本發(fā)明涉及電子器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基板及其制作方法、電子器件。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管陣列基板的生產(chǎn)流程中，不可避免地產(chǎn)生靜電，且大多數(shù)靜電擊穿發(fā)生在外圍的信號(hào)線交疊區(qū)域和跳線處。其中，跳線1＇通常是由透明導(dǎo)電層制得，鋪設(shè)在整個(gè)陣列基板上，用于電性連接信號(hào)線和電極線，例如：公共電極線10和公共信號(hào)線20，從而信號(hào)線上的信號(hào)傳輸至電極線，參見圖1所示。若靜電擊穿發(fā)生在測(cè)試線、短路環(huán)、維修線等位置，經(jīng)激光切割斷開短路位置，即可修復(fù)。但是，若靜電擊穿發(fā)生在信號(hào)線交疊區(qū)域，由于跳線1＇由透明導(dǎo)電材料制得，并鋪設(shè)于信號(hào)線交疊區(qū)域，當(dāng)激光切割時(shí)，跳線1＇易與信號(hào)線熔接，由于跳線整面鋪設(shè)在整個(gè)陣列基板上，因此無法完全將短路斷開，造成無法維修。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種基板及其制作方法、電子器件，用以解決信號(hào)線交疊區(qū)域發(fā)生靜電擊穿不良時(shí)，由于跳線易與信號(hào)線熔接，導(dǎo)致無法切割修復(fù)的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種基板，包括至少兩條絕緣設(shè)置的信號(hào)線，至少兩條所述信號(hào)線交叉分布，在交叉處形成信號(hào)線交疊區(qū)域，所述基板包括第一區(qū)域，所述信號(hào)線包括位于第一區(qū)域的第一信號(hào)線，所述基板還包括電極線，所述基板還包括隔斷區(qū)域，所述隔斷區(qū)域圍設(shè)在所述信號(hào)線交疊區(qū)域的外圍，所述陣列基板還包括跳線，用于電性連接所述電極線和第一信號(hào)線，所述跳線位于所述隔斷區(qū)域以外的至少部分區(qū)域。

本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種電子器件，采用如上所述的基板。

本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種如上所述的基板的制作方法，所述基板包括第一區(qū)域，所述制作方法包括：

形成至少兩條信號(hào)線，至少兩條所述信號(hào)線交叉分布，在交叉處形成信號(hào)線交疊區(qū)域，所述信號(hào)線位于第一區(qū)域的包括第一信號(hào)線；

形成電極線，所述基板還包括隔斷區(qū)域，所述隔斷區(qū)域圍設(shè)在所述信號(hào)線交疊區(qū)域的外圍，所述制作方法還包括：

形成跳線，用于電性連接所述電極線和第一信號(hào)線，所述跳線位于所述隔斷區(qū)域以外的至少部分區(qū)域。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

上述技術(shù)方案中，在信號(hào)線交疊區(qū)域的外圍設(shè)置隔斷區(qū)域，跳線位于所述隔斷區(qū)域以外的至少部分區(qū)域，從而在信號(hào)線交疊區(qū)域發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以在所述隔斷區(qū)域進(jìn)行激光切割修復(fù)，由于所述隔斷區(qū)域未鋪設(shè)跳線，從而克服了跳線易與信號(hào)線熔接導(dǎo)致無法修復(fù)的問題，提高了產(chǎn)品的修復(fù)率，降低了生產(chǎn)成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的跳線的分布示意圖；

圖2表示未示意跳線的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3表示本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的跳線的分布示意圖一；

圖4表示圖3沿A-A的剖視圖；

圖5表示圖3沿B-B的剖視圖；

圖6表示本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的跳線的分布示意圖二；

圖7表示圖6中跳線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8表示本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的跳線的分布示意圖三；

