1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：
半導(dǎo)體層壓板，其包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層限定暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一部分的第一溝槽和暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二部分的第二溝槽；
第一指形電極，其設(shè)置在第一溝槽中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一部分上；
絕緣層，其設(shè)置在第二溝槽的內(nèi)表面上；以及
第二指形電極，其設(shè)置在第二溝槽中的絕緣層上，并且電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括電流擴(kuò)散層，其設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，并且電連接至第二指形電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，電流擴(kuò)散層沿著絕緣層的上表面延伸至第二溝槽中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二指形電極設(shè)置在第二溝槽中的電流擴(kuò)散層的一部分上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第一溝槽和第二溝槽具有實(shí)質(zhì)上相同的深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二溝槽包括在第一方向上排列的多個(gè)溝槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二指形電極包括彎曲結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，絕緣層包括分布式布拉格反射器多層膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括附加絕緣層，其位于第一溝槽的內(nèi)側(cè)壁上。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，電流擴(kuò)散層實(shí)質(zhì)上設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的上表面的整個(gè)區(qū)域上。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，電流擴(kuò)散層包括透明電極層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，電流擴(kuò)散層包括選自下列物質(zhì)中的至少一種：氧化銦錫(ITO)、鋅摻雜氧化銦錫(ZITO)、氧化鋅銦(ZIO)、氧化鎵銦(GIO)、氧化鋅錫(ZTO)、氟摻雜氧化錫(FTO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)、鎵摻雜氧化鋅(GZO)、In4Sn3O12以及氧化鋅鎂(Zn(1-x)MgxO，0≤x≤1)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括第三指形電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括電連接至第一指形電極的第一電極焊盤(pán)以及電連接至第二指形電極的第二電極焊盤(pán)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括絕緣部分，其覆蓋半導(dǎo)體層壓板的設(shè)置有第一指形電極和第二指形電極的表面，絕緣部分包括連接至第一指形電極的第一通孔和連接至第二指形電極的第二通孔，
其中，第一電極焊盤(pán)和第二電極焊盤(pán)設(shè)置在絕緣部分上，并且第一電極焊盤(pán)通過(guò)第一通孔連接至第一指形電極，第二電極焊盤(pán)通過(guò)第二通孔連接至第二指形電極。
16.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：
半導(dǎo)體層壓板，其包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層限定暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一部分的第一溝槽和暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二部分的第二溝槽；
第一絕緣層，其設(shè)置在第一溝槽的內(nèi)側(cè)壁上；
第一指形電極，其設(shè)置在第一溝槽中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一部分上；
第二絕緣層，其設(shè)置在第二溝槽的內(nèi)表面上；
電流擴(kuò)散層，其設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，并且沿著第二絕緣層延伸至第二溝槽中；以及
第二指形電極，其設(shè)置在第二溝槽中的電流擴(kuò)散層的一部分上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括電連接至第一指形電極的第一電極焊盤(pán)以及電連接至第二指形電極的第二電極焊盤(pán)，
其中，第一電極焊盤(pán)設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層在第一溝槽中的部分上，并且第二電極焊盤(pán)設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括附加絕緣層，其設(shè)置在第二電極焊盤(pán)與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間。
19.一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，該方法包括步驟：
通過(guò)在襯底上順序地生長(zhǎng)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層來(lái)形成半導(dǎo)體層壓板；
在半導(dǎo)體層壓板中形成第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽和第二溝槽穿過(guò)第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層，以暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一部分和第二部分；
在第二溝槽的內(nèi)表面上形成絕緣層；
在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成電流擴(kuò)散層，以延伸至第二溝槽中的絕緣層的一部分；
在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一暴露部分中形成第一指形電極；以及
在位于第二溝槽中的電流擴(kuò)散層的一部分上形成第二指形電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，通過(guò)單次刻蝕處理來(lái)形成第一溝槽和第二溝槽。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，形成絕緣層的步驟包括：在第一溝槽的內(nèi)側(cè)壁上形成附加絕緣層。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，同時(shí)進(jìn)行形成第一指形電極的步驟和形成第二指形電極的步驟。
23.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：
第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層限定暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的多個(gè)第一部分的多個(gè)第一溝槽和暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的多個(gè)第二部分的多個(gè)第二溝槽；
多個(gè)第一指形電極，其分別設(shè)置在所述多個(gè)第一溝槽中的多個(gè)第一部分上；
絕緣層，其設(shè)置為覆蓋所述多個(gè)第二溝槽中的多個(gè)第二部分；以及
多個(gè)第二指形電極，其分別設(shè)置在絕緣層上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括電流擴(kuò)散層，其設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，并且電連接至所述多個(gè)第二指形電極中的一個(gè)。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，電流擴(kuò)散層延伸至所述多個(gè)第二溝槽中的一個(gè)中。