu)成，該多個絕緣體層是由包括樹脂或者玻璃的材料構(gòu)成的長方形形狀的多個絕緣體層，并在上述第一主表面上沿上述層疊方向?qū)盈B；第一線圈，其設(shè)置于上述層疊體；第一中繼導(dǎo)體，其設(shè)置于上述層疊體，并且與上述第一線圈電連接；以及第一外部電極，其設(shè)置于上述第一陶瓷基板的表面，并且與上述第一中繼導(dǎo)體電連接，上述多個絕緣體層包括呈第一角因第一切口部而缺損的形狀的1個以上的第一絕緣體層，上述第一中繼導(dǎo)體設(shè)置于上述第一切口部，上述多個絕緣體層包括從上述層疊方向的另一側(cè)與上述第一中繼導(dǎo)體接觸的第二絕緣體層。

上述電子部件的制造方法的特征在于，該上述電子部件的制造方法具備：第一工序，在排列了多個上述第一陶瓷基板的第一母基板的上述第一主表面上通過包括玻璃的材料形成應(yīng)成為上述多個絕緣體層的多個膏層，并且形成應(yīng)成為上述第一線圈的線圈導(dǎo)體層以及應(yīng)成為上述第一中繼導(dǎo)體的中繼導(dǎo)體層，形成排列了未燒制的多個上述層疊體的母層疊體；以及第二工序，燒制上述母層疊體。

根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制設(shè)置于陶瓷基板上的層疊體的中繼導(dǎo)體從層疊體脫落。

附圖說明

圖1是一實施方式所涉及的電子部件10的外觀立體圖。

圖2是圖1的電子部件10的分解立體圖。

圖3A是從上側(cè)觀察線圈導(dǎo)體層25以及絕緣體層18c的圖。

圖3B是圖3A的X-X的剖面構(gòu)造圖。

圖3C是從上側(cè)觀察中繼導(dǎo)體層26b的圖。

圖3D是圖3A的Y-Y的剖面構(gòu)造圖。

圖4A是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖4B是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖4C是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖5A是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖5B是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖5C是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖6A是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖6B是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖6C是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖6D是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖7A是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖7B是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖7C是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖7D是電子部件10的制造時的工序剖面圖。

圖8是貫通孔形成時的工序剖面圖。

圖9A是變形例所涉及的電子部件10a的外觀立體圖。

圖9B是變形例所涉及的電子部件10a的剖面構(gòu)造圖。

圖10A是專利文獻1所記載的電子部件510的外觀立體圖。

圖10B是引出部521a、521b附近的剖面構(gòu)造圖。

具體實施方式

以下，對本發(fā)明的實施方式所涉及的電子部件及其制造方法進行說明。

(電子部件的構(gòu)成)

首先，參照附圖對本發(fā)明的一實施方式所涉及的電子部件的構(gòu)成進行說明。圖1是一實施方式所涉及的電子部件10的外觀立體圖。圖2是圖1的電子部件10的分解立體圖。圖3A是從上側(cè)觀察線圈導(dǎo)體層25以及絕緣體層18c的圖。圖3B是圖3A的X-X的剖面構(gòu)造圖。圖3C是從上側(cè)觀察中繼導(dǎo)體層26b的圖。圖3D是圖3A的Y-Y的剖面構(gòu)造圖。以下，將電子部件10的層疊方向定義為上下方向，將在從上側(cè)觀察時，電子部件10的長邊延伸的方向定義為左右方向，將在從上側(cè)觀察時，電子部件10的短邊延伸的方向定義為前后方向。上下方向、左右方向以及前后方向相互正交。

如圖1以及圖2所示，電子部件10具備磁性體基板12a、12b、層疊體14、外部電極15a～15d、有機系粘合劑層19、中繼導(dǎo)體21、22、26、27、以及線圈L1、L2。

磁性體基板12a(第一陶瓷基板的一個例子)呈具有長方形形狀的主表面S1、S2的長方體狀。主表面S1(第一主表面的一個例子)是位于上側(cè)(層疊方向的一側(cè)的一個例子)的主表面，主表面S2(第二主表面的一個例子)是位于下側(cè)(層疊方向的另一側(cè)的一個例子)的主表面。其中，磁性體基板12a如下述那樣，呈連接主表面S1、S2的4根棱線因切口部Ca～Cd(第二切口部的一個例子)而缺損的形狀。應(yīng)予說明，長方形形狀是即包括正方形形狀，也包括長方形形狀的角被切口的形狀的概念。

磁性體基板12a的材料是磁性體材料。在本實施方式中，磁性體基板12a通過切削出燒制完畢的鐵氧體陶瓷來制作。另外，磁性體基板12a可以通過將由鐵氧體預(yù)燒粉末以及粘合劑構(gòu)成的膏涂敷于鋁等陶瓷基板并進行燒制來制作，也可以通過層疊以及燒制鐵氧體材料的生片來制作。

層疊體14包括絕緣體層18a～18c(多個絕緣體層的一個例子)，從上側(cè)觀察時呈長方形形狀。角C1是層疊體14的左后側(cè)的角。角C2是層疊體14的左前側(cè)的角。角C3是層疊體14的右后側(cè)的角。角C4是層疊體14的右前側(cè)的角。其中，由于層疊體14的絕緣體層18a～18c的角缺損，因此角C1～C4是虛擬的角。

絕緣體層18a～18c在主表面S1上層疊為從上側(cè)向下側(cè)按該順序排列，具有與主表面S1大致相同的大小以及形狀。其中，絕緣體層18a(第四絕緣體層的一個例子)呈角C2、C4(角C4為第二角的一個例子)分別因切口部c1、c3(切口部c3為第三切口部的一個例子)而缺損的形狀。絕緣體層18b(第一絕緣體層、第四絕緣體層以及第五絕緣體層的一個例子)呈角C1～C4(角C3為第一角的一個例子、角C4為第二角的一個例子、角C1為第三角的一個例子)分別因切口部c2、c4～c6(切口部c6為第一切口部的一個例子、切口部c4為第三切口部的一個例子、切口部c5為第四切口部的一個例子)而缺損的形狀。切口部c1～c6是在從上側(cè)觀察時，相對于電子部件10的長方形形狀的上表面，絕緣體層18a、18b缺損的等腰直角三角形狀的部分。如上所述，絕緣體層18a～18c包括呈角C2、C4因切口部c1、c3而缺損的形狀的絕緣體層18a(第四絕緣體層的一個例子)、以及呈角C1～C4因切口部c2、c4～c6而缺損的形狀的絕緣體層18b(第一絕緣體層、第四絕緣體層以及第五絕緣體層的一個例子)。

另外，在絕緣體層18c的角C1～C4也設(shè)置有切口部ca～cd，但切口部ca～cd是因下述的切口部Ca～Cd而形成的切口部，與切口部c1～c6不同。因此，絕緣體層18c的切口部ca～cd的形狀不是等腰直角三角形狀，而是中心角為90度的扇形。

并且，在絕緣體層18a設(shè)置有沿上下方向貫通的通孔H1、H2。在絕緣體層18b設(shè)置有沿上下方向貫通的通孔H3。通孔H3和通孔H2相連。

以上那樣的絕緣體層18a～18c通過聚酰亞胺來制作。另外，絕緣體層18a～18c也可以通過包括苯并環(huán)丁烯等絕緣性樹脂的材料來制作，優(yōu)選通過以絕緣性樹脂為主要成分的材料來制作。以下，將絕緣體層18a～18c的上側(cè)的主表面稱作表面，將絕緣體層18a～18c的下側(cè)的主表面稱作背面。

