本發(fā)明涉及射頻同軸微帶連接技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻同軸微帶結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

射頻同軸微帶連接器由于其操作簡(jiǎn)單，易于維護(hù)，電性能優(yōu)越，特別是在空間受限的場(chǎng)合使用靈活等特點(diǎn)，廣泛適用于光通訊設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、無(wú)線設(shè)備、射頻模塊等領(lǐng)域。射頻同軸微帶連接器起到關(guān)鍵的射頻信號(hào)傳輸作用，它是連接天線與主板的唯一路徑，所以同軸線與主板處連接方式的駐波比成了約束射頻信號(hào)質(zhì)量的關(guān)鍵因素，其射頻參數(shù)的好壞會(huì)疊加影響到天線系統(tǒng)的靈敏度，因此在實(shí)際應(yīng)用中為了降低不同傳輸線之間的連接反射，會(huì)使用特殊的連接器，其成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種不使用射頻同軸微帶連接器的射頻同軸微帶結(jié)構(gòu)。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：一種射頻同軸微帶結(jié)構(gòu)，包括同軸外導(dǎo)體、同軸內(nèi)導(dǎo)體和PCB板，所述PCB板上設(shè)有微帶線，所述PCB板上還設(shè)有過(guò)渡結(jié)構(gòu)，所述過(guò)渡結(jié)構(gòu)包括第一連接部和第二連接部，所述第一連接部連接同軸內(nèi)導(dǎo)體，所述第二連接部連接微帶線。

進(jìn)一步的，所述過(guò)渡結(jié)構(gòu)為方形。

進(jìn)一步的，所述過(guò)渡結(jié)構(gòu)為T(mén)形。

進(jìn)一步的，所述同軸內(nèi)導(dǎo)體焊接在所述第一連接部。

進(jìn)一步的，所述同軸外導(dǎo)體焊接在所述PCB板上。

進(jìn)一步的，所述PCB板為雙層PCB板，表層和底層銅厚均為1Oz。

本發(fā)明的有益效果在于：不使用RF連接器，在同軸內(nèi)導(dǎo)體和微帶線之間設(shè)一過(guò)渡結(jié)構(gòu)，有效降低測(cè)試成本和制程，也可用在電子通訊設(shè)備中，替代PCB板上的RF走線，降低PCB板的內(nèi)部射頻干擾。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明射頻同軸微帶結(jié)構(gòu)立體圖；

圖2為本發(fā)明射頻同軸微帶結(jié)構(gòu)俯視圖1；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一T形過(guò)渡結(jié)構(gòu)S參數(shù)回波損耗測(cè)試結(jié)果圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一T形過(guò)渡結(jié)構(gòu)S參數(shù)插入損耗測(cè)試結(jié)果圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例一T形過(guò)渡結(jié)構(gòu)駐波比VSWR特性曲線圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例一T形過(guò)渡結(jié)構(gòu)TDR Impedance特性曲線圖；

圖7為本發(fā)明射頻同軸微帶結(jié)構(gòu)俯視圖2；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例二方形過(guò)渡結(jié)構(gòu)駐波比VSWR特性曲線圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二方形過(guò)渡結(jié)構(gòu)TDR Impedance特性曲線圖；

標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

1、同軸饋電；2、同軸外導(dǎo)體；3、同軸內(nèi)導(dǎo)體；4、PCB板；5、微帶線；6、過(guò)渡結(jié)構(gòu)；7、第一連接部；8、第二連接部；9、RF連接器。

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖予以說(shuō)明。

本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于：在同軸內(nèi)導(dǎo)體和微帶線之間設(shè)一過(guò)渡結(jié)構(gòu)，不使用RF連接器，可以有效降低測(cè)試成本和制程。

