1.一種基于量子點(diǎn)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏存儲(chǔ)器，其特征在于：所述基于量子點(diǎn)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)從上到下依次為源漏電極（1）、有機(jī)光敏半導(dǎo)體層（2）、量子點(diǎn)薄膜層（3）、柵絕緣層（4）、柵電極（5）和襯底（6）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于量子點(diǎn)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏存儲(chǔ)器，其特征在于：所述源漏電極（1）采用的材料選自金屬或有機(jī)導(dǎo)體材料，其厚度為60~100 nm；所述有機(jī)光敏半導(dǎo)體層（2）采用的材料選自并五苯、并四苯、鈦青銅、氟化鈦青銅、紅熒烯、3-己基噻吩或并三苯，所述有機(jī)光敏半導(dǎo)體層（2）的厚度為30~50 nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于量子點(diǎn)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏存儲(chǔ)器，其特征在于：所述量子點(diǎn)薄膜層（3）中的溶質(zhì)選自硫化鉛、硒化鉛或硫化鋅，所述量子點(diǎn)薄膜層（3）厚5-20nm；所述柵絕緣層（4）采用的材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、聚苯乙烯PS或聚乙烯吡咯烷酮PVP，所述柵絕緣層（4）的厚度為50~300 nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于量子點(diǎn)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏存儲(chǔ)器，其特征在于：所述柵電極（5）采用的材料選自高摻雜硅、鋁、銅、銀、金、鈦或鉭；所述襯底（6）選自高摻雜硅片、玻璃片或塑料PET。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于量子點(diǎn)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏存儲(chǔ)器，其特征在于：所述源漏電極（1）的制備方法為磁控濺射法、噴墨打印法或真空蒸鍍法；所述源漏電極（1）采用的材料選自銅或金；所述有機(jī)光敏半導(dǎo)體層（2）采用真空蒸鍍法成膜。
6.一種制備權(quán)利要求1-6任一所述的基于量子點(diǎn)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，包括如下步驟：
第一步：配制量子點(diǎn)材料溶液，溶于低沸點(diǎn)溶劑，靜置30min使其分散均勻，其濃度1~10 mg/mL；
第二步：在襯底（6）上依次形成柵電極（5）和柵絕緣層（4），柵絕緣層（4）的厚度為50~300 nm，制成基片，基片依次用丙酮、乙醇、去離子水各超聲清洗10min，超聲頻率為100 KHz，再用高純氮?dú)鈱⒒砻嬉后w吹干以保證基片表面潔凈，之后放入120℃的烘箱中烘干；
第三步：將烘干后的潔凈基片使用紫外臭氧處理3~5 min；
第四步：將第三步中制備的基片的柵絕緣層（4）上面旋涂第一步配制好的溶液，旋涂轉(zhuǎn)速為低轉(zhuǎn)速3000 r/min，旋涂時(shí)間30s，厚度為5~20 nm，形成量子點(diǎn)薄膜層（3），將旋涂好的樣品在氮?dú)馐痔紫渲?0℃干燥退火30 min；
第五步：在第四步中制備好的樣品的量子點(diǎn)薄膜層（3）上面依次真空蒸鍍有機(jī)光敏半導(dǎo)體層（2）和源漏電極（1）。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于量子點(diǎn)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于：第一步中的低沸點(diǎn)溶劑為甲苯或環(huán)己烷；第四步中的旋涂過程在空氣中進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于量子點(diǎn)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光敏存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于：第五步所述真空蒸鍍有機(jī)光敏半導(dǎo)體層（2）材料為并五苯，蒸鍍速率為1?/s，真空度控制在6×10-5pa~6×10-4 pa，采用晶振控制厚度在30~50nm；在制備的有機(jī)光敏半導(dǎo)體層（2）表面加上掩模板進(jìn)行圖案化處理，第五步所述真空蒸鍍的源漏電極（1）材料為銅或金，蒸鍍速率0.5 ?/s，控制厚度在60~100nm，掩模板的溝道寬度為2000 μm，長度為100 μm。