磁性體基板12b(第二陶瓷基板的一個例子)呈長方體狀，跟磁性體基板12a一同從上下方向夾著層疊體14。即，磁性體基板12b重疊在層疊體14的上側(cè)。磁性體基板12b的材料是磁性體材料。在本實施方式中，磁性體基板12b通過切削出燒制完畢的鐵氧體陶瓷來制作。另外，磁性體基板12b也可以通過將由鐵氧體預(yù)燒粉末以及粘合劑構(gòu)成的膏涂敷于鋁等陶瓷基板并進行燒制來制作，還可以通過層疊以及燒制鐵氧體材料的生片來制作。

有機系粘合劑層19將磁性體基板12b與層疊體14接合。

線圈L1(第二線圈的一個例子)設(shè)置在層疊體14內(nèi)，包括線圈導(dǎo)體層20以及引出導(dǎo)體30、32。線圈導(dǎo)體層20設(shè)置在絕緣體層18b的表面上，在從上側(cè)觀察時呈順時針旋回并且向中心靠近的漩渦狀。線圈導(dǎo)體層20的中心在從上側(cè)觀察時與電子部件10的中心(對角線交點)大致一致。

引出導(dǎo)體30設(shè)置在絕緣體層18b的表面上，從線圈導(dǎo)體層20的外側(cè)的端部朝向左側(cè)延伸，被引出至絕緣體層18b的左后側(cè)的角C1。因此，引出導(dǎo)體30在從上側(cè)觀察時不呈漩渦狀。因此，如圖2的放大圖所示，線圈導(dǎo)體層20與引出導(dǎo)體30的邊界是引出導(dǎo)體30從線圈導(dǎo)體層20形成的漩渦狀的軌跡脫離的位置。應(yīng)予說明，對于線圈導(dǎo)體層25(下述)與引出導(dǎo)體34(下述)的邊界，也和線圈導(dǎo)體層20與引出導(dǎo)體30的邊界相同。

引出導(dǎo)體32設(shè)置在絕緣體層18a的表面上以及通孔H1內(nèi)。引出導(dǎo)體32的后側(cè)的端部通過經(jīng)由通孔H1沿上下方向貫通絕緣體層18a，與線圈導(dǎo)體層20的內(nèi)側(cè)的端部連接。另外，引出導(dǎo)體32在絕緣體層18a的表面上從通孔H1朝向左前側(cè)延伸，被引出至絕緣體層18a的左前側(cè)的角C2。因此，引出導(dǎo)體32在從上側(cè)觀察時不呈漩渦狀。

中繼導(dǎo)體21(第三中繼導(dǎo)體的一個例子)與線圈L1電連接，設(shè)置于切口部c5(即角C1)。更加詳細(xì)而言，中繼導(dǎo)體21在從上側(cè)觀察時呈與切口部c5一致的等腰直角三角形狀，包括中繼導(dǎo)體層21a、21b。中繼導(dǎo)體層21a、21b從上側(cè)向下側(cè)按該順序連接，在從上側(cè)觀察時呈相同的形狀。

中繼導(dǎo)體層21a設(shè)置在切口部c5內(nèi)，是在從絕緣體層18b的表面至絕緣體層18c的表面之間沿上下方向延伸的等腰直角三角形狀的導(dǎo)體層。其中，中繼導(dǎo)體層21a從絕緣體層18b的表面向上側(cè)突出1層的厚度。并且，中繼導(dǎo)體層21a與引出導(dǎo)體30的左側(cè)的端部連接，在從上側(cè)觀察時與引出導(dǎo)體30的左側(cè)的端部組合而呈正方形形狀。由此，中繼導(dǎo)體21與線圈導(dǎo)體層20的外側(cè)的端部電連接。中繼導(dǎo)體層21b是設(shè)置在絕緣體層18c的表面上的等腰直角三角形狀的導(dǎo)體層。其中，中繼導(dǎo)體層21b不位于設(shè)置在絕緣體層18c的切口部ca內(nèi)。

中繼導(dǎo)體22與線圈L1電連接，設(shè)置于切口部c1、c2(即角C2)。更加詳細(xì)而言，中繼導(dǎo)體22在從上側(cè)觀察時呈與切口部c1、c2一致的等腰直角三角形狀，包括中繼導(dǎo)體層22a～22c。中繼導(dǎo)體層22a～22c從上側(cè)向下側(cè)按該順序連接，在從上側(cè)觀察時呈相同的形狀。

中繼導(dǎo)體層22a設(shè)置在切口部c1內(nèi)，是在從絕緣體層18a的表面至絕緣體層18b的表面之間沿上下方向延伸的等腰直角三角形狀的導(dǎo)體層。其中，中繼導(dǎo)體層22a從絕緣體層18a的表面向上側(cè)突出1層的厚度。并且，中繼導(dǎo)體層22a與引出導(dǎo)體32的左前側(cè)的端部連接，在從上側(cè)觀察時與引出導(dǎo)體32的左前側(cè)的端部組合而呈正方形形狀。由此，中繼導(dǎo)體22與線圈導(dǎo)體層20的內(nèi)側(cè)的端部電連接。中繼導(dǎo)體層22b設(shè)置在切口部c2內(nèi)，是在從絕緣體層18b的表面至絕緣體層18c的表面之間沿上下方向延伸的等腰直角三角形狀的導(dǎo)體層。中繼導(dǎo)體層22c是設(shè)置于絕緣體層18c的表面的等腰直角三角形狀的導(dǎo)體層。其中，中繼導(dǎo)體層22c不位于設(shè)置在絕緣體層18c的切口部cb內(nèi)。

線圈L2(第一線圈的一個例子)設(shè)置在層疊體14內(nèi)，包括線圈導(dǎo)體層25以及引出導(dǎo)體34、36a、36b。線圈導(dǎo)體層25設(shè)置在絕緣體層18c的表面上，在從上側(cè)觀察時呈順時針旋回并且向中心靠近的漩渦狀。即，線圈導(dǎo)體層25向與線圈導(dǎo)體層20相同的方向旋回。線圈導(dǎo)體層25的中心在從上側(cè)觀察時與電子部件10的中心(對角線交點)大致一致。因而，線圈導(dǎo)體層25在從上側(cè)觀察時與線圈導(dǎo)體層20重疊。并且，線圈導(dǎo)體層25設(shè)置于比線圈導(dǎo)體層20靠下側(cè)處。由此，線圈L2與線圈L1磁耦合，跟線圈L1一同構(gòu)成共模扼流線圈。

引出導(dǎo)體34設(shè)置在絕緣體層18c的表面上，從線圈導(dǎo)體層25的外側(cè)的端部向后側(cè)延伸，被引出至絕緣體層18c的右后側(cè)的角C3。因此，引出導(dǎo)體34在從上側(cè)觀察時不呈漩渦狀。

引出導(dǎo)體36a設(shè)置在通孔H3內(nèi)。引出導(dǎo)體36a是通過經(jīng)由通孔H3沿上下方向貫通絕緣體層18b來與線圈導(dǎo)體層25的內(nèi)側(cè)的端部連接的四邊形狀的導(dǎo)體。

