技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種采用L?MBE和MOCVD技術(shù)在Si襯底上生長的LED外延片，包括Si襯底以及在Si襯底上依次生長的單晶Al薄膜、AlGaN緩沖層、n?GaN層、InGaN/GaN?MQWs量子阱層以及p?GaN層；自單晶Al薄膜向n?GaN層的方向，AlGaN緩沖層中Al組分的含量逐漸降低；所述單晶Al薄膜是采用L?MBE方法生長的，所述AlGaN緩沖層、n?GaN層、InGaN/GaN?MQWs量子阱層和p?GaN層是采用MOCVD方法生長的。發(fā)明還公開了該LED外延片的制備方法。本發(fā)明制備的LED外延片，晶體質(zhì)量高，缺陷密度低，具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：李國強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河源市眾拓光電科技有限公司
文檔號(hào)碼：201610557494
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.12
技術(shù)公布日：2016.11.30