圖9表示本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的跳線的分布示意圖四；

圖10表示圖9中跳線的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

在基板的生產(chǎn)過程中，不可避免地產(chǎn)生靜電，且大多數(shù)靜電擊穿導(dǎo)致的不良發(fā)生在外圍的信號(hào)線交疊區(qū)域和跳線處。其中，跳線通常是由透明導(dǎo)電層制得，用于連接信號(hào)線和電極線，從而將信號(hào)線上的信號(hào)傳輸至電極線。當(dāng)靜電擊穿發(fā)生在信號(hào)線交疊區(qū)域時(shí)，由于跳線鋪設(shè)在整個(gè)基板上，即信號(hào)線交疊區(qū)域也鋪設(shè)有跳線，透明導(dǎo)電材料易與金屬材料熔接，當(dāng)用激光切割進(jìn)行修復(fù)，跳線易與信號(hào)線熔接，因此無法完全將短路斷開，造成無法維修。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明在信號(hào)線交疊區(qū)域的外圍設(shè)置隔斷區(qū)域，隔斷區(qū)域圍設(shè)在信號(hào)線交疊區(qū)域的外圍，進(jìn)行隔斷，而跳線位于所述隔斷區(qū)域以外的至少部分區(qū)域，用于電性連接一電極線和對(duì)應(yīng)的信號(hào)線，從而在信號(hào)線交疊區(qū)域發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以在所述隔斷區(qū)域進(jìn)行激光切割修復(fù)，由于所述隔斷區(qū)域未鋪設(shè)跳線，從而克服了跳線易與信號(hào)線熔接導(dǎo)致無法修復(fù)的問題，提高了產(chǎn)品的修復(fù)率。

則所述基板的制作方法包括：

形成跳線，用于電性連接一電極線和對(duì)應(yīng)的信號(hào)線，所述跳線位于所述隔斷區(qū)域以外的至少部分區(qū)域。

下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

實(shí)施例一

結(jié)合圖2和圖3所示，本實(shí)施例中的基板包括至少兩條絕緣設(shè)置的信號(hào)線，至少兩條所述信號(hào)線交叉分布，在交叉處形成信號(hào)線交疊區(qū)域100。需要說明的是，通常在不同層的信號(hào)線之間設(shè)置絕緣層，實(shí)現(xiàn)絕緣。此處的交叉是指信號(hào)線在所述基板所在平面上的正投影交叉，所述信號(hào)線交疊區(qū)域?qū)?yīng)信號(hào)線在所述基板所在平面上的正投影的交叉區(qū)域。

所述基板還包括第一區(qū)域，所述信號(hào)線包括位于第一區(qū)域的第一信號(hào)線20，所述基板還包括電極線10，并設(shè)置跳線1電性連接電極線10和第一信號(hào)線20。在信號(hào)線交疊區(qū)域100的外圍設(shè)置有隔斷區(qū)域，所述隔斷區(qū)域圍設(shè)在信號(hào)線交疊區(qū)域100的外圍，進(jìn)行隔斷。跳線1位于所述隔斷區(qū)域以外的至少部分區(qū)域。

上述技術(shù)方案通過在信號(hào)線交疊區(qū)域的外圍設(shè)置隔斷區(qū)域，進(jìn)行隔斷，跳線位于隔斷區(qū)域以外的至少部分區(qū)域。從而在信號(hào)線交疊區(qū)域發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以在隔斷區(qū)域進(jìn)行激光切割修復(fù)，由于隔斷區(qū)域未鋪設(shè)跳線，從而克服了跳線易與信號(hào)線熔接導(dǎo)致無法修復(fù)的問題，提高了產(chǎn)品的修復(fù)率，降低了生產(chǎn)成本。

其中，隔斷區(qū)域圍設(shè)在信號(hào)線交疊區(qū)域100的外圍，隔斷區(qū)域未鋪設(shè)有跳線，跳線1位于隔斷區(qū)域以外的至少部分區(qū)域的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)有很多種，本實(shí)施例中的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)如下：

