1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體襯底；
供給層，位于所述半導(dǎo)體襯底上方，所述供給層包括頂面；
柵極結(jié)構(gòu)、漏極和源極，位于所述供給層上方；
鈍化層，位于所述柵極結(jié)構(gòu)和所述供給層上方；
柵電極，位于所述柵極結(jié)構(gòu)上方；
場(chǎng)板，設(shè)置在所述柵電極和所述漏極之間的所述鈍化層上，所述場(chǎng)板包括底邊；以及
其中，所述柵電極具有接近于所述場(chǎng)板的第一邊緣，所述場(chǎng)板包括面向所述第一邊緣的第二邊緣，所述第一邊緣和所述第二邊緣之間的水平距離在從0.05微米至0.5微米的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括位于所述場(chǎng)板上方的蓋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括位于所述源極或所述漏極上方的接觸件，所述接觸件包括與所述場(chǎng)板的所述底邊共面的底面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述底邊和所述頂面之間的垂直距離為100埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述源極或所述漏極包括與所述場(chǎng)板相同的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括位于所述源極或所述漏極上方的接觸件，所述接觸件的底面高于所述場(chǎng)板的所述底邊，所述場(chǎng)板的所述底邊與所述鈍化層的頂面共面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述場(chǎng)板的所述底邊低于所述鈍化層的頂面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵電極包括位于所述蓋層上方并且延伸在所述場(chǎng)板上方的水平部分。
9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底上方形成供給層；
在所述供給層上方形成柵極結(jié)構(gòu)；
在所述柵極結(jié)構(gòu)和所述供給層上方形成鈍化層；
在所述鈍化層中形成開口；
通過在所述鈍化層上方和所述開口內(nèi)沉積導(dǎo)電層形成源極和漏極；
通過圖案化所述導(dǎo)電層形成接近于所述柵極結(jié)構(gòu)的場(chǎng)板并且在所述源極和所述漏極上方形成接觸件；以及
形成覆蓋在所述場(chǎng)板上方的蓋層。
10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：
接收半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底上方形成供給層；
在所述供給層上方形成柵極結(jié)構(gòu)；
在所述柵極結(jié)構(gòu)和所述供給層上方形成鈍化層，并且所述鈍化層的頂面位于所述供給層之上預(yù)定高度處；
在所述鈍化層中形成開口；
通過在所述鈍化層上方和所述開口內(nèi)沉積導(dǎo)電層以及去除所述導(dǎo)電層的部分，形成源極和漏極；
在所述鈍化層上形成場(chǎng)板，所述場(chǎng)板位于所述供給層之上小于所述預(yù)定高度的高度處；以及
形成覆蓋在所述場(chǎng)板上方并且部分地位于所述柵極結(jié)構(gòu)上方的氧化物層。