技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種N溝碳化硅靜電感應(yīng)晶閘管及其制造方法，結(jié)構(gòu)所采用的技術(shù)方案為：包括自下而上依次設(shè)置的第二P型歐姆接觸電極、P型SiC襯底、N型SiC緩沖層、N型SiC漂移層和N型SiC電流增強(qiáng)層，N型SiC電流增強(qiáng)層上刻蝕形成有若干個臺階，相鄰臺階之間設(shè)有溝槽，臺階的頂端設(shè)置有N型SiC歐姆接觸層，N型SiC歐姆接觸層的上部設(shè)置有N型歐姆接觸電極，溝槽內(nèi)設(shè)置有P型SiC歐姆接觸區(qū)，P型SiC歐姆接觸區(qū)與臺階側(cè)面和溝槽的底部接觸，位于溝槽底部的P型SiC歐姆接觸區(qū)的上部設(shè)置有第一P型歐姆接觸電極，第二P型歐姆接觸電極、N型歐姆接觸電極和第一P型歐姆接觸電極均包括依次沉積的Ni層和Pt層。

技術(shù)研發(fā)人員：張林;谷文萍;胡笑釧;高恬溪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長安大學(xué)
文檔號碼：201610497719
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.28
技術(shù)公布日：2016.11.23