結(jié)合圖2和圖3所示，設(shè)置跳線1包括多個(gè)位于第一區(qū)域的第一子結(jié)構(gòu)11，相鄰的兩個(gè)第一子結(jié)構(gòu)11之間間隔一定距離，信號(hào)線交疊區(qū)域100位于相鄰兩個(gè)第一子結(jié)構(gòu)11之間，隔斷區(qū)域200的一部分位于信號(hào)線交疊區(qū)域100與對(duì)應(yīng)的第一子結(jié)構(gòu)11之間的區(qū)域。信號(hào)線交疊區(qū)域100和隔斷區(qū)域200均未鋪設(shè)跳線，從而在信號(hào)線交疊區(qū)域100發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以在隔斷區(qū)域200(例如圖3中的點(diǎn)線處)進(jìn)行激光切割修復(fù)，克服了跳線易與信號(hào)線熔接導(dǎo)致無法修復(fù)的問題，提高了產(chǎn)品的修復(fù)率，降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。

進(jìn)一步地，所述基板還包括第二區(qū)域，所述第二區(qū)域與所述第一區(qū)域不交疊，由于所述第二區(qū)域不包括信號(hào)線交疊區(qū)域，因此可以設(shè)置跳線1還包括覆蓋全部所述第二區(qū)域的第二子結(jié)構(gòu)12。

其中，跳線1通常由透明導(dǎo)電材料(如：HIZO、ZnO、TiO₂、CdSnO、MgZnO、IGO、IZO、ITO或IGZO)制得。

本發(fā)明的技術(shù)方案適用于所有具有信號(hào)線交疊區(qū)域和跳線的基板，下面以薄膜晶體管陣列基板為例具體介紹本發(fā)明的技術(shù)方案。

對(duì)于薄膜晶體管陣列基板，所述第一區(qū)域?yàn)榉秋@示區(qū)域，所述第二區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)域。電極線10為公共電極線，第一信號(hào)線20為公共信號(hào)線20，跳線1用于電性連接公共電極線10和公共信號(hào)線20，公共信號(hào)線20用于向公共電極線10傳輸公共信號(hào)，公共電極線10用于向顯示區(qū)域提供基準(zhǔn)電壓。當(dāng)所述陣列基板包括公共電極2時(shí)，公共電極線10與公共電極2電性連接，用于向公共電極2傳輸基準(zhǔn)電壓，公共電極2與像素電極(圖中未示出)配合形成橫向驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)。其中，公共電極線10可以通過位于兩者之間的絕緣層中的過孔與公共電極2電性連接，附圖中未示意。

需要說明的是，本發(fā)明的電極線10和第一信號(hào)線20并不均局限為公共電極線和公共信號(hào)線，還可以為其它組合，在此不再一一列舉。本實(shí)施例中僅以跳線電性連接公共電極線和公共信號(hào)線為例來具體描述本發(fā)明的技術(shù)方案。

當(dāng)公共信號(hào)線20的一部分位于信號(hào)線交疊區(qū)域100時(shí)，通過采用本發(fā)明的技術(shù)方案，可以切割信號(hào)線交疊區(qū)域100的兩側(cè)，如圖3中的點(diǎn)線處，斷開公共信號(hào)線20，來進(jìn)行修復(fù)，以不影響其他信號(hào)線(對(duì)應(yīng)圖3中的30)的信號(hào)傳輸。

