本發(fā)明屬于電子元器件領(lǐng)域，尤其涉及一種新型阻容復合芯片及其制造方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有電阻產(chǎn)品為獨立單一的元器件，其現(xiàn)有的制造工藝通常為：將電阻芯片與引線放入錫爐中進行焊接加工然后包封測試。這樣制備的電阻產(chǎn)品缺乏過電壓保護的能力，在使用過程中若遇到電壓突變或者電壓倒灌的現(xiàn)象時容易損壞從而影響電路正常工作。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點和不足，提供一種新型阻容復合芯片及其制造方法，本發(fā)明的新型阻容復合芯片在電阻芯片上并聯(lián)一個電容芯片，有效防止電壓突變，能夠吸收尖峰狀態(tài)的過電壓避免與其并聯(lián)的器件造成損壞。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：一種新型阻容復合芯片，包括電阻芯片、電容芯片、兩個引線、保護層；所述電阻芯片與電容芯片并聯(lián)連接，所述兩個引線平行設置并分別連接于所述電阻芯片的兩面電極，所述保護層包覆所述電阻芯片和電容芯片。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的新型阻容復合芯片，通過設置一與電阻芯片并聯(lián)的電容芯片，有效防止電壓突變，能夠吸收尖峰狀態(tài)的過電壓，避免與其并聯(lián)的器件造成損壞。

進一步，所述電阻芯片為NTC熱敏電阻芯片。

進一步，所述保護層為玻璃保護層。

本發(fā)明還提供了一種新型阻容復合芯片的制造方法，包括以下步驟：

(1)根據(jù)需要阻值計算得出的尺寸，將電阻芯片劃切成所需尺寸的長條；

(2)將電容芯片按照一定寬度劃切成條；

(3)將劃切成條的電阻芯片和電容芯片依次間隔粘合；

(4)將粘合好的復合芯片再次按照所需阻值計算得出的尺寸劃切成所需尺寸的芯片；

(5)將步驟(4)中得到的芯片的電阻芯片和電容芯片兩面電極分別與兩個平行設置的引線焊接，并使芯片插入兩個引線之間；

(6)將焊接好的芯片外包覆一層保護層，所述保護層包覆于所述電阻芯片和電容芯片外部。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，通過本發(fā)明的新型阻容復合芯片的制造方法得到的新型阻容復合芯片，通過設置一與電阻芯片并聯(lián)的電容芯片，有效防止電壓突變，能夠吸收尖峰狀態(tài)的過電壓，有效防止芯片的損傷或者阻值的突變，避免與其并聯(lián)的器件造成損壞。

進一步，所述電阻芯片為NTC熱敏電阻芯片。

進一步，所述保護層為玻璃保護層。

為了更好地理解和實施，下面結(jié)合附圖詳細說明本發(fā)明。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的新型阻容復合芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的新型阻容復合芯片的制造方法的步驟(1)的示意圖。

圖3是本發(fā)明的新型阻容復合芯片的制造方法的步驟(2)的示意圖。

圖4是本發(fā)明的新型阻容復合芯片的制造方法的步驟(3)的示意圖。

圖5是本發(fā)明的新型阻容復合芯片的制造方法的步驟(4)的示意圖。

圖6是本發(fā)明的新型阻容復合芯片的制造方法的步驟(5)的示意圖。

圖7是本發(fā)明的新型阻容復合芯片的制造方法的步驟(5)的操作示意圖。

具體實施方式

請參閱圖1，其是本發(fā)明的新型阻容復合芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。所述新型阻容復合芯片包括電阻芯片1、電容芯片2、與電阻芯片1兩面電極連接的兩個平行設置的引線3、以及包覆于所述電阻芯片1和電容芯片2外部的保護層4。

所述電阻芯片1為NTC熱敏電阻芯片。所述電阻芯片1夾持固定于兩個引線3的端部，并通過高溫錫爐和高溫焊錫將引線焊錫。所述電容芯片2并聯(lián)于所述電阻芯片1，并且設置于所述兩個引線3之間。所述保護層4為玻璃保護層。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的新型阻容復合芯片，通過設置一與電阻芯片并聯(lián)的電容芯片，有效防止電壓突變，能夠吸收尖峰狀態(tài)的過電壓，避免與其并聯(lián)的器件造成損壞。

本發(fā)明還提供了一種新型阻容復合芯片的制造方法，包括以下步驟，請同時參閱圖2-6，其分別是本發(fā)明的新型阻容復合芯片的制備方法步驟(1)-(5)對應的示意圖：

(1)根據(jù)需要阻值計算得出的尺寸，將電阻芯片1劃切成所需尺寸的長條；

(2)將電容芯片2按照一定寬度劃切成條；

(3)將劃切成條的電阻芯片1和電容芯片2依次間隔粘合；

(4)將粘合好的復合芯片再次按照所需阻值計算得出的尺寸劃切成所需尺寸的芯片；

(5)將步驟(4)中得到的芯片的電阻芯片和電容芯片兩面電極分別與兩個平行設置的引線3焊接，并使芯片插入兩個引線3之間；具體操作如圖6和圖7所示，將復合芯片中的電阻芯片和電容芯片一同置于錫爐中，使復合芯片與引線焊接連接。

(6)將焊接好的芯片外包覆一層保護層4，所述保護層4包覆于所述電阻芯片1和電容芯片2外部；在本實施例中，所述保護層4為玻璃保護層。

通過所述制造方法得到的新型阻容復合芯片經(jīng)過通電高溫負荷實驗前后的阻值變化與現(xiàn)有技術(shù)中的產(chǎn)品的對比，具體見下表1。由表1可知，本發(fā)明所述的新型阻容復合芯片通過在電阻芯片上并聯(lián)電容產(chǎn)品，可以有效防止芯片的損傷或者阻值的突變。

表1本發(fā)明復合芯片與現(xiàn)有技術(shù)中的芯片經(jīng)通電高溫負荷實驗前后的阻值變化

相對于現(xiàn)有技術(shù)，通過本發(fā)明的新型阻容復合芯片的制造方法得到的新型阻容復合芯片，通過設置一與電阻芯片并聯(lián)的電容芯片，有效防止電壓突變，能夠吸收尖峰狀態(tài)的過電壓，有效防止芯片的損傷或者阻值的突變，避免與其并聯(lián)的器件造成損壞。

本發(fā)明并不局限于上述實施方式，如果對本發(fā)明的各種改動或變形不脫離本發(fā)明的精神和范圍，倘若這些改動和變形屬于本發(fā)明的權(quán)利要求和等同技術(shù)范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變形。