1.一種雙向耐壓的絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，包括一單晶襯底，兩個P柱區(qū)和一N型外延層，其中：
所述單晶襯底為刻蝕有等距離的多個凹槽的襯底的一個單元；
所述兩個P柱區(qū)外延形成于所述單晶襯底的凹槽中；
所述N型外延層形成于所述單晶襯底和所述兩個P柱區(qū)的頂端。
2.如權(quán)利要求1所述的雙向耐壓的絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單晶襯底、所述兩個P柱區(qū)和所述N型外延層構(gòu)成漂移區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的雙向耐壓的絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩個P柱區(qū)材料的摻雜濃度與所述單晶襯底的摻雜濃度相同。
4.如權(quán)利要求1所述的雙向耐壓的絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型外延層于所述單晶襯底和所述兩個P柱區(qū)經(jīng)刻蝕和CMP平整化后外延生長得到。
5.如權(quán)利要求4所述的雙向耐壓的絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型外延層的摻雜濃度與所述單晶襯底的摻雜濃度相同。
6.如權(quán)利要求1所述的雙向耐壓的絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述單晶襯底的下方還包括一P+集電區(qū)和一集電極，所述集電極位于所述P+集電區(qū)下方。
7.如權(quán)利要求6所述的雙向耐壓的絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述N型外延層上方還包括一P基區(qū)、兩個多晶硅柵極、兩個柵氧化層、兩個N+源區(qū)、一P+基區(qū)、一發(fā)射極。
8.如權(quán)利要求1所述的雙向耐壓的絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型外延層上表面具有Trench結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求9所述的雙向耐壓的絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Trench結(jié)構(gòu)與所述兩個P柱區(qū)相隔離。
10.如權(quán)利要求1所述的雙向耐壓的絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單晶襯底的兩側(cè)凹槽等寬，其總寬度與凹槽間距離相等。