當(dāng)在信號(hào)線交疊區(qū)域100的兩側(cè)斷開公共信號(hào)線20進(jìn)行修復(fù)時(shí)，由于公共信號(hào)線20在信號(hào)線交疊區(qū)域100對(duì)應(yīng)的位置斷開，會(huì)影響信號(hào)的傳輸，使得一部分公共電極線10接收不到公共信號(hào)線20傳輸?shù)男盘?hào)。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)施例中設(shè)置跳線1還包括覆蓋顯示區(qū)域的第二子結(jié)構(gòu)12，一部分公共電極線10與第二子結(jié)構(gòu)12電性連接，從而即使公共信號(hào)線20在某處斷開，使得一部分公共電極線10與公共信號(hào)線20斷開，第二子結(jié)構(gòu)12也能夠?qū)⑿盘?hào)傳輸至與公共信號(hào)線20斷開的公共電極線10，保證所有公共電極線10均能夠接收到公共信號(hào)線20傳輸?shù)男盘?hào)。具體可以設(shè)置第二子結(jié)構(gòu)12與相鄰的第一子結(jié)構(gòu)11之間間隔一定距離。

為了實(shí)現(xiàn)顯示，所述薄膜晶體管陣列基板還包括柵線30和數(shù)據(jù)線40，用于限定多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域包括薄膜晶體管和像素電極(圖中未示出)，所述薄膜晶體管可以為硅半導(dǎo)體薄膜晶體管，也可以為金屬氧化物薄膜晶體管。薄膜晶體管的柵電極與柵線30電性連接，源電極與數(shù)據(jù)線40電性連接，漏電極與像素電極連接。通過向柵線30傳輸柵掃描信號(hào)，能夠逐行打開每行的薄膜晶體管，然后通過薄膜晶體管向像素電極傳輸像素電壓，形成驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)，控制顯示過程。

具體可以設(shè)置公共電極線10與柵線30同層且平行設(shè)置，通過對(duì)同一柵金屬層的一次構(gòu)圖工藝制得。公共信號(hào)線20可以與數(shù)據(jù)線40同層且平行設(shè)置，通過對(duì)同一源漏金屬層的一次構(gòu)圖工藝制得。則柵線30在所述陣列基板所在平面上的正投影與公共信號(hào)線20在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成信號(hào)線交疊區(qū)域100。柵線30與公共信號(hào)線20之間具有鈍化層101，實(shí)現(xiàn)絕緣。

所述柵金屬層和源漏金屬層的材料可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。

其中，跳線1與公共電極線10之間具有第一絕緣層101，第一絕緣層101中具有第一過孔4，一部分電極線10通過第一過孔4與第二子結(jié)構(gòu)12電性連接，即使信號(hào)線交疊區(qū)域100發(fā)生靜電擊穿，通過激光切割斷開進(jìn)行修復(fù)后，也能夠保證所有公共電極線10都能夠接收到公共信號(hào)線20傳輸?shù)男盘?hào)。具體的，當(dāng)公共信號(hào)線20位于公共電極線10的下方時(shí)，在公共電極線10與公共信號(hào)線20之間具有第二絕緣層102，第一子結(jié)構(gòu)11通過貫穿第一絕緣層101和第二絕緣層102的第二過孔5與公共信號(hào)線20電性連接，第一子結(jié)構(gòu)11通過第一絕緣層101中的第三過孔6與公共電極線10電性連接，從而電性連接公共信號(hào)線20和公共電極線10，如圖5所示。

結(jié)合圖2-圖5所示，以薄膜晶體管陣列基板為例，本實(shí)施例中的陣列基板具體包括：

設(shè)置在透明基底300(如：石英基底、玻璃基底)上的多條柵線30和多條數(shù)據(jù)線40，用于限定多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域包括：

薄膜晶體管、像素電極和公共電極2，薄膜晶體管的柵電極與柵線30電性連接，源電極與數(shù)據(jù)線40電性連接，漏電極與像素電極連接；

多條與柵線30同層且平行設(shè)置的公共電極線10，公共電極線10與公共電極2電性連接；

多條與數(shù)據(jù)線40同層且平行設(shè)置的公共信號(hào)線20，用于傳輸基準(zhǔn)電壓，公共信號(hào)線20與公共電極線10電性連接，柵線30在所述陣列基板所在平面上的正投影與公共信號(hào)線20在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成信號(hào)線交疊區(qū)域100；