引出導(dǎo)體36b設(shè)置在絕緣體層18a的表面上以及通孔H2內(nèi)。引出導(dǎo)體36b的左后側(cè)的端部通過經(jīng)由通孔H2沿上下方向貫通絕緣體層18a來與引出導(dǎo)體36a連接。另外，引出導(dǎo)體36b在絕緣體層18a的表面上從通孔H2朝向右前側(cè)延伸，被引出至絕緣體層18a的右前側(cè)的角C4。因此，引出導(dǎo)體36b在從上側(cè)觀察時不呈漩渦狀。

中繼導(dǎo)體26(第一中繼導(dǎo)體的一個例子)與線圈L2電連接，設(shè)置于切口部c6(即角C3)。更加詳細(xì)而言，中繼導(dǎo)體26在從上側(cè)觀察時呈與切口部c6一致的等腰直角三角形狀，包括中繼導(dǎo)體層26a、26b。中繼導(dǎo)體層26a、26b從上側(cè)向下側(cè)按該順序連接，在從上側(cè)觀察時呈相同的形狀。

中繼導(dǎo)體層26a設(shè)置在切口部c6內(nèi)，是在從絕緣體層18b的表面至絕緣體層18c的表面之間沿上下方向延伸的等腰直角三角形狀的導(dǎo)體層。其中，中繼導(dǎo)體層26a從絕緣體層18b的表面向上側(cè)突出1層的厚度。中繼導(dǎo)體層26b是設(shè)置在絕緣體層18c的表面上的等腰直角三角形狀的導(dǎo)體層。其中，中繼導(dǎo)體層26b不位于設(shè)置在絕緣體層18c的切口部cc內(nèi)。并且，中繼導(dǎo)體層26b從絕緣體層18c的表面向上側(cè)突出1層的厚度。并且，中繼導(dǎo)體層26b與引出導(dǎo)體34的后側(cè)的端部連接，在從上側(cè)觀察時與引出導(dǎo)體34的后側(cè)的端部組合而呈正方形形狀。由此，中繼導(dǎo)體26與線圈導(dǎo)體層25的外側(cè)的端部電連接。

中繼導(dǎo)體27(第二中繼導(dǎo)體的一個例子)與線圈L2電連接，設(shè)置于切口部c3、c4(即角C4)。更加詳細(xì)而言，中繼導(dǎo)體27在從上側(cè)觀察時呈與切口部c3、c4一致的等腰直角三角形狀，包括中繼導(dǎo)體層27a～27c。中繼導(dǎo)體層27a～27c從上側(cè)向下側(cè)按該順序連接，在從上側(cè)觀察時呈相同的形狀。

中繼導(dǎo)體層27a設(shè)置在切口部c3內(nèi)，是在從絕緣體層18a的表面至絕緣體層18b的表面之間沿上下方向延伸的等腰直角三角形狀的導(dǎo)體層。其中，中繼導(dǎo)體層27a從絕緣體層18a的表面向上側(cè)突出1層的厚度。并且，中繼導(dǎo)體層27a與引出導(dǎo)體36b的右前側(cè)的端部連接，在從上側(cè)觀察時與引出導(dǎo)體36b的右前側(cè)的端部組合而呈正方形形狀。由此，中繼導(dǎo)體27與線圈導(dǎo)體層25的內(nèi)側(cè)的端部電連接。中繼導(dǎo)體層27b設(shè)置在切口部c4內(nèi)，是在從絕緣體層18b的表面至絕緣體層18c的表面之間沿上下方向延伸的等腰直角三角形狀的導(dǎo)體層。中繼導(dǎo)體層27c是設(shè)置在絕緣體層18c的表面的等腰直角三角形狀的導(dǎo)體層。其中，中繼導(dǎo)體層27c不位于設(shè)置在絕緣體層18c的切口部cd內(nèi)。

線圈L1、L2以及中繼導(dǎo)體21、22、26、27例如通過利用濺射法形成Ag膜來制作。另外，線圈L1、L2以及中繼導(dǎo)體21、22、26、27也可以通過Cu、Au等導(dǎo)電性較高的材料來制作。

在此，對切口部Ca～Cd進行說明。磁性體基板12a在從上側(cè)觀察時呈與中繼導(dǎo)體21、22、26、27重疊的棱線分別因切口部Ca、Cb、Cc、Cd(第二切口部的一個例子)而缺損的形狀。切口部Ca～Cd是長方體與磁性體基板12a的相減的空間。切口部Ca是通過切削磁性體基板12a的左后側(cè)的棱線而形成的空間。切口部Cb是通過切削磁性體基板12a的左前側(cè)的棱線而形成的空間。切口部Cc是通過切削磁性體基板12a的右后側(cè)的棱線而形成的空間。切口部Cd是通過切削磁性體基板12a的右前側(cè)的棱線而形成的空間。以下，以切口部Cc為例進行說明。應(yīng)予說明，切口部Ca、Cb、Cd、ca、cb、cd與切口部Cc、cc相同，因此省略說明。

如圖3B所示，沿磁性體基板12a沿上下方向延伸的棱線附近從主表面S2向主表面S1切削成朝向上側(cè)較尖的吊鐘狀(穹頂狀)。因此，從上側(cè)觀察切口部Cc時的面積隨著從主表面S2靠近主表面S1(隨著朝向上側(cè))而變小。切口部Cc在從上側(cè)觀察時呈中心角為90度的扇形。并且，如圖3B所示，形成切口部Cc的內(nèi)周面相對于主表面S2呈鈍角θ。應(yīng)予說明，連接部16c覆蓋切口部Cc的內(nèi)周面，不填埋切口部Cc。因此，在圖3B中，未在切口部Cc內(nèi)實施表示連接部16c的陰影線。其中，由于在圖3B的剖面的里面看得見連接部16c，因此在未實施陰影線的部分標(biāo)注了引出線。

另外，如圖3B所示，切口部Cc到達層疊體14，使絕緣體層18c的角C3形成切口。因此，在絕緣體層18c的角C3設(shè)置有中心角為90度的扇形的切口部cc。切口部cc是在從上側(cè)觀察時呈長方形形狀的電子部件10的上表面與絕緣體層18c的相減的區(qū)域。這樣，通過切口部Cc到達層疊體14，如圖3B所示，中繼導(dǎo)體層26b在切口部Cc內(nèi)露出而構(gòu)成切口部Cc的內(nèi)周面的一部分。

在此，如圖3C所示，切口部cc在從上側(cè)觀察時收斂在中繼導(dǎo)體層26b內(nèi)。即，如圖3C所示，中繼導(dǎo)體層26b在從上側(cè)觀察時從切口部cc凸出。因此，如圖3B所示，絕緣體層18c(第二絕緣體層的一個例子)在中繼導(dǎo)體層26b從切口部cc凸出的部分(圖3B的Y區(qū)域)與中繼導(dǎo)體層26b從下側(cè)接觸。即，絕緣體層18c與中繼導(dǎo)體層26b從切口部cc凸出的部分的下表面接觸。因而，中繼導(dǎo)體層26b不與磁性體基板12a接觸。應(yīng)予說明，中繼導(dǎo)體層26b的一部分也可以與磁性體基板12a接觸，但優(yōu)選中繼導(dǎo)體層26b不與磁性體基板12a接觸。另外，絕緣體層18c與中繼導(dǎo)體層21b、22c、27c也從切口部ca、cb、cd凸出的部分的下表面接觸(在此不進行詳述)。

