技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和用于形成半導(dǎo)體器件的方法。用于形成半導(dǎo)體器件的方法包括將摻雜離子注入到半導(dǎo)體襯底中。在將摻雜離子注入到半導(dǎo)體襯底中期間，在注入摻雜離子的摻雜離子束的主方向與半導(dǎo)體襯底的主晶向之間的偏差小于±0.5°。所述方法還包括在摻雜離子的注入期間控制半導(dǎo)體襯底的溫度，使得半導(dǎo)體襯底的溫度在用于注入摻雜離子的注入工藝時(shí)間的70%以上中在目標(biāo)溫度范圍內(nèi)。目標(biāo)溫度范圍從目標(biāo)溫度下限達(dá)到目標(biāo)溫度上限。目標(biāo)溫度下限等于目標(biāo)溫度減去30°C。目標(biāo)溫度高于80°C。

技術(shù)研發(fā)人員：J.G.拉文;H-J.舒爾策;W.舒施特雷德
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.20
技術(shù)公布日：2017.08.11