跳線1，包括多個(gè)位于非顯示區(qū)域的第一子結(jié)構(gòu)11和覆蓋顯示區(qū)域的第二子結(jié)構(gòu)12，相鄰的兩個(gè)第一子結(jié)構(gòu)11之間間隔一定距離，信號(hào)線交疊區(qū)域100位于相鄰兩個(gè)第一子結(jié)構(gòu)11之間，隔斷區(qū)域200的一部分位于信號(hào)線交疊區(qū)域100與對(duì)應(yīng)的第一子結(jié)構(gòu)11之間的區(qū)域。第二子結(jié)構(gòu)12與相鄰的第一子結(jié)構(gòu)11之間間隔一定距離；

位于跳線1與公共電極線10之間的第一絕緣層101，第一絕緣層101中具有第一過孔4和第三過孔6，一部分公共電極線10通過第一過孔4與第二子結(jié)構(gòu)12電性連接；

位于柵線30、公共電極線10與公共信號(hào)線20之間的第二絕緣層102；

其中，第一子結(jié)構(gòu)11通過貫穿第一絕緣層101和第二絕緣層102的第二過孔5與公共信號(hào)線20電性連接，第一子結(jié)構(gòu)11通過第一絕緣層101中的第三過孔6與公共電極線10電性連接，從而實(shí)現(xiàn)跳線1電性連接公共信號(hào)線20和公共電極線10。

上述陣列基板適用于各種類型的薄膜晶體管，如：頂柵型薄膜晶體管、底柵型薄膜晶體管、共面型薄膜晶體管。所述陣列基板的像素電極和公共電極2由透明導(dǎo)電材料制得，絕緣層的材料可以為氮氧化物，如：SiN_X、SiO₂、SiON。

在實(shí)際應(yīng)用過程中，可以根據(jù)需要對(duì)薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行合理調(diào)整或增加所需功能的結(jié)構(gòu)，其都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

實(shí)施例二

為了便于描述和理解，本實(shí)施例中同樣以薄膜晶體管陣列基板為例來具體介紹本發(fā)明的技術(shù)方案。

實(shí)施例一中通過設(shè)置跳線包括位于非顯示區(qū)域(即第一區(qū)域)的第一子結(jié)構(gòu)，相鄰的兩個(gè)第一子結(jié)構(gòu)之間間隔一定距離，所述信號(hào)線交疊區(qū)域位于相鄰兩個(gè)第一子結(jié)構(gòu)之間，所述隔斷區(qū)域的一部分位于所述信號(hào)線交疊區(qū)域與對(duì)應(yīng)的第一子結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域，即，所述信號(hào)線交疊區(qū)域和隔斷區(qū)域均未鋪設(shè)跳線，從而當(dāng)信號(hào)線交疊區(qū)域發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以在隔斷區(qū)域進(jìn)行激光切割修復(fù)，克服了跳線易與信號(hào)線熔接導(dǎo)致無法修復(fù)的問題。

與實(shí)施例一不同的是，結(jié)合圖2、圖6和圖7所示，本實(shí)施例中設(shè)置跳線1覆蓋整個(gè)所述基板，并在跳線1上形成開口14，信號(hào)線交疊區(qū)域100位于開口14所在的區(qū)域內(nèi)，開口14的位于信號(hào)線交疊區(qū)域100周邊的區(qū)域形成隔斷區(qū)域，即，信號(hào)線交疊區(qū)域100和所述隔斷區(qū)域均未鋪設(shè)跳線，從而當(dāng)信號(hào)線交疊區(qū)域發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以在所述隔斷區(qū)域(例如圖6中的點(diǎn)線處)進(jìn)行激光切割修復(fù)，克服了跳線易與信號(hào)線熔接導(dǎo)致無法修復(fù)的問題。