外部電極15a～15d(外部電極15c為第一外部電極的一個例子、外部電極15d為第二外部電極的一個例子、外部電極15a為第三外部電極的一個例子)分別設(shè)置于磁性體基板12a的表面，并且與中繼導(dǎo)體21、22、26、27電連接。在本實施方式中，外部電極15a～15d分別與中繼導(dǎo)體21、22、26、27的下端連接。外部電極15a～15d分別包括連接部16a～16d以及底面部17a～17d。

底面部17a是在主表面S2設(shè)置于左后側(cè)的角附近的長方形形狀的導(dǎo)體層。連接部16a通過設(shè)置為覆蓋切口部Ca的內(nèi)周面而與中繼導(dǎo)體21以及底面部17a連接。底面部17b是在主表面S2設(shè)置于左前側(cè)的角附近的長方形形狀的導(dǎo)體層。連接部16b通過設(shè)置為覆蓋切口部Cb的內(nèi)周面而與中繼導(dǎo)體21以及底面部17b連接。底面部17c是在主表面S2設(shè)置于右后側(cè)的角附近的長方形形狀的導(dǎo)體層。連接部16c通過設(shè)置為覆蓋切口部Cc的內(nèi)周面而與中繼導(dǎo)體21以及底面部17c連接。底面部17d是在主表面S2設(shè)置于右前側(cè)的角附近的長方形形狀的導(dǎo)體層。連接部16d通過設(shè)置為覆蓋切口部Cd的內(nèi)周面而與中繼導(dǎo)體21以及底面部17d連接。

在此，參照附圖對線圈導(dǎo)體層25、中繼導(dǎo)體21、22、26、27以及連接部16a～16d的位置關(guān)系進行說明。

如圖3A以及圖3D所示，線圈導(dǎo)體層25與連接部16d的最短距離D1比線圈導(dǎo)體層25與中繼導(dǎo)體27的最短距離D2長。另外，雖未圖示，但線圈導(dǎo)體層25與連接部16a的最短距離D1比線圈導(dǎo)體層25與中繼導(dǎo)體21的最短距離D2長。線圈導(dǎo)體層25與連接部16b的最短距離D1比線圈導(dǎo)體層25與中繼導(dǎo)體22的最短距離D2長。另外，同樣，線圈導(dǎo)體層25與連接部16a～16c的最短距離D1分別比線圈導(dǎo)體層25與中繼導(dǎo)體21、22、26的最短距離D2長。

另外，如圖3B所示，連接部16a～16d(連接部16a、16b、16d未圖示)在從上側(cè)觀察時不與線圈導(dǎo)體層20、25重疊。

底面部17a～17d通過利用濺射法重疊形成Au膜、Ni膜、Cu膜、Ti膜來制作。應(yīng)予說明，底面部17a～17d也可以通過印刷以及燒結(jié)含有Ag、Cu等金屬的膏來制作，還可以通過利用蒸鍍、鍍敷方法形成Ag、Cu等來制作。連接部16a～16d通過利用鍍敷方法形成以Cu為主要成分的導(dǎo)體膜來制作。應(yīng)予說明，連接部16a～16d也可以通過Ag、Au等導(dǎo)電性較高的材料來制作。

以下對如上所述那樣構(gòu)成的電子部件10的動作進行說明。外部電極15a、15c例如用作輸入端子。外部電極15b、15d例如作為輸出端子使用。

向外部電極15a、15c分別輸入由相位相差180度的第一信號以及第二信號構(gòu)成的差動傳輸信號。由于第一信號以及第二信號是差分模式，因此，在通過線圈L1、L2時使線圈L1、L2產(chǎn)生相互反向的磁通量。并且，在線圈L1產(chǎn)生的磁通量與在線圈L2產(chǎn)生的磁通量相互抵消。因此，在線圈L1、L2內(nèi)幾乎不產(chǎn)生由第一信號以及第二信號流動引起的磁通量的增減。即，線圈L1、L2不產(chǎn)生妨礙第一信號以及第二信號流動的反電動勢。因而，電子部件10對于第一信號以及第二信號僅具有非常小的阻抗。

另一方面，在第一信號以及第二信號包括共模噪聲的情況下，共模噪聲在通過線圈L1、L2時使線圈L1、L2產(chǎn)生相同的方向的磁通量。因此，在線圈L1、L2內(nèi)，由于共模噪聲流動而導(dǎo)致磁通量增加。由此，線圈L1、L2產(chǎn)生妨礙共模噪聲流動的反電動勢。因而，電子部件10對于第一信號以及第二信號具有較大的阻抗。

(電子部件的制造方法)

以下，參照附圖對電子部件10的制造方法進行說明。圖4A至圖7D是電子部件10的制造時的工序剖面圖。圖8是貫通孔形成時的工序剖面圖。

首先，準(zhǔn)備由母基板112a(參照圖4A，第一母基板的一個例子)和母基板112b(參照圖4A)夾著母層疊體114(參照圖4A)而成的母主體110。母基板112a、112b分別是多個磁性體基板12a、12b在前后方向以及左右方向排列成矩陣狀而成的大尺寸的基板。母層疊體114是多個層疊體14在前后方向以及左右方向排列成矩陣狀而成的大尺寸的層疊體。

具體而言，在燒制完畢的母基板112a的主表面S1的整個面涂覆作為感光性樹脂的聚酰亞胺樹脂來形成未固化的樹脂層。接下來，在對未固化的樹脂層進行曝光后進行加熱。由此，未固化的樹脂層固化而在主表面S1上形成絕緣體層18c。

接下來，通過濺射法在絕緣體層18c上形成Ag膜。接下來，在Ag膜中的形成線圈導(dǎo)體層25、中繼導(dǎo)體層21b、22c、26b、27c(成為中繼導(dǎo)體的一部分的第一中繼導(dǎo)體層的一個例子)以及引出導(dǎo)體34的部分上形成光致抗蝕劑。然后，通過蝕刻法去除形成線圈導(dǎo)體層25、中繼導(dǎo)體層21b、22c、26b、27c以及引出導(dǎo)體34的部分(即被光致抗蝕劑覆蓋的部分)以外的Ag膜。然后，通過有機溶劑去除光致抗蝕劑。由此，線圈導(dǎo)體層25、中繼導(dǎo)體層21b、22c、26b、27c以及引出導(dǎo)體34形成在絕緣體層18c上。

接下來，在絕緣體層18c的整個面上涂覆作為感光性樹脂的聚酰亞胺樹脂來形成未固化的樹脂層。對與絕緣體層18b的切口部c2、c4～c6以及通孔H3對應(yīng)的位置進行遮光，針對未固化的樹脂層進行曝光。由此，未被遮光的部分的未固化的樹脂層固化。然后，通過有機溶劑去除光致抗蝕劑，并且進行顯影，去除未固化的樹脂層。并且，通過對剩余的樹脂層進行加熱而使剩余的樹脂層熱固化。由此，形成絕緣體層18b。

接下來，通過濺射法在絕緣體層18b上形成Ag膜。接下來，在Ag膜中的形成線圈導(dǎo)體層20、中繼導(dǎo)體層21a、22b、26a、27b以及引出導(dǎo)體30、36a的部分上形成光致抗蝕劑。然后，通過蝕刻法去除形成線圈導(dǎo)體層20、中繼導(dǎo)體層21a、22b、26a、27b以及引出導(dǎo)體30、36a的部分(即被光致抗蝕劑覆蓋的部分)以外的Ag膜。然后，通過利用有機溶劑去除光致抗蝕劑，形成線圈導(dǎo)體層20、中繼導(dǎo)體層21a、22b、26a、27b以及引出導(dǎo)體30、36a。