請(qǐng)參照?qǐng)D1、圖2及圖7，一種射頻同軸微帶結(jié)構(gòu)，包括同軸外導(dǎo)體、同軸內(nèi)導(dǎo)體和PCB板，所述PCB板上設(shè)有微帶線，所述PCB板上還設(shè)有過(guò)渡結(jié)構(gòu)，所述過(guò)渡結(jié)構(gòu)包括第一連接部和第二連接部，所述第一連接部連接同軸內(nèi)導(dǎo)體，所述第二連接部連接微帶線。

從上述描述可知，本發(fā)明的有益效果在于：不使用RF連接器，在同軸內(nèi)導(dǎo)體和微帶線之間設(shè)一過(guò)渡結(jié)構(gòu)，可以有效降低測(cè)試成本和制程，也可用在電子通訊設(shè)備中，替代PCB板上的RF走線，降低PCB板的內(nèi)部射頻干擾。

進(jìn)一步的，所述過(guò)渡結(jié)構(gòu)為方形。

進(jìn)一步的，所述過(guò)渡結(jié)構(gòu)為T(mén)形。

由上述描述可知，過(guò)渡結(jié)構(gòu)可設(shè)計(jì)為方形或者T形，當(dāng)過(guò)渡結(jié)構(gòu)為T(mén)形時(shí)，可以增大信號(hào)線與返回路徑的相容性，有效降低過(guò)渡區(qū)域的阻抗。

進(jìn)一步的，所述同軸內(nèi)導(dǎo)體焊接在所述第一連接部。

由上述描述可知，同軸內(nèi)導(dǎo)體可以直接焊接在過(guò)渡結(jié)構(gòu)上，不必使用特殊的連接器。

進(jìn)一步的，所述同軸外導(dǎo)體焊接在所述PCB板上。

進(jìn)一步的，所述PCB板為雙層PCB板，表層和底層銅厚均為1Oz。

實(shí)施例一

請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖6，本發(fā)明的實(shí)施例一為：如圖1所示，一種射頻同軸微帶結(jié)構(gòu)，包括同軸饋電1和PCB板4。如圖2所示，所述同軸饋電1包括同軸外導(dǎo)體2和同軸內(nèi)導(dǎo)體3，所述PCB板4上設(shè)有微帶線5，所述PCB板4上還設(shè)有過(guò)渡結(jié)構(gòu)6，所述過(guò)渡結(jié)構(gòu)6包括第一連接部7和第二連接部8，所述第一連接部7連接同軸內(nèi)導(dǎo)體3，所述第二連接部8連接微帶線5，微帶線5的另一端連接RF連接器9的公頭。本實(shí)施例中所述過(guò)渡結(jié)構(gòu)6為T(mén)形，T型結(jié)構(gòu)的較小端頭和微帶線5連接，同軸內(nèi)導(dǎo)體3直接焊接在所述第一連接部7上，同軸外導(dǎo)體直接焊接在PCB板4上。PCB板4的尺寸為8mm*8mm*0.6mm，基材為普通FR4，介電常數(shù)為4.2，損耗正切角為0.016，頂層和底層的銅厚均為1Oz。本實(shí)施例是通過(guò)雙層PCB板4完成同軸饋電1轉(zhuǎn)微帶線5再到RF連接器9公頭的過(guò)渡。