進(jìn)一步地，跳線1與公共電極線10之間設(shè)置有第二絕緣層(圖中未示出)，并設(shè)置一部分公共電極線10通過所述第二絕緣層中的第二過孔5與跳線1電性接觸，第二過孔5位于顯示區(qū)域，從而即使在信號(hào)線交疊區(qū)域100發(fā)生靜電擊穿，通過激光切割斷開進(jìn)行修復(fù)后，也完全不影響公共信號(hào)線20的信號(hào)傳輸至所有公共電極線10上。

作為上述技術(shù)方案的一個(gè)變形，也可以設(shè)置跳線包括覆蓋非顯示區(qū)域的第一部分和覆蓋顯示區(qū)域的第二部分，具體為所述第一部分上具有開口，信號(hào)線交疊區(qū)域位于開口所在的區(qū)域內(nèi)。進(jìn)一步地，可以設(shè)置一部分公共電極線與所述第二部分電性連接，從而即使在信號(hào)線交疊區(qū)域發(fā)生靜電擊穿，通過激光切割斷開進(jìn)行修復(fù)時(shí)，也能夠保證所有公共電極線都能夠接收到公共信號(hào)線的信號(hào)。具體可以在所述第二絕緣層中形成第二過孔，跳線通過第二過孔與公共電極線電性連接。

在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，設(shè)置跳線1覆蓋整個(gè)所述基板，并在跳線1上形成開口14，信號(hào)線交疊區(qū)域100位于開口14所在的區(qū)域內(nèi)。跳線1與公共電極線10之間具有第一絕緣層，公共信號(hào)線20與公共電極線10之間具有第二絕緣層，實(shí)現(xiàn)絕緣。在非顯示區(qū)域，跳線1通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層中第二過孔5與公共信號(hào)線20電性連接，跳線1通過所述第一絕緣層中的第三過孔6與公共電極線10電性連接。在顯示區(qū)域，一部分公共電極線10通過所述第一絕緣層中的第一過孔4與跳線1電性連接，具體的連接方式參見圖4和圖5所示，不再重復(fù)示意。

至于其它技術(shù)特征參見實(shí)施例一，在此不再贅述。

實(shí)施例三

在上述兩個(gè)實(shí)施例中，信號(hào)線交疊區(qū)域均未鋪設(shè)有跳線，即，信號(hào)線交疊區(qū)域，以及信號(hào)線交疊區(qū)域外圍的隔斷區(qū)域均未鋪設(shè)有信號(hào)線，從而當(dāng)信號(hào)線交疊區(qū)域發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以在所述隔斷區(qū)域進(jìn)行激光切割修復(fù)，克服跳線易與信號(hào)線熔接導(dǎo)致無法修復(fù)的問題。

與上述兩個(gè)實(shí)施例不同的是，結(jié)合圖8-圖10所示，本實(shí)施例中，基板的信號(hào)線交疊區(qū)域100鋪設(shè)有跳線，信號(hào)線交疊區(qū)域100外圍的隔斷區(qū)域200未鋪設(shè)跳線。

則，本實(shí)施例中的跳線1包括第三子結(jié)構(gòu)15和第四子結(jié)構(gòu)16，第三子結(jié)構(gòu)15鋪設(shè)在隔斷區(qū)域200的外圍，第四子結(jié)構(gòu)16鋪設(shè)在信號(hào)線交疊區(qū)域100。需要說明的是，由于隔斷區(qū)域200圍設(shè)在信號(hào)線交疊區(qū)域100的外圍，此處隔斷區(qū)域200的外圍是相對(duì)信號(hào)線交疊區(qū)域100而言，隔斷區(qū)域200的與信號(hào)線交疊區(qū)域100相對(duì)的一側(cè)為外圍。