接下來，對絕緣體層18b的整個面涂覆作為感光性樹脂的聚酰亞胺樹脂來形成未固化的樹脂層。對與絕緣體層18a的切口部c1、c3以及通孔H1、H2對應(yīng)的位置進行遮光，針對未固化的樹脂層進行曝光。由此，未被遮光的部分的未固化的樹脂層固化。然后，通過有機溶劑去除光致抗蝕劑，并且進行顯影，去除未固化的樹脂層。并且，通過加熱剩余的樹脂層，使剩余的樹脂層熱固化。由此，形成絕緣體層18a。

接下來，通過濺射法在絕緣體層18a上形成Ag膜。接下來，在Ag膜中的形成中繼導(dǎo)體層22a、27a以及引出導(dǎo)體32、36b的部分上形成光致抗蝕劑。然后，通過蝕刻法去除形成中繼導(dǎo)體層22a、27a以及引出導(dǎo)體32、36b的部分(即被光致抗蝕劑覆蓋的部分)以外的Ag膜。然后，通過利用有機溶劑去除光致抗蝕劑來形成中繼導(dǎo)體層22a、27a以及引出導(dǎo)體32、36b。通過以上的工序，完成母層疊體114。

接下來，通過有機系粘合劑層19在母層疊體114上粘合母基板112b。由此，能夠得到圖4A所示的母主體110。

接下來，如圖4B所示，對母基板112a的下側(cè)的主表面進行磨削或者研磨。

接下來，如圖4C所示，進行母層疊體114內(nèi)的線圈L1、L2的位置對齊，在母基板112a的下側(cè)的主表面上形成光致抗蝕劑M1。光致抗蝕劑M1在形成切口部Ca～Cd的區(qū)域具有開口。

接下來，如圖5A所示，經(jīng)由光致抗蝕劑M1通過噴砂法針對母基板112a在應(yīng)形成切口部Ca～Cd的位置形成貫通孔(第三工序的一個例子)。如圖8所示，貫通孔在從上側(cè)觀察時貫通母基板112a以及絕緣體層18c中的與中繼導(dǎo)體層21b、22c、26b、27c重疊的部分。由此，在中繼導(dǎo)體21、22、26、27的各中繼導(dǎo)體中位于最下側(cè)的中繼導(dǎo)體層21b、22c、26b、27c的下側(cè)的面的一部分在貫通孔(切口部Ca～Cd)露出。應(yīng)予說明，貫通孔除可以通過噴砂法形成以外，也可以通過激光加工法來形成，還可以通過噴砂法以及激光加工法的組合來形成。

接下來，如圖5B所示，通過有機溶劑去除光致抗蝕劑M1。

接下來，如圖5C所示，針對母主體110的下側(cè)的主表面的整個面，通過濺射法按以下順序形成Ti薄膜150以及Cu薄膜152。

接下來，如圖6A所示，將Ti薄膜150以及Cu薄膜152作為供電膜使用，并通過電場鍍敷方法形成鍍Cu膜154。

接下來，如圖6B所示，通過濕式蝕刻、磨削、研磨、CMP等，去除形成在貫通孔以外的部分的Ti薄膜150、Cu薄膜152以及鍍Cu膜154。由此，母主體110的下側(cè)的主表面被平坦化。通過利用圖5C至圖6B的工序，在貫通孔的內(nèi)周面形成導(dǎo)體層，形成連接部16a～16d(即外部電極15a～15d的一部分)(第四工序的一個例子)。

接下來，如圖6C所示，在母主體110的下側(cè)的主表面的整個面通過濺射法形成Ti膜、Cu膜、Ni膜以及Au膜從下層向上層按該順序?qū)盈B而成的導(dǎo)體層156。

接下來，如圖6D所示，在母主體110的下側(cè)的主表面上形成光致抗蝕劑M2。光致抗蝕劑M2覆蓋形成底面部17a～17d的部分。

接下來，如圖7A所示，通過蝕刻法去除被光致抗蝕劑M2覆蓋的部分以外的導(dǎo)體層156。然后，如圖7B所示，通過有機溶劑去除光致抗蝕劑M2。由此，形成底面部17a～17d(外部電極15a～15d的一部分)。

接下來，如圖7C所示，對母基板112b的上側(cè)的主表面進行磨削或者研磨。

接下來，如圖7D所示，通過切割機切割母主體110(母基板112a)，得到多個電子部件10(第五工序的一個例子)。在圖7D的工序中，使切割機通過貫通孔內(nèi)的Ti薄膜150、Cu薄膜152以及鍍Cu膜154。由此，Ti薄膜150、Cu薄膜152以及鍍Cu膜154被分割成連接部16a～16d。然后，也可以針對電子部件10進行滾磨，實施倒角。另外，在外部電極15a～15d的表面進行滾磨后，為了提高焊料濕潤性，也可以實施鍍Ni以及鍍Sn。

(效果)

根據(jù)本實施方式所涉及的電子部件10，能夠抑制設(shè)置在磁性體基板12a上的層疊體14的中繼導(dǎo)體21、22、26、27從層疊體14脫落。以下，參照圖3B以中繼導(dǎo)體26為例進行說明。

在電子部件510中，由于以下的理由，引出部521a、521b容易從層疊體514脫落。更加詳細(xì)而言，如圖11所示，引出部521b直接形成于磁性體基板512a的上表面。磁性體基板512a比較硬。因此，引出部521b相對于磁性體基板512a的緊貼性比較低。因此，若沖擊施加至電子部件510，則存在在引出部521b與磁性體基板512a之間產(chǎn)生剝離，引出部521a、521b從層疊體514脫落的可能性。

因此，電子部件10具有以下的構(gòu)造。絕緣體層18b呈角C3因切口部c6而缺損的形狀。中繼導(dǎo)體26設(shè)置于絕緣體層18b的切口部c6。并且，絕緣體層18c從下側(cè)與中繼導(dǎo)體層26b接觸。通過具有以上的構(gòu)造，中繼導(dǎo)體26的下端與絕緣體層18c接觸。絕緣體層18c的材料是樹脂。因此，絕緣體層18c與磁性體基板12a、512a相比較柔軟。因而，中繼導(dǎo)體26相對于絕緣體層18c的緊貼性比引出部521b相對于磁性體基板512a的緊貼性高。并且，由于絕緣體層18c較柔軟，因此，能夠隨著由中繼導(dǎo)體26的熱引起的膨脹、收縮、由來自外部的沖擊引起的變形而變形。因此，中繼導(dǎo)體26與絕緣體層18c之間的剝離與引出部521b與磁性體基板512a之間的剝離相比，不易產(chǎn)生。結(jié)果，在電子部件10中，抑制中繼導(dǎo)體26從層疊體14脫落。

并且，在電子部件10中，抑制在線圈L1、L2與中繼導(dǎo)體21、22、26、27之間產(chǎn)生斷線。以下，以線圈L2與中繼導(dǎo)體26的斷線為例進行說明。

