1.一種無(wú)源圓極化自回溯天線(xiàn)陣，其特征在于：包括兩個(gè)子陣，每個(gè)子陣包含一維方向排布的偶數(shù)K個(gè)天線(xiàn)單元(1)，以及K/2條基片集成同軸線(xiàn)(2)；每個(gè)所述天線(xiàn)單元(1)包括諧振腔(4)、有限接地共面波導(dǎo)傳輸線(xiàn)(8)，所述諧振腔(4)內(nèi)設(shè)有輻射結(jié)構(gòu)(5)以及用于調(diào)節(jié)圓極化性能的通孔(6)，所述通孔(6)位于諧振腔(4)的右側(cè)；每條所述基片集成同軸線(xiàn)(2)包括內(nèi)導(dǎo)體信號(hào)線(xiàn)和外導(dǎo)體屏蔽層；所述外導(dǎo)體屏蔽層由分別設(shè)于內(nèi)導(dǎo)體信號(hào)線(xiàn)上表面和下表面的金屬層，以及排布在內(nèi)導(dǎo)體信號(hào)線(xiàn)兩側(cè)并穿過(guò)上表面和下表面金屬層的通孔陣列構(gòu)成；任意兩條基片集成同軸線(xiàn)(2)的電長(zhǎng)度相差天線(xiàn)工作波長(zhǎng)整數(shù)倍，每一條基片集成同軸線(xiàn)(2)均為“凵”形；每條所述基片集成同軸線(xiàn)(2)分別連接兩個(gè)天線(xiàn)單元(1)，所述基片集成同軸線(xiàn)(2)的有限接地共面波導(dǎo)傳輸線(xiàn)(8)通過(guò)盲孔(3)與基片集成同軸線(xiàn)(2)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無(wú)源圓極化自回溯天線(xiàn)陣，其特征在于：所述天線(xiàn)單元(1)從上而下依次包括上金屬層(21)、上介質(zhì)基片(11a)、黏貼層介質(zhì)(12)、中間金屬層(22)、下介質(zhì)基片(11b)、下金屬層(23)；在所述中間金屬層(22)上刻蝕出內(nèi)導(dǎo)體信號(hào)線(xiàn)；所述諧振腔(4)由貫穿上金屬層(21)、上介質(zhì)基片(11a)、黏貼層介質(zhì)(12)、下介質(zhì)基片(11b)以及下金屬層(23)的若干個(gè)陣列式排布的金屬化通孔構(gòu)成；所述盲孔(3)貫穿內(nèi)導(dǎo)體信號(hào)線(xiàn)、下介質(zhì)基片(11b)以及下金屬層(23)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無(wú)源圓極化自回溯天線(xiàn)陣，其特征在于：所述諧振腔(4)的輪廓為八邊形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種無(wú)源圓極化自回溯天線(xiàn)陣，其特征在于：天線(xiàn)單元(1)中的所述輻射結(jié)構(gòu)(5)為帶有輻射縫隙的菱形槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種無(wú)源圓極化自回溯天線(xiàn)陣，其特征在于：所述有限接地共面波導(dǎo)傳輸線(xiàn)(8)為在所述下金屬層(23)上刻蝕出的縫隙，所述縫隙為一端開(kāi)口的半包圍結(jié)構(gòu)，其開(kāi)口朝向所述諧振腔(4)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無(wú)源圓極化自回溯天線(xiàn)陣，其特征在于：所述兩個(gè)子陣關(guān)于中心線(xiàn)對(duì)稱(chēng)分布，兩個(gè)子陣的輻射結(jié)構(gòu)相鄰。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種無(wú)源圓極化自回溯天線(xiàn)陣，其特征在于：每個(gè)子陣包含16個(gè)天線(xiàn)單元(1)。