在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，結(jié)合圖2和圖8所示，跳線1的第三子結(jié)構(gòu)15鋪設(shè)在隔斷區(qū)域200的外圍，第四子結(jié)構(gòu)16鋪設(shè)在信號(hào)線交疊區(qū)域100。隔斷區(qū)域200未鋪設(shè)有跳線，圍設(shè)在信號(hào)線交疊區(qū)域100的外圍。第三子結(jié)構(gòu)15包括多個(gè)位于第一區(qū)域的第一子結(jié)構(gòu)11，相鄰的兩個(gè)第一子結(jié)構(gòu)11之間間隔一定距離，信號(hào)線交疊區(qū)域100位于相鄰兩個(gè)第一子結(jié)構(gòu)11之間，隔斷區(qū)域200的一部分位于信號(hào)線交疊區(qū)域100與對(duì)應(yīng)的第一子結(jié)構(gòu)11之間的區(qū)域。因此，當(dāng)信號(hào)線交疊區(qū)域100發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以在隔斷區(qū)域200(例如圖8中的點(diǎn)線處)進(jìn)行激光切割修復(fù)，由于隔斷區(qū)域200未鋪設(shè)有跳線，克服了跳線易與信號(hào)線熔接導(dǎo)致無法修復(fù)的問題，提高了產(chǎn)品的修復(fù)率，降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。

進(jìn)一步地，還可以設(shè)置跳線1的第三子結(jié)構(gòu)15還包括位于第二區(qū)域的第二子結(jié)構(gòu)12，所述第二區(qū)域與第一區(qū)域不交疊，由于所述第二區(qū)域不包括信號(hào)線交疊區(qū)域，因此可以設(shè)置跳線1還包括覆蓋所述第二區(qū)域的第二子結(jié)構(gòu)12。

在另一個(gè)具體的實(shí)施方式中，結(jié)合圖2、圖9和圖10所示，跳線1的第三子結(jié)構(gòu)15鋪設(shè)在隔斷區(qū)域200的外圍，第四子結(jié)構(gòu)16鋪設(shè)在信號(hào)線交疊區(qū)域100。具體為：跳線1覆蓋整個(gè)基板，并去除對(duì)應(yīng)隔斷區(qū)域200的跳線，將跳線1分割為第三子結(jié)構(gòu)15和第四子結(jié)構(gòu)16。因此，當(dāng)信號(hào)線交疊區(qū)域100發(fā)生靜電擊穿時(shí)，由于隔斷區(qū)域200未鋪設(shè)有跳線，可以在隔斷區(qū)域200(例如圖9中的點(diǎn)線處)進(jìn)行激光切割修復(fù)，克服了跳線易與信號(hào)線熔接導(dǎo)致無法修復(fù)的問題，提高了產(chǎn)品的修復(fù)率，降低生產(chǎn)成本。

當(dāng)本實(shí)施例中的技術(shù)方案應(yīng)用到薄膜晶體管陣列基板上時(shí)，其原理與實(shí)施例一和二中相同，在此不再詳述。

上述三個(gè)實(shí)施例中，給出了在信號(hào)線交疊區(qū)域的外圍設(shè)置隔斷區(qū)域，進(jìn)行隔斷，在隔斷區(qū)域的以外的區(qū)域鋪設(shè)跳線的幾種實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以對(duì)上述實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)進(jìn)行合理的調(diào)整，只需保證信號(hào)線交疊區(qū)域的外圍設(shè)置有隔斷區(qū)域，在隔斷區(qū)域的以外的區(qū)域鋪設(shè)跳線即可，其都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

實(shí)施例四

本實(shí)施例中提供一種電子器件，采用實(shí)施例一、實(shí)施例二或?qū)嵤├械幕澹捎诋?dāng)信號(hào)線交疊區(qū)域放生靜電擊穿時(shí)，能夠通過激光切割斷開進(jìn)行修復(fù)，從而提高了產(chǎn)品的修復(fù)率，降低生產(chǎn)成本。

所述電子器件為：液晶顯示面板、液晶顯示裝置、OLED顯示面板、液晶顯示裝置、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，或電路板等其他具有信號(hào)線交疊區(qū)域和跳線的非顯示產(chǎn)品。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。