在將電子部件510安裝于電路基板時，電路基板的焊盤電極與外部電極515a通過焊料固定。此時，若從焊料對外部電極515a施加應(yīng)力。則這樣的應(yīng)力成為使引出部521b與磁性體基板512a之間產(chǎn)生剝離的原因。并且，若在引出部521b與磁性體基板512a之間產(chǎn)生剝離，則引出部521a、521b相對于層疊體514活動，存在在線圈L1與引出部521a、521b之間產(chǎn)生斷線的可能性。

因此，在電子部件10中，如上述那樣，絕緣體層18c從下側(cè)與中繼導(dǎo)體26接觸。中繼導(dǎo)體26相對于絕緣體層18c的緊貼性比較高。因此，不易產(chǎn)生中繼導(dǎo)體26與絕緣體層18c之間的剝離。結(jié)果，抑制中繼導(dǎo)體26在層疊體14活動，抑制在中繼導(dǎo)體26與線圈L2之間產(chǎn)生斷線。

在此，如圖3C所示，將從上側(cè)觀察時的中繼導(dǎo)體層26b的面積設(shè)為面積A1。另外，將從上側(cè)觀察時的中繼導(dǎo)體層26b與絕緣體層18c接觸的部分的面積設(shè)為面積A2。應(yīng)予說明，在圖3C中，面積A1、A2分別是被單點劃線圍起的區(qū)域的面積。其中，在圖3中，為了容易觀察區(qū)域，將單點劃線與中繼導(dǎo)體26的外邊緣以及切口部cc的外邊緣略微錯開而描繪。優(yōu)選面積A2相對于面積A1的比的值X是0.42以上0.82以下。通過面積A2相對于面積A1的比的值X在上述范圍內(nèi)，中繼導(dǎo)體層26b與絕緣體層18c穩(wěn)固地緊貼。以下，對值X的范圍的根據(jù)進行說明。

首先，本發(fā)明者作為實施例實際制造了電子部件1。在實施例中，通過分配中繼導(dǎo)體層26b的面積A1與切口部cc的面積，將值X設(shè)定為一定的范圍。具體而言，首先，在值X最小的實施例中，使面積A1為0.00156mm²，使切口部cc的面積為0.00090mm²。此時，中繼導(dǎo)體層26b與絕緣體層18c接觸的部分的面積A2是0.00066mm²，值X大約為0.42。接下來，在值X最大的實施例中，使面積A1為0.00169mm²，使切口部cc的面積為0.00030mm²。此時，中繼導(dǎo)體層26b與絕緣體層18c接觸的部分的面積A2為0.00139mm²，值X大約為0.82以下。

在這些實施例中，在制造時的切割工序以及劃線工序中不產(chǎn)生中繼導(dǎo)體26的脫落。由此可知，在值X為0.42以上0.82以下的情況下，不產(chǎn)生制造時的中繼導(dǎo)體26的脫落，因此優(yōu)選。

但是，在電子部件1中，若如上述那樣，中繼導(dǎo)體26和與磁性體基板12a相比緊貼性較高的絕緣體層18c至少接觸，則能夠降低中繼導(dǎo)體26的脫落，因此，值X也可以是0.42以上0.82以下的范圍外的值，尤其不妨礙超過上限值?；谙嗤睦碛桑陔娮硬考?0中，抑制中繼導(dǎo)體21、22、27從層疊體14脫落。

另外，根據(jù)電子部件10，基于以下的理由也能夠抑制設(shè)置于磁性體基板12a上的層疊體14的中繼導(dǎo)體21、26從層疊體14脫落。以下，參照圖3B以中繼導(dǎo)體26為例進行說明。

更加詳細(xì)而言，在電子部件10中，絕緣體層18a(第三絕緣體層的一個例子)從上側(cè)與中繼導(dǎo)體26接觸。由此，通過與中繼導(dǎo)體26的緊貼性較高的絕緣體層18a，中繼導(dǎo)體26的上端也被保持于層疊體14。結(jié)果，在電子部件10中，抑制中繼導(dǎo)體26從層疊體14脫落?；谙嗤睦碛?，抑制中繼導(dǎo)體21從層疊體14脫落。

另外，根據(jù)電子部件10，能夠得到具有較高的阻抗的共模扼流線圈。更加詳細(xì)而言，在電子部件10中，磁性體基板12a呈連接主表面S1、S2的4根棱線因切口部Ca～Cd而缺損的形狀。連接底面部17a～17d與中繼導(dǎo)體21、22、26、27每一個的連接部16a～16d設(shè)置于切口部Ca～Cd。由此，連接部16a～16d設(shè)置于在從上側(cè)觀察時距磁性體基板12a的中心最遠(yuǎn)的位置。即，連接部16a～16d設(shè)置于在從上側(cè)觀察時磁性體基板12a中距線圈L1、L2最遠(yuǎn)的位置。結(jié)果，抑制線圈L1、L2產(chǎn)生的磁通量被連接部16a～16d妨礙。因而，在電子部件10中，能夠得到具有較高的阻抗的共模扼流線圈。

另外，在電子部件10中，線圈導(dǎo)體層20、25在從上側(cè)觀察時不與連接部16a～16d重疊。由此，抑制連接部16a～16d位于線圈L1、L2產(chǎn)生的磁通量的磁路上。結(jié)果，在電子部件10中，線圈L1、L2的電感值增大，由線圈L1、L2構(gòu)成的共模扼流線圈的阻抗增大。

另外，在電子部件10中，線圈導(dǎo)體層20、25在從上側(cè)觀察時不與連接部16a～16d重疊。由此，抑制在線圈導(dǎo)體層20、25與連接部16a～16d之間產(chǎn)生電容。結(jié)果，在電子部件10中，高頻區(qū)域的噪聲的去除性能得到提高。

另外，在電子部件10中，內(nèi)置線圈L1、L2的層疊體14被磁性體基板12a、12b夾著。由此，線圈L1、L2產(chǎn)生的磁通量通過磁性體基板12a、12b。結(jié)果，線圈L1、L2的電感值增大，由線圈L1、L2構(gòu)成的共模扼流線圈的阻抗增大。

另外，在電子部件10中，由于內(nèi)置線圈L1、L2的層疊體14被磁性體基板12a、12b夾著，因此，線圈L1、L2的電感值增大。由此，即使線圈導(dǎo)體層20、25的匝數(shù)較少，線圈L1、L2也具有足夠的電感值。結(jié)果，實現(xiàn)線圈導(dǎo)體層20、25的小型化，實現(xiàn)電子部件10的小型化。

另外，在電子部件10中，線圈L2的電感值增大，由線圈L1、L2構(gòu)成的共模扼流線圈的阻抗增大。以下，以外部電極15d以及中繼導(dǎo)體27為例進行說明。

在電子部件10中，如以下說明那樣，能夠減少在線圈導(dǎo)體層25產(chǎn)生的寄生電容。更加詳細(xì)而言，線圈導(dǎo)體層25與中繼導(dǎo)體層21b、22c、27c以及連接部16a～16d對置。因此，在線圈導(dǎo)體層25與中繼導(dǎo)體層21b、22c、27c以及連接部16a～16d之間產(chǎn)生寄生電容。其中，對于形成在線圈導(dǎo)體層25與中繼導(dǎo)體層21b、22c、27c之間的寄生電容，通常將電子部件10設(shè)計為該寄生電容成為沒有問題的大小。因此，如圖3A以及圖3D所例示的那樣，線圈導(dǎo)體層25與連接部16a～16d的最短距離D1分別比線圈導(dǎo)體層25與中繼導(dǎo)體層21b、22c、26b、27c的最短距離D2長。由此，形成在線圈導(dǎo)體層25與連接部16c之間的寄生電容也成為沒有問題的大小。結(jié)果，能夠減少在線圈導(dǎo)體層25產(chǎn)生的寄生電容。