本實(shí)施例中，對(duì)這種T形過(guò)渡結(jié)構(gòu)的性能進(jìn)行了相關(guān)測(cè)試，如圖3所示，為本實(shí)施例S參數(shù)回波損耗測(cè)試結(jié)果，從圖中可以看出，在頻率范圍為0-6GHz時(shí)，S11與S22達(dá)到-17dB以下，有較好的回波損耗。如圖4所示，為本實(shí)施例插入損耗測(cè)試結(jié)果，S21與S12均在-0.25范圍內(nèi)，有較好的插入損耗。如圖5所示，為駐波比VSWR特性曲線，在6GHz時(shí)的最大值為1.3203，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于RFcable的規(guī)范Max VSWR 1.45@0-6GHz，從駐波比特性可以看出此T型過(guò)渡有效地降低了同軸接入PCB板4時(shí)候的反射。如圖6所示為T(mén)DR Impedance特性曲線，同軸饋電1轉(zhuǎn)入PCB板4時(shí)，較細(xì)的同軸內(nèi)導(dǎo)體3直接焊接到PCB板4的走線焊盤(pán)上時(shí)的阻抗較高，增加過(guò)渡結(jié)構(gòu)6，增大了信號(hào)線與返回路徑的相容性，有效地降低了過(guò)渡區(qū)域的阻抗，使其穩(wěn)定在50歐姆以下，圖里最低點(diǎn)的阻抗是RF連接器9處的阻抗，其阻抗特性較小是無(wú)法避免的，其滿足50+/-5Ohm的特性規(guī)范。本實(shí)施例中，過(guò)渡結(jié)構(gòu)6的大小是由RF連接器9公頭的大小決定的。

實(shí)施例二

請(qǐng)參照?qǐng)D7至圖9，為本發(fā)明的實(shí)施例二，實(shí)施例二與實(shí)施例一的不同之處在于，如圖7所示，本實(shí)施例中過(guò)渡結(jié)構(gòu)6為方形。如圖8所示為本實(shí)施例駐波比VSWR特性曲線，其在0-6GHz最大值為1.70，略大于既定的最大值1.45的規(guī)范，如圖8所示，為T(mén)DR Impedance特性曲線，從圖里可以看到阻抗在過(guò)渡時(shí)候迅速升高，阻抗匹配性不如T形過(guò)渡結(jié)構(gòu)好。

對(duì)比實(shí)施例一和實(shí)施例二，T形過(guò)渡結(jié)構(gòu)的阻抗匹配性比方形過(guò)渡結(jié)構(gòu)的阻抗匹配性好，具有更好的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。其原因是過(guò)渡連接處的阻抗值Z約為√L/C，L主要由由同軸內(nèi)導(dǎo)體的直徑?jīng)Q定，無(wú)法再改變；過(guò)渡點(diǎn)電容C由焊接位置的信號(hào)線與信號(hào)返回路徑的相互平行面積決定，距離越近和平行面積越大都可以有效增加電容C。此處由于同軸內(nèi)導(dǎo)體直徑剛開(kāi)始折彎部位離GND較遠(yuǎn)，所以其L較大，增加T型過(guò)渡結(jié)構(gòu)使C有效增加，保證Z在此處的50歐姆匹配。方形過(guò)渡結(jié)構(gòu)只是保證了微帶線在PCB板里面的50歐姆的阻抗，而沒(méi)有考慮到與同軸內(nèi)導(dǎo)體連接時(shí)會(huì)產(chǎn)生大電感L，所以方形過(guò)渡結(jié)構(gòu)會(huì)產(chǎn)生比50歐姆大的阻抗，其阻抗匹配性會(huì)較差。

綜上所述，本發(fā)明提供的一種射頻同軸微帶結(jié)構(gòu)，包括同軸外導(dǎo)體、同軸內(nèi)導(dǎo)體和PCB板，所述PCB板上設(shè)有微帶線，所述PCB板上還設(shè)有過(guò)渡結(jié)構(gòu)，所述過(guò)渡結(jié)構(gòu)包括第一連接部和第二連接部，所述第一連接部連接同軸內(nèi)導(dǎo)體，所述第二連接部連接微帶線。不使用RF連接器，在同軸內(nèi)導(dǎo)體和微帶線之間設(shè)一過(guò)渡結(jié)構(gòu)，有效降低測(cè)試成本和制程，可用在電子通訊設(shè)備中，替代PCB板上的RF走線，降低PCB板的內(nèi)部射頻干擾；過(guò)渡結(jié)構(gòu)的形狀可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)，當(dāng)為T(mén)形時(shí)，其阻抗匹配性比方形過(guò)渡結(jié)構(gòu)要好。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。