另外，在電子部件10中，從上側(cè)觀察切口部Ca～Cd的面積隨著從主表面S2靠近主表面S1而減小。由此，設(shè)置于切口部Ca～Cd的連接部16a～16d與中繼導(dǎo)體21、22、26、27接觸的部分的面積也較小。因而，能夠使中繼導(dǎo)體21、22、26、27的面積減小。結(jié)果，能夠使用于形成線圈導(dǎo)體層20、25的區(qū)域增大，能夠不使電子部件10大型化而能夠使線圈L1、L2的電感值增大。另外，在上述構(gòu)成中，中繼導(dǎo)體26與連接部16c接觸的部分的面積較小，因此，能夠不使中繼導(dǎo)體26的面積增大而使中繼導(dǎo)體26與絕緣體層18c接觸的面積增大。結(jié)果，能夠進一步提高中繼導(dǎo)體26與絕緣體層18c的緊貼性。

另外，如圖3B所示，在電子部件10中，形成切口部Ca～Cd的面相對于主表面S2呈鈍角θ。由此，形成切口部Ca～Cd的面呈遠(yuǎn)離線圈導(dǎo)體層25的形狀。因此，抑制切口部Ca～Cd(即連接部16a～16d)位于線圈導(dǎo)體層25產(chǎn)生的磁通量的磁路上。結(jié)果，在電子部件10中，線圈L2的電感值增大，由線圈L1、L2構(gòu)成的共模扼流線圈的阻抗增大。

另外，由于形成切口部Ca～Cd的面相對于主表面S2呈鈍角θ，形狀的不連續(xù)性被緩和，因而因磁性體基板12a與底面部17a～17d以及連接部16a～16d與用于安裝的焊料之間的熱膨脹系數(shù)的差而產(chǎn)生的應(yīng)力集中被緩和。

(電子部件的變形例)

以下，參照附圖對變形例所涉及的電子部件10a進行說明。圖9A是變形例所涉及的電子部件10a的外觀立體圖。圖9B是變形例所涉及的電子部件10a的剖面構(gòu)造圖。

電子部件10a在外部電極15a～15d的形狀上與電子部件10不同。以下，以外部電極15c為例進行說明。由于外部電極15a、15b、15d是與外部電極15c為相同的構(gòu)造，因此省略說明。

外部電極15c包括連接部16c以及底面部17c。在電子部件10a中，在磁性體基板12a未設(shè)置有切口部Cc。并且，連接部16c沿上下方向延伸成覆蓋磁性體基板12a的右后側(cè)的棱線。另外，連接部16c的上端到達層疊體14，與中繼導(dǎo)體26連接。底面部17c設(shè)置于主表面S2的右后側(cè)的角附近，呈長方形形狀。底面部17c與連接部16c的下端連接。

如上所述那樣，對于外部電極15c，也可以不設(shè)置為覆蓋切口部Cc的內(nèi)周面。

在如上所述那樣構(gòu)成的電子部件10a中，與電子部件10相同，也能夠抑制設(shè)置于磁性體基板12a上的層疊體14的中繼導(dǎo)體21、22、26、27從層疊體14脫落。

(電子部件的制造方法的變形例)

接下來，對電子部件10b的制造方法的變形例進行說明。在電子部件10中，相對于絕緣體層18a～18c的材料為以絕緣性樹脂為主要成分的材料，在電子部件10b中，絕緣體層18a～18c的材料是包括玻璃陶瓷的材料(包括玻璃的材料的一個例子)。尤其在電子部件10b中，絕緣體層18a～18c的材料是以玻璃陶瓷為主要成分的材料。因此，電子部件10b的制造方法在母層疊體114的形成工序上與電子部件10的制造方法不同。以下，以這些不同點(母層疊體114的形成工序)為中心對電子部件10b的制造方法進行說明。

首先，對母層疊體114的形成工序的概要進行說明。首先，在母基板112a的主表面S1上通過包括玻璃陶瓷的材料形成應(yīng)成為絕緣體層18a～18c的多個膏層，并且交替地形成線圈L1、L2以及應(yīng)成為中繼導(dǎo)體21、22、26、27的中繼導(dǎo)體層21a、21b、22a～22c、26a、26b、27a～27c，形成未燒制的母層疊體114(第一工序的一個例子)。接下來，燒制未燒制的母層疊體114(第二工序的一個例子)。經(jīng)由以上的2個工序，形成母層疊體114。以下，對母層疊體114的形成工序更加詳細(xì)地進行說明。

首先，在燒制完畢的母基板112a的主表面S1的整個面涂覆熱固化性的玻璃膏，形成應(yīng)成為絕緣體層18c(第二絕緣體層的一個例子)的膏層(第一膏層的一個例子)。然后，對應(yīng)成為絕緣體層18c的膏層進行加熱及干燥。干燥時的溫度例如是60℃～80℃左右。在干燥中，應(yīng)成為絕緣體層18c的膏層稍稍固化，但依然保持未固化的狀態(tài)。

接下來，通過濺射法在應(yīng)成為絕緣體層18c的膏層上形成Ag膜。接下來，在Ag膜中的形成線圈導(dǎo)體層25、中繼導(dǎo)體層21b、22c、26b、27c(應(yīng)成為中繼導(dǎo)體的一部分的導(dǎo)體層的一個例子)以及引出導(dǎo)體34的部分上形成光致抗蝕劑。然后，通過蝕刻法去除形成線圈導(dǎo)體層25、中繼導(dǎo)體層21b、22c、26b、27c以及引出導(dǎo)體34的部分(即被光致抗蝕劑覆蓋的部分)以外的Ag膜。然后，通過有機溶劑去除光致抗蝕劑。由此，線圈導(dǎo)體層25、中繼導(dǎo)體層21b、22c、26b、27c以及引出導(dǎo)體34形成在應(yīng)成為絕緣體層18c的膏層上。

接下來，通過絲網(wǎng)印刷在應(yīng)成為絕緣體層18c的膏層上涂覆熱固化性的玻璃膏，形成應(yīng)成為絕緣體層18b的膏層。在用于絲網(wǎng)印刷的絲網(wǎng)版上，在除切口部c2、c4～c6以及通孔H3以外的部分設(shè)置有開口。由此，在應(yīng)成為絕緣體層18b的膏層形成切口部c2、c4～c6以及通孔H3。并且，對應(yīng)成為絕緣體層18b的膏層進行加熱及干燥。干燥時的溫度例如是60℃～80℃左右。在干燥中，應(yīng)成為絕緣體層18b的膏層稍稍固化，但依然保持未固化的狀態(tài)。

接下來，通過濺射法在應(yīng)成為絕緣體層18b的膏層上形成Ag膜。接下來，在Ag膜中的形成線圈導(dǎo)體層20、中繼導(dǎo)體層21a、22b、26a、27b以及引出導(dǎo)體30、36a的部分上形成光致抗蝕劑。然后，通過蝕刻法去除形成線圈導(dǎo)體層20、中繼導(dǎo)體層21a、22b、26a、27b以及引出導(dǎo)體30、36a的部分(即被光致抗蝕劑覆蓋的部分)以外的Ag膜。然后，通過利用有機溶劑去除光致抗蝕劑，形成線圈導(dǎo)體層20、中繼導(dǎo)體層21a、22b、26a、27b以及引出導(dǎo)體30、36a。

接下來，通過絲網(wǎng)印刷在應(yīng)成為絕緣體層18b的膏層上涂覆熱固化性的玻璃膏，形成應(yīng)成為絕緣體層18a的膏層。在用于絲網(wǎng)印刷的絲網(wǎng)版上，在除切口部c1、c3以及通孔H1、H2以外的部分設(shè)置有開口。由此，在應(yīng)成為絕緣體層18a的膏層形成切口部c1、c3以及通孔H1、H2。并且，對應(yīng)成為絕緣體層18a的膏層進行加熱及干燥。干燥時的溫度例如是60℃～80℃左右。在干燥中，應(yīng)成為絕緣體層18a的膏層稍稍固化，但依然保持未固化的狀態(tài)。

接下來，通過濺射法在絕緣體層18a上形成Ag膜。接下來，在形成中繼導(dǎo)體層22a、27a以及引出導(dǎo)體32、36b的部分上形成光致抗蝕劑。然后，通過蝕刻法去除形成中繼導(dǎo)體層22a、27a以及引出導(dǎo)體32、36b的部分(即被光致抗蝕劑覆蓋的部分)以外的Ag膜。然后，通過利用有機溶劑去除光致抗蝕劑，形成中繼導(dǎo)體層22a、27a以及引出導(dǎo)體32、36b。通過以上的工序，完成未燒制的母層疊體114。

接下來，燒制未燒制的母層疊體114。燒制時的溫度比干燥時的溫度高，大約1000℃。由此，膏層固化，完成燒制完畢的母層疊體114。

根據(jù)以上那樣的電子部件10b及其制造方法，抑制中繼導(dǎo)體21、22、26、27從層疊體14脫落。以下，以中繼導(dǎo)體26為例進行說明。

絕緣體層18c的材料是包括玻璃的材料。由包括玻璃的材料構(gòu)成的絕緣體層18c與由包括樹脂的材料構(gòu)成的絕緣體層18c相比較硬。因此，假設(shè)在由包括玻璃的材料構(gòu)成的燒制完畢的絕緣體層18c上形成中繼導(dǎo)體層26b的情況下，中繼導(dǎo)體層26b與由包括玻璃的材料構(gòu)成的絕緣體層18c的緊貼性比中繼導(dǎo)體層26b與由包括樹脂的材料構(gòu)成的絕緣體層18c的緊貼性低。

其中，在絕緣體層18a～18c的材料為包括玻璃的材料的情況下，在形成未燒制的母層疊體114后，需要燒制該未燒制的母層疊體114的工序。即，不需要在由包括玻璃的材料構(gòu)成的燒制完畢的絕緣體層18c上形成中繼導(dǎo)體層26b。由此，中繼導(dǎo)體層26b跟膏層一同被燒制。因此，中繼導(dǎo)體層26b與應(yīng)成為絕緣體層18c的膏層穩(wěn)固地緊貼。基于以上的理由，根據(jù)電子部件10b及其制造方法，抑制中繼導(dǎo)體26從層疊體14脫落。

應(yīng)予說明，應(yīng)成為絕緣體層18a、18b的膏層通過絲網(wǎng)印刷形成，但例如也可以通過光蝕刻法來形成。另外，切口部c1～c6以及通孔H1～H3例如也可以通過照射激光束來形成。

(其它實施方式)

本發(fā)明所涉及的電子部件及其制造方法并不局限于上述電子部件10、10a、10b及其制造方法，能夠在其主旨的范圍內(nèi)進行變更。

也可以任意地組合電子部件10、10a、10b及其制造方法的構(gòu)成。

應(yīng)予說明，在電子部件10、10a、10b中，設(shè)置連接部16a～16d內(nèi)的至少一個即可。

應(yīng)予說明，在電子部件10、10a、10b的制造方法中，線圈導(dǎo)體層20、25、引出導(dǎo)體30、32，34、36a、36b以及中繼導(dǎo)體層21a、21b、22a～22c、26a、26b、27a～27c也可以通過絲網(wǎng)印刷、蒸鍍、鍍敷等來形成。

應(yīng)予說明，磁性體基板12a、12b是已燒制的陶瓷基板即可。因此，也可以代替磁性體基板12a、12b，使用以非磁性鐵氧體為材料的陶瓷基板、以非磁性氧化鋁為材料的陶瓷基板等。

應(yīng)予說明，電子部件10、10a、10b具備至少1個以上的線圈即可。因此，電子部件10、10a、10b也可以不具備共模扼流線圈。另外，電子部件10、10a、10b除線圈外，也可以具備電容器、電阻等其它的電路元件，這些電路元件例如也可以構(gòu)成濾波器等電路。該情況下，在線圈L1與中繼導(dǎo)體21、22之間存在線圈L1以外的電路元件。因此，線圈L1與中繼導(dǎo)體21、22電連接即可，無需物理性地直接連接。

應(yīng)予說明，在電子部件10、10a、10b中，中繼導(dǎo)體21、22、26、27的上端也可以與磁性體基板12b直接接觸。

應(yīng)予說明，中繼導(dǎo)體層21a、21b、22a～22c、26a、26b、27a～27c在從上側(cè)觀察時呈等腰直角三角形狀，但也可以是長方形形狀等其它的形狀。

應(yīng)予說明，也可以不設(shè)置有機系粘合劑層19。

應(yīng)予說明，線圈L1、L2設(shè)置在層疊體14內(nèi)，但設(shè)置于層疊體14即可。因此，線圈L1、L2的一部分可以設(shè)置在層疊體14的表面上，或從層疊體14露出在外部。

層疊體14的總數(shù)不限于3層。另外，線圈導(dǎo)體層20、25的層數(shù)也不限于2層。并且，外部電極15a～15d的個數(shù)也不限于4個，例如，也可以是2個。

應(yīng)予說明，設(shè)置4個中繼導(dǎo)體21、22、26、27，但中繼導(dǎo)體21、22、26、27的個數(shù)也不限于4個，設(shè)置中繼導(dǎo)體21、22、26、27內(nèi)的至少任意一個即可。該情況下，中繼導(dǎo)體21、22、26、27內(nèi)的至少任意一個為第一中繼導(dǎo)體的一個例子。

另外，絕緣體層18c從下側(cè)與中繼導(dǎo)體21、22、26、27的全部接觸，但從下側(cè)與中繼導(dǎo)體21、22、26、27內(nèi)的至少一個接觸即可。

如上所述那樣，本發(fā)明對電子部件及其制造方法有用，尤其是在能夠抑制設(shè)置于陶瓷基板上的層疊體的中繼導(dǎo)體從層疊體脫落這一方面較優(yōu)異。

附圖標(biāo)記說明：10、10a、10b…電子部件；12a、12b…磁性體基板；14…層疊體；15a～15d…外部電極；18a～18c…絕緣體層；19…有機系粘合劑層；20、25…線圈導(dǎo)體層；21、22、26、27…中繼導(dǎo)體；21a、21b、22a～22c、26a、26b、27a～27c…中繼導(dǎo)體層；110…母主體；112a、112b…母基板；114…母層疊體；C1～C4…角；Ca～Cd、c1～c6、ca～cd…切口部；L1、L2…線圈；S1